「v1.25-6」の検索結果
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仕様ダイオード構成 = コモンアノードペア+コモンカソードペア整流タイプ = スイッチングピーク逆繰返し電圧 = 85V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 6最大順方向降下電圧 = 1.2V長さ = 2mm幅 = 1.25mm高さ = 0.9mmピーク逆回復時間 = 4nsピーク逆電流 = 500nA汎用整流ダイオード、東芝
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
￥869
税込￥956
6日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 2最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 4.7 kΩベースエミッタ抵抗器 = 4.7kΩパッケージタイプ = USピン数 = 6最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = 絶縁型最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 1幅 = 1.25mm抵抗組み込みトランジスタ、BRTシリーズ、2イン1 US6、東芝
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
￥849
税込￥934
6日以内出荷
仕様ロジック機能 = インバータ1チップ当たりのエレメント数 = 1シュミットトリガ入力 = N最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 100 ns @ 2 V高レベル出力電流 Max = -2.6mA低レベル出力電流 Max = 2.6mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SSOPピン数 = 5ロジックファミリー = HC寸法 = 2 x 1.25 x 0.9mm高さ = 0.9mm動作温度 Min = -40 ℃TC7Sシリーズ. プロセス: CMOS 電源電圧: 2.0 → 6.0 V
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥259
税込￥285
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN + PNP最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = US実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = 絶縁型最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V、60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 (NPN) V、-5 (PNP) V最大動作周波数 = 120 (PNP) MHz、150 (NPN) MHzピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 2寸法 = 2 x 1.25 x 0.9mmデュアルNPN/PNPトランジスタ、東芝
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥299
税込￥329
翌々日出荷
仕様ロジック機能 = AND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 1ゲートあたりの入力数 = 2パッケージタイプ = SSOPピン数 = 5ロジックファミリー = CMOS入力タイプ = CMOS動作供給電圧 Max = 6 V dc最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 125 ns @ 50 pF動作供給電圧 Min = 2 V dc幅 = 1.25mmL-MOS高速シリーズ、東芝. 東芝L-MOS高速シリーズは、低消費電力CMOSデバイスの利点を維持しながら、LSTTLデバイスと同様の動作速度を実現しています。. 高速動作: 標準伝播遅延時間 - 7 ns @ 5 V 低消費電力 優れたノイズ耐性 出力ドライブ機能: 5 LSTTL負荷 対称型出力ドライブ容量 広い動作電圧範囲: 2 → 6 V
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
￥1,798
税込￥1,978
翌々日出荷
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