光エレクトロニクス製品 ：「EM」の検索結果

検出スペクトル = 赤外線。ピーク感度波長 = 940nm。パッケージタイプ = SMD。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 2。ダイオード材質 = Si。半値幅感度角度 = ± 15 °

検出スペクトル = 赤外線。標準降下時間 = 2.3μs。標準上昇時間 = 2μs。チャンネル数 = 1。最大光電流 = 7000μA。最大暗電流 = 200nA。半値幅感度角度 = 30°。極性 = NPN。ピン数 = 2。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = サブミニチュア。寸法 = 2.5 x 2 x 2.7mm。コレクター電流 = 50mA。感度スペクトルレンジ = 730 → 1000 nmnm。幅 = 2mm。TEMT1000シリーズフォトトランジスタ. Vishay SemiconductorのこのファミリのシリコンNPNフォトトランジスタは、表面実装(SMD)サブミニチュアパッケージ入りです。 黒色のプラスチックパッケージ入りで、ガルウィング(GW)、リバースガルウィング(RGW)、ヨーク、アキシャルなど、様々なリードタイプを用意しています。 この黒色のハウジングは、TEMT1000フォトトランジスタの昼光遮断フィルタとして機能します。 このフォトトランジスタに適した用途には、エンコーダ、カウンタ、フォトインタラプタ、昼光用途の赤外線検出器、及び電気コントロールや駆動回路の検出器としての使用などがあります。. TEMT1000シリーズの特長: TEMT1000、TEMT1020、TEMT1030、TEMT1040 サブミニチュアパッケージ 表面実装(SMD) 黒色プラスチック製ハウジング 各種リードタイプ 高い放射感度 高速な応答時間 半輝度角度: 15 °

検出スペクトル = 可視光。チャンネル数 = 1。最大光電流 = 50μA。最大暗電流 = 50nA。半値幅感度角度 = ±60 °。ピン数 = 3。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = 1206。寸法 = 4 x 2 x 1.05mm。コレクター電流 = 20mA。感度スペクトルレンジ = 440 → 800 nmnm。幅 = 2mm。TEMT6000シリーズ周辺光センサ. Vishay SemiconductorsのTEMT6000シリーズの周辺光センサファミリです。NPNエピタキシャル平面フォトトランジスタと透明なパッケージで構成されています。このコンパクトな表面実装(SMD)パッケージは、標準の1206フットプリントとなっています。TEMT6000は、可視光の影響を受けやすく、人間の眼の応答性に匹敵する製品です。TEMT6000周辺光センサに適した用途には、自動車、携帯電話、ノートブック、カメラ、ダッシュボードなどがあります。. TEMT6000周辺光センサの特長: 1206フットプリント 寸法: 4 x 2 x 1.05 mm 高感光性 ピーク感度: 570 nm 半輝度角度: 60 °

検出スペクトル = 赤外線， 可視光。ピーク感度波長 = 940nm。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 4。ダイオード材質 = Si。最小検出波長 = 430nm。最大検出波長 = 1100nm。標準降下時間 = 100ns。長さ = 5mm。幅 = 4.24mm。高さ = 1.12mm。自動車規格 = AEC-Q101V。TEMD5010シリーズPINフォトダイオード. Vishay SemiconductorsのTEMD5010シリーズのシリコンPINフォトダイオードです。小型表面実装(SMD)パッケージに収容されており、感知面積が7.5 mm2のチップを搭載しています。TEMD5010は、可視光と近赤外線をどちらも検知します。高速光検出器用途に最適です。. TEMD5010フォトダイオードの特長: 表面実装(SMD) 上方監視 寸法: 5 x 4.24 x 1.12 高い放射感度 高感光性 高速な応答時間 半輝度角度: 65°

検出スペクトル = 赤外線。ピーク感度波長 = 940nm。増幅機能 = なし。ピン数 = 4。ダイオード材質 = Si。最小検出波長 = 790nm。最大検出波長 = 1050nm。標準降下時間 = 100ns。長さ = 5mm。幅 = 5mm。高さ = 1.12mm。標準上昇時間 = 100ns。TEMD51x0シリーズPINフォトダイオード. Vishay SemiconductorsのこのファミリのPINフォトダイオードは、表面実装(SMD)上方監視パッケージに収納されています。 高速と高感度を実現し、870 → 950 nmの波長で動作します。 TEMD51x0シリーズに適した用途には、赤外線放射検出器、赤外線リモート制御、データ転送システムなどがあります。. TEMD51x0フォトダイオードの特長: 表面実装(SMD) 上方監視 寸法: 5 x 4.25 x 1.12 各種の放射検出面積 高い放射感度 昼光ブロックフィルタ 高速な応答時間 半輝度角度: 65°

