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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 61.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 40 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチング レギュレータ最大パワー消費 = 400 W順方向ダイオード電圧 = 1.7VMOSFET Nチャンネル、TK6 / TK7シリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
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1,898 税込2,088
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 62 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 40 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-3PN実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 400 W標準ターンオフ遅延時間 = 310 nsMOSFET Nチャンネル、TK6 / TK7シリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1個
1,898 税込2,088
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 65 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.8 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK6 / TK7シリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
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1,498 税込1,648
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 148 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.8 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 192 W標準ターンオフ遅延時間 = 85 nsMOSFET Nチャンネル、TK6 / TK7シリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
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1,698 税込1,868
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589 税込648
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 58 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5.4 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 35 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET N-Channel, TK4, TK5 Series, Toshiba RoHS指令(10物質対応)対応
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699 税込769
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 157 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 80 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.3 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチング レギュレータ最大パワー消費 = 192 W長さ = 10.16mmMOSFET Nチャンネル、TK6 / TK7シリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
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1,698 税込1,868
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 60 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10.4 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 30 W標準ターンオフ遅延時間 = 36 nsMOSFET N-Channel, TK4, TK5 Series, Toshiba RoHS指令(10物質対応)対応
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899 税込989
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 600 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 60 W標準ターンオフ遅延時間 = 55 nsMOSFET Nチャンネル、TK6 / TK7シリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
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469 税込516
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 72 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 80 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.5 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK6 / TK7シリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
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1,198 税込1,318
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.22Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4.4V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 100W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK6 / TK7シリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
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1,098 税込1,208
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 6.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 650 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 800 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチングレギュレータMOSFET最大パワー消費 = 60 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK6 / TK7シリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
1,298 税込1,428
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 60 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10.4 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 30 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET N-Channel, TK4, TK5 Series, Toshiba RoHS指令(10物質対応)対応
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959 税込1,055
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 43 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 15 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 53 W標準ターンオン遅延時間 = 21 nsMOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
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829 税込912
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 263 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.2 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET N-Channel, TK100 Series, Toshiba RoHS指令(10物質対応)対応
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2,298 税込2,528
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 40 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.5Ω最大ゲートしきい値電圧 = 2.3V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = DP実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 47 W標準ターンオフ遅延時間 = 63 nsMOSFET N-Channel, TK4, TK5 Series, Toshiba RoHS指令(10物質対応)対応
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419 税込461
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