STMicroのトランジスタ

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -3 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -80 Vパッケージタイプ = SOT-32実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1.25 W最小DC電流ゲイン = 100， 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm汎用PNPトランジスタ、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 30 W最小DC電流ゲイン = 15トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 10.4 x 4.6 x 15.75mmSTMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1.5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 1.6 W最小DC電流ゲイン = 16トランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 12 Vピン数 = 3 + Tab1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm高電圧トランジスタ、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 2 W最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 500 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 10 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 9.15 x 10.4 x 4.6mm高電圧トランジスタ、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 8 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 20 W最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mmSTMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 3 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 15 Wトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mmSTMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 20 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 50 W最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mmSTMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -10 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -60 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 75 W最小DC電流ゲイン = 20トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 70 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 2 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mmPNPパワートランジスタ、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -3 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -100 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 2 W最小DC電流ゲイン = 10トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 9.15 x 10.4 x 4.6mmPNPパワートランジスタ、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 250 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 2000 mW最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 350 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 10 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm高電圧トランジスタ、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 10 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 75 W最小DC電流ゲイン = 20トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 70 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 2 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mmSTMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 300 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 15 Wトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 300 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 3 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mmSTMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 300 Vパッケージタイプ = SOT-32実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 2800 mW最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 300 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 3 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm高電圧トランジスタ、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 15 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 90 W最小DC電流ゲイン = 20トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大動作周波数 = 3 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mmSTMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 20 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 50 W最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mmSTMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 3 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 2 W最小DC電流ゲイン = 10トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 9.15 x 10.4 x 4.6mmSTMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -300 Vパッケージタイプ = SOT-32実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 20.8 W最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 300 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 3 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 10.8 x 7.8 x 2.7mm高電圧トランジスタ、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 2 W最小DC電流ゲイン = 15トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mmSTMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 6 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 65 W最小DC電流ゲイン = 15トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mmSTMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 3 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 2 W最小DC電流ゲイン = 10トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 9.15 x 10.4 x 4.6mmSTMicroelectronics NPNパワートランジスタ