センサータイプ = 周辺光。実装タイプ = SMD。ピン数 = 4。インターフェース = I2C

検出スペクトル = 赤外線， 紫外線， 可視光。ピーク感度波長 = 940nm。増幅機能 = なし。ピン数 = 4。ダイオード材質 = Si。最小検出波長 = 350nm。最大検出波長 = 1100nm。標準降下時間 = 40ns。長さ = 5mm。幅 = 5mm。高さ = 1.12mm。標準上昇時間 = 40ns。TEMD5080シリーズPINフォトダイオード. Vishay SemiconductorsのTEMD5080シリーズは、青色光の感度を高めたPINフォトダイオードファミリです。透明エポキシの小型SMDパッケージに収容されています。このパッケージには、感知面積が7.7 mm2のチップが搭載されています。TEMD5080は、高速光検出器用途に最適です。. TEMD5080フォトダイオードの特長: 表面実装(SMD) 上方監視 寸法: 5 x 4.24 x 1.12 青色光の感度を向上 高速な応答時間

Vishay のシリコン PIN フォトダイオードは、高速かつ高感度の PIN フォトダイオードです。検出面積が 0.42 mm2 の小型表面実装デバイス( SMD )で、Wavelength 830 又は 950 nm で動作する IR エミッタに適合する昼光遮断フィルタを備えています。放射検出面積： 0.42 mm2 動作温度範囲： -40 → +110 ℃

検出スペクトル = 赤外線。ピーク感度波長 = 940nm。パッケージタイプ = QFN。増幅機能 = なし。ピン数 = 4。ダイオード材質 = Si。最小検出波長 = 430nm。標準降下時間 = 100ns。長さ = 5mm。幅 = 4mm。高さ = 0.9mm。標準上昇時間 = 100ns

Vishay のシリコン PIN フォトダイオードは、高速かつ高感度の PIN フォトダイオードです。検出面積が 0.42 mm2 の小型表面実装デバイス( SMD )です。放射検出面積： 0.42 mm2 動作温度範囲： -40 → +110 ℃

検出スペクトル = デイライト。ピーク感度波長 = 940nm。パッケージタイプ = 5 x 4 x 0.9 mm。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 4。ダイオード材質 = Si。半値幅感度角度 = ±65 °

検出スペクトル = 可視光。チャンネル数 = 1。最大光電流 = 39μA。最大暗電流 = 50nA。半値幅感度角度 = 120 °。極性 = NPN。ピン数 = 2。実装タイプ = 表面実装。寸法 = 2 x 1.25 x 0.85mm。コレクター電流 = 20mA。感度スペクトルレンジ = 450 → 610 nmnm。幅 = 1.25mm。TEMT6200シリーズ周辺光センサ. TEMT6200周辺光センサの特長: 0805フットプリント 寸法: 2 x 1.25 x 0.85 mm 高感光性 近赤外線放射用の抑制フィルタ 半輝度角度: 60 °. Vishay SemiconductorのTEMT6200シリーズは周辺光センサのファミリです。 NPNエピタキシャル平面フォトトランジスタと透明なパッケージから構成されています。 TEMT6200は、標準の0805フットプリントの表面実装(SMD)パッケージ入りです。 このデバイスは、人間の目と同様に可視光を感知します。 TEMT6200に適した用途には、車載センサや携帯電話 / ノートブック / タブレット / カメラ / ダッシュボードのディスプレイバックライトコントロールなどがあります。

検出スペクトル = 可視光。ピーク感度波長 = 540nm。パッケージタイプ = 0805。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 2。最小検出波長 = 430nm。最大検出波長 = 610nm。標準降下時間 = 150ns。長さ = 2mm。幅 = 1.25mm。高さ = 0.85mm。自動車規格 = AEC-Q101V。TEMD6200シリーズ周辺光センサ. Vishay SemiconductorsのTEMD6200シリーズの周辺光センサファミリです。コンパクトな0805フットプリントの表面実装(SMD)デバイスです。TEMD6200周辺光センサに適した用途には、車載用センサ、バックライト調光機能、携帯電話、ノートブック、コンピュータなどがあります。. TEMD6200周辺光センサの特長: 0805フットプリント 寸法: 2 x 1.25 x 0.85 mm 放射検出面積: 0.27 mm2 高感光性 人間の眼の応答性 半輝度角度: 60 °

LED色 = 白。パッケージタイプ = 1608 (0603)。実装タイプ = 表面実装。LED数 = 1。順方向電圧 = 3.15 V。光度 = 180 mcd。ピン数 = 2。レンズ形状 = 長方形。色温度 = 7000K。Vishay VLMx1300シリーズLED. Vishay SemiconductorのVLMx1300シリーズは、高輝度0603チップLEDです。 このチップLEDファミリは、設計の柔軟性を考慮したコンパクトな表面実装(SMT)パッケージ設計になっています。 VLMx1300は、小型パッケージでより高い性能を発揮します。 この0603チップLEDは、厳しい環境でも高輝度と高い信頼性を確保する必要のある製品に最適です。 VLMx1300チップLEDに適