「a2ケース」の検索結果

インダクタンス = 47 μH。最大直流電流 = 2A。パッケージ/ケース = 1240。長さ = 12.5mm。奥行き = 12.5mm。高さ = 4mm。寸法 = 12.5 x 12.5 x 4mm。シールド = あり。許容差 = ±20%。最大直流抵抗 = 135mΩ。シリーズ = SRR1240。コア材料 = フェライトDR & RI。最大自己共振周波数 = 13MHz。インダクタ構造 = 巻線型℃。SRR1240シリーズ磁気シールド付き巻線型インダクタ. わずか4.5 mmという低プロファイルのBourns SRR1240シリーズSMDシールドパワーインダクタです。 用途: 携帯型通信機器、ビデオカメラ、液晶テレビ、カーラジオのDC/DCコンバータや電源の入出力など. 高定格電流 高周波数に最適

インダクタンス = 240 nH。最大直流電流 = 3.5A。パッケージ/ケース = 2012。長さ = 2mm。奥行き = 1.6mm。高さ = 1.2mm。寸法 = 2 x 1.6 x 1.2mm。シールド = あり。許容差 = ±20%。最大直流抵抗 = 33mΩ。シリーズ = SRN2012。コア材料 = フェライト。最大自己共振周波数 = 360MHz。最小品質ファクター = 8℃。SRN2012シリーズ半磁気シールド付きパワーインダクタ. Bourns SRN2012シリーズは、シールド付き巻線型SMDインダクタです。各種のフェライトコアサイズの製品を用意しています。. 特長と利点: SRN2012シリーズは、半シールド構造で小型サイズ 低プロファイル: 1.2 mm インダクタンス範囲: 0.24 → 2.2 μH 定格電流: 最大3.5 A RoHS準拠及びハロゲンフリー 用途: DC-DCコンバータ、ノートブックコンピュータ、デジタルビデオカメラ、HDD、携帯電話、 テレビ、LCDディスプレイなど

インダクタンス = 1.5 μH。最大直流電流 = 1.8A。パッケージ/ケース = 2012。長さ = 2mm。奥行き = 1.6mm。高さ = 1.2mm。寸法 = 2 x 1.6 x 1.2mm。シールド = あり。許容差 = ±20%。最大直流抵抗 = 108mΩ。シリーズ = SRN2012。コア材料 = フェライト。最大自己共振周波数 = 90MHz。最小品質ファクター = 12℃。SRN2012シリーズ半磁気シールド付きパワーインダクタ. Bourns SRN2012シリーズは、シールド付き巻線型SMDインダクタです。各種のフェライトコアサイズの製品を用意しています。. 特長と利点: SRN2012シリーズは、半シールド構造で小型サイズ 低プロファイル: 1.2 mm インダクタンス範囲: 0.24 → 2.2 μH 定格電流: 最大3.5 A RoHS準拠及びハロゲンフリー 用途: DC-DCコンバータ、ノートブックコンピュータ、デジタルビデオカメラ、HDD、携帯電話、 テレビ、LCDディスプレイなど

インダクタンス = 680 nH。最大直流電流 = 3.6A。パッケージ/ケース = 2512。長さ = 2.5mm。奥行き = 2mm。高さ = 1.2mm。寸法 = 2.5 x 2 x 1.2mm。シールド = あり。許容差 = ±20%。最大直流抵抗 = 43mΩ。シリーズ = SRN2512。コア材料 = フェライト。最大自己共振周波数 = 140MHz。インダクタ構造 = 半シールド℃。SRN2512シリーズ半磁気シールド付きパワーインダクタ. SRN2512シリーズは、半シールド構造で小型サイズ 低プロファイル: 1.2 mm インダクタンス範囲: 0.24 → 2.2 μH 定格電流: 最大4.7 A 用途: DC/DCコンバータ、ノートブックコンピュータ、デジタルビデオカメラ、HDD、携帯電話、 テレビ、LCDディスプレイなど

