STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET100 V 80 A スルーホール パッケージTO-220FP 3 ピンSTMicro¥15,980税込¥17,578
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仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 80 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 100 V●シリーズ : STripFET II●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 15 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 45 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -20 V, +20 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●動作温度 Min : -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET120 V 80 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンSTMicro¥11,980税込¥13,178
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チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 80 A最大ドレイン-ソース間電圧 120 Vシリーズ STripFET実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 18 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 2V最大パワー消費 300 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V, +20 V幅 4.6mm動作温度 Min -55 ℃mmNチャンネルSTripFET、STMicroelectronics
STP80NF55-06STMicro7日以内出荷
長さ(mm)10.4幅(mm)4.6高さ(mm)9.15タイプ【パッケージ】TO-220シリーズSTripFETIIピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1チャンネルタイプN材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)80最大ドレイン-ソース間電圧(V)55最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)6.5最大ゲートしきい値電圧(V)4最小ゲートしきい値電圧(V)2最大ゲート-ソース間電圧(V)-20,+20トランジスタ構成シングル標準ゲートチャージ142nC@10V最大パワー消費300W最大動作温度(℃)175最小動作温度(℃)-55
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