制御機器/はんだ・静電気対策用品 ：「micro エレメント」の検索結果

最大順方向電流 = 30A。1チップ当たりのエレメント数 = 2。最大逆電圧 = 200V。パッケージタイプ = TO-247。ピン数 = 3V。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 15.75mm。幅 = 5.15mm。高さ = 20.15mm。寸法 = 15.75 x 5.15 x 20.15mm。整流ダイオード、10 A → 240 A、STMicroelectronics

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = D2PAK。最大連続 順方向電流 = 30A。ピーク逆繰返し電圧 = 400V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ファストリカバリー。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 3。最大順方向降下電圧 = 1.45V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ピーク逆回復時間 = 100ns

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 500 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 300 V。パッケージタイプ = SOT-32。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 2800 mW。最小DC電流ゲイン = 30。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 300 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 3 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。高電圧トランジスタ、STMicroelectronics

ダイオード構成 シングル。最大クランピング電圧 27.2V。最小ブレークダウン電圧 14.3V。実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ DO-15。最大逆スタンドオフ電圧 12.8V。ピン数 2。ピークパルスパワー消費 600W。最大ピークパルス電流 147A。1チップ当たりのエレメント数 1。動作温度 Min -65 ℃。動作温度 Max +175 ℃mm。幅 3.53mm。Transil TVS単方向軸600 W、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 1.5 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 V。パッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 1.6 W。最小DC電流ゲイン = 16。トランジスタ構成 = シングル。最大エミッタ-ベース間電圧 = 12 V。ピン数 = 3 + Tab。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。高電圧トランジスタ、STMicroelectronics

方向性タイプ 単方向。最大クランピング電圧 90V。最小ブレークダウン電圧 43.3V。実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ R 6。最大逆スタンドオフ電圧 39V。ピン数 2。ピークパルスパワー消費 5000W。最大ピークパルス電流 667A。1チップ当たりのエレメント数 1。動作温度 Max +175 ℃mm。テスト電流 1mA。Transil TVS単方向軸5000 W、STMicroelectronics

方向性タイプ 単方向。最大クランピング電圧 265V。最小ブレークダウン電圧 143V。実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ DO-15。最大逆スタンドオフ電圧 128V。ピン数 2。ピークパルスパワー消費 600W。最大ピークパルス電流 15A。1チップ当たりのエレメント数 1。動作温度 Min -65 ℃。動作温度 Max +175 ℃mm。幅 3.53mm。Transil TVS単方向軸600 W、STMicroelectronics

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220AB。最大連続 順方向電流 = 20A。ピーク逆繰返し電圧 = 120V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 930mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキー。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 200A。STMicroelectronics ショットキーバリアダイオード 20 → 25 A

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 8 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 20 W。最小DC電流ゲイン = 40。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。STMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 20 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 50 W。最小DC電流ゲイン = 40。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。STMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 1 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 2 W。最小DC電流ゲイン = 15。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。STMicroelectronics NPNパワートランジスタ

ダイオード構成 シングル。最大クランピング電圧 388V。最小ブレークダウン電圧 209V。実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ DO-201。最大逆スタンドオフ電圧 188V。ピン数 2。ピークパルスパワー消費 1500W。最大ピークパルス電流 26A。1チップ当たりのエレメント数 1。動作温度 Min -65 ℃。寸法 9.5 5.3 5.3mm。テスト電流 1mA。Transil TVSアキシャル単方向1500 W、STMicroelectronics

ダイオード構成 シングル。最大クランピング電圧 32.5V。最小ブレークダウン電圧 17.1V。実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ DO-201。最大逆スタンドオフ電圧 15.3V。ピン数 2。ピークパルスパワー消費 1500W。最大ピークパルス電流 308A。1チップ当たりのエレメント数 1。動作温度 Min -65 ℃。寸法 9.5 5.3 5.3mm。幅 5.3mm。Transil TVSアキシャル単方向1500 W、STMicroelectronics

ダイオード構成 シングル。最大クランピング電圧 27.2V。最小ブレークダウン電圧 14.3V。実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ DO-201。最大逆スタンドオフ電圧 12.8V。ピン数 2。ピークパルスパワー消費 1500W。最大ピークパルス電流 368A。1チップ当たりのエレメント数 1。動作温度 Min -65 ℃。動作温度 Max +175 ℃mm。幅 5.3mm。Transil TVSアキシャル単方向1500 W、STMicroelectronics

