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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 55 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 2.25 Vパッケージタイプ = SOT-343実装タイプ = 表面実装ピン数 = 41チップ当たりのエレメント数 = 1 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
4,298 税込4,728
7日以内出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 80 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(3000個)
46,980 税込51,678
7日以内出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 13 Vパッケージタイプ = SOT-343実装タイプ = 表面実装 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
969 税込1,066
7日以内出荷

SiGe RFバイポーラトランジスタ、Infineon. Infineonの超低ノイズワイドバンドNPNバイポーラRFトランジスタ製品です。 このヘテロ接合バイポーラデバイスは、Infineonのシリコンゲルマニウムカーボン(SiGe:C)素材技術を採用しており、特に低電力消費が重要な要件となるモバイル用途に適しています。 代表的な遷移周波数が最大65 GHzのこのデバイスをアンプとして使用すると、最大10 GHzの周波数で高出力ゲインが得られます。 このトランジスタには、ESD及び過度のRF入力電力に対する保護用の内部回路が用意されています。
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 25 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 13 Vパッケージタイプ = SOT-343実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 100 mWトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 13 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 1.2 Vピン数 = 41チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(15個)
619 税込681
7日以内出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 80 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 15 Vパッケージタイプ = TSFP-3-1実装タイプ = 表面実装 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
419 税込461
7日以内出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 35 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装1チップ当たりのエレメント数 = 1 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
559 税込615
7日以内出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 65 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装1チップ当たりのエレメント数 = 1 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(3000個)
38,980 税込42,878
7日以内出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 12 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 15 Vパッケージタイプ = TSFP-4実装タイプ = 表面実装 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
839 税込923
7日以内出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 80 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)実装タイプ = 表面実装 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(3000個)
37,980 税込41,778
7日以内出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 50 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 10 Vパッケージタイプ = TSFP-4-1実装タイプ = 表面実装 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(3000個)
69,980 税込76,978
7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ:P●最大連続ドレイン電流:1.9 A●最大ドレイン-ソース間電圧:60 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:300 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:2V●最低ゲートしきい値電圧:1V●最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V●パッケージタイプ:SOT-223●実装タイプ:表面実装●ピン数:3+Tab●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:小信号●最大パワー消費:1.8 W●シリーズ:SIPMOS●Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS R 小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・ 無鉛めっき、RoHS対応 RoHS指令(10物質対応)対応
1リール(1000個)
64,980 税込71,478
7日以内出荷

1袋(100個)ほか
999 税込1,099
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1袋(50個)ほか
1,698 税込1,868
7日以内出荷
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1袋(20個)ほか
799 税込879
7日以内出荷
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1袋(25個)ほか
459 税込505
7日以内出荷
バリエーション一覧へ (13種類の商品があります)

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