SDR1005シリーズ巻線型チョーク. E6シリーズで使用可能 わずか5.0 mmの低プロファイル 0.68 μHの低インダクタンス RoHS対応 DC/DCコンバータの入出力、電源での用途

SRR7032シリーズ磁気シールド付き巻線型インダクタ. Bourns SRR7032シリーズSMDシールド付きパワーインダクタです。 用途: 携帯型通信機器、ビデオカメラ、液晶テレビ、カーラジオのDC/DCコンバータや電源の入出力など

Bourns ZVHT シリーズ低電圧多層バリスタ( 2000 pF 静電容量)は、高電圧域の高電圧サージから高感度の電子機器を保護するように設計されています。幅広い電流及びエネルギー処理能力 短い応答時間 低感度 RoHS対応(2022年10月現在)

Bourns Electronics 低電圧バリスタは、低電圧領域の高電圧サージから高感度電子デバイスを保護するように設計されています。エネルギー量の分配と消費電力の改善により、過渡エネルギー吸収性に優れています。3 → 170 V dc の動作範囲で動作します。短い応答時間 最高動作温度： +125 ℃ しきい値電圧温度係数は +0.05 %/ ℃ 未満

Bourns Electronics チップインダクタには、フェライトコア材質、エポキシ樹脂エンクロージャ、及び安定 Terminal 材質が付属しています。このインダクタは機械的な衝撃や圧力に対する耐性を備え、自動配置で厳しい寸法公差が得られます。飽和電流時にインダクタンスが 10 % 低下します 動作温度： -40 → +150 ℃ エナメル銅線

Bourns DV シリーズ中電圧バリスタは、中電圧領域の高電圧サージから電子機器を保護するように設計されています。表面実装向けに設計されており、エネルギー量の分配と消費電力の改善により、過渡エネルギー吸収に優れています。他の Bourns の中電圧 SMD バリスタと比較して、DV シリーズバリスタは非常に低プロファイルです。この過渡電圧サプレッサは、

Bourns DV シリーズ中電圧バリスタは、中電圧領域の高電圧サージから電子機器を保護するように設計されています。表面実装向けに設計されており、エネルギー量の分配と消費電力の改善により、過渡エネルギー吸収に優れています。他の Bourns の中電圧 SMD バリスタと比較して、DV シリーズバリスタは非常に低プロファイルです。この過渡電圧サプレッサは、

Bourns DV シリーズ中電圧バリスタは、中電圧領域の高電圧サージから電子機器を保護するように設計されています。表面実装向けに設計されており、エネルギー量の分配と消費電力の改善により、過渡エネルギー吸収に優れています。他の Bourns の中電圧 SMD バリスタと比較して、DV シリーズバリスタは非常に低プロファイルです。この過渡電圧サプレッサは、

Bourns DV シリーズ中電圧バリスタは、中電圧領域の高電圧サージから電子機器を保護するように設計されています。表面実装向けに設計されており、エネルギー量の分配と消費電力の改善により、過渡エネルギー吸収に優れています。他の Bourns の中電圧 SMD バリスタと比較して、DV シリーズバリスタは非常に低プロファイルです。この過渡電圧サプレッサは、

Bourns DV シリーズ中電圧バリスタは、中電圧領域の高電圧サージから電子機器を保護するように設計されています。表面実装向けに設計されており、エネルギー量の分配と消費電力の改善により、過渡エネルギー吸収に優れています。他の Bourns の中電圧 SMD バリスタと比較して、DV シリーズバリスタは非常に低プロファイルです。この過渡電圧サプレッサは、

Bourns 1008 CVH252009シリーズ積層パワーチップインダクタ。BournsのCVH252009チップインダクタは、1008ケースサイズの低プロファイルソリューションです。モノリシック構造により、高信頼性を発揮します。このパワーインダクタは、低放射を実現する磁気シールド付き構造となっています。CVH252009は、DC抵抗の低いインダクタです。製品用途の情報. このパワーチップインダクタは、DC-DCコンバータ用途に推奨されます。使用例には、スマートフォン、タブレット、SSD、HDDS、DVC、DSCなどがあります。