ダイオード構成 シングル。最大クランピング電圧 121V。最小ブレークダウン電圧 64.6V。実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ DO-201。最大逆スタンドオフ電圧 58V。ピン数 2。ピークパルスパワー消費 1500W。最大ピークパルス電流 83A。1チップ当たりのエレメント数 1。動作温度 Min -65 ℃。寸法 9.5 5.3 5.3mm。テスト電流 1mA。Transil TVSアキシャル単方向1500 W、STMicroelectronics

ダイオード構成 シングル。最大クランピング電圧 59V。最小ブレークダウン電圧 31.4V。実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ DO-15。最大逆スタンドオフ電圧 28.2V。ピン数 2。ピークパルスパワー消費 600W。最大ピークパルス電流 68A。1チップ当たりのエレメント数 1。動作温度 Min -65 ℃。動作温度 Max +175 ℃mm。幅 3.53mm。Transil TVS双方向軸600 W、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = NPN。最大連続コレクタ電流 = 10 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最小DC電流ゲイン = 750。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V。最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 2.5 V。最大コレクタカットオフ電流 = 0.2mA。幅 = 4.6mm。NPNダーリントントランジスタ、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -3 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -100 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 2 W。最小DC電流ゲイン = 10。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 9.15 x 10.4 x 4.6mm。PNPパワートランジスタ、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 3 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 2 W。最小DC電流ゲイン = 10。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 9.15 x 10.4 x 4.6mm。STMicroelectronics NPNパワートランジスタ

ダイオード構成 シングル。最大クランピング電圧 35V。最小ブレークダウン電圧 16.6V。実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ R 6。最大逆スタンドオフ電圧 15V。ピン数 2。ピークパルスパワー消費 5000W。最大ピークパルス電流 1714A。1チップ当たりのエレメント数 1。動作温度 Min -65 ℃。寸法 9.1 9.1 9.1mm。幅 9.1mm。Transil TVS単方向軸5000 W、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 3 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 2 W。最小DC電流ゲイン = 10。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 9.15 x 10.4 x 4.6mm。STMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 3 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 15 W。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。STMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 500 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 300 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 15 W。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 300 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 3 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。STMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -3 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -80 V。パッケージタイプ = SOT-32。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 1.25 W。最小DC電流ゲイン = 100， 40。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。汎用PNPトランジスタ、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 15 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = TO-247。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 90 W。最小DC電流ゲイン = 20。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V。最大動作周波数 = 3 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。STMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 20 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 50 W。最小DC電流ゲイン = 40。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。STMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -500 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -300 V。パッケージタイプ = SOT-32。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 20.8 W。最小DC電流ゲイン = 30。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 300 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 3 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 10.8 x 7.8 x 2.7mm。高電圧トランジスタ、STMicroelectronics

ダイオード構成 シングル。最大クランピング電圧 706V。最小ブレークダウン電圧 380V。実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ DO-15。最大逆スタンドオフ電圧 342V。ピン数 2。ピークパルスパワー消費 600W。最大ピークパルス電流 5.7A。1チップ当たりのエレメント数 1。動作温度 Min -65 ℃。寸法 6.75 3.53 3.53mm。幅 3.53mm。Transil TVS単方向軸600 W、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 10 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 75 W。最小DC電流ゲイン = 20。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 70 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 2 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。STMicroelectronics NPNパワートランジスタ

方向性タイプ 双方向。最大クランピング電圧 21.7V。最小ブレークダウン電圧 11.4V。実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ DO-15。最大逆スタンドオフ電圧 10.2V。ピン数 2。ピークパルスパワー消費 600W。最大ピークパルス電流 184A。1チップ当たりのエレメント数 1。動作温度 Min -65 ℃。寸法 6.75 3.53 3.53mm。高さ 3.53mm。Transil TVS双方向軸600 W、STMicroelectronics

方向性タイプ 単方向。最大クランピング電圧 13.4V。最小ブレークダウン電圧 6.45V。実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ DO-15。最大逆スタンドオフ電圧 5.8V。ピン数 2。ピークパルスパワー消費 600W。最大ピークパルス電流 298A。1チップ当たりのエレメント数 1。動作温度 Min -65 ℃。動作温度 Max +175 ℃mm。幅 3.53mm。Transil TVS単方向軸600 W、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 1 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 2 W。最小DC電流ゲイン = 30。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 500 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 10 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 9.15 x 10.4 x 4.6mm。高電圧トランジスタ、STMicroelectronics