絞り込み
ブランド
- INFINEON
- 渡辺電機工業(180)
- JST(日本圧着端子製造)(3)
- RS PRO(3)
- KEMET(2)
- TE Connectivity Japan(旧:TYCOELECTRONICS(タイコエレクトロニクス))(2)
- カメダデンキ(1)
- フエニックス・コンタクト(1)
- ワイドミュラー(1)
- BROADCOM(1)
- MICROCHIP(1)
- ARCOL(OHMITE)(1)
- SICK(1)
- サンセイ医療器材(1)
- Vega(1)
エコロジープロダクト
RoHS10物質対応(1)
商品レビュー
- 以上(0)
- 以上(0)
- 以上(0)
- 以上(0)
価格
- 1,500-10,000円(1)
価格で絞り込む
出荷目安
- 当日
- 翌日以内
- 翌々日以内
- 3日以内
- 4日以内
当日・翌日以内・翌々日以内・3日以内・4日以内
その他
- 取扱い終了商品を除く
- 個人購入不可商品を除く
Infineon Pチャンネル MOSFET60 V 80 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンINFINEON￥2,598税込￥2,858
1袋(5個)
7日以内出荷
Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS ；sup>；R ；/sup>；小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・ 無鉛めっき、RoHS対応
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 80 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vシリーズ = SIPMOSR実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 23 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2.1V最大パワー消費 = 340 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm高さ = 15.95mmRoHS指令(10物質対応)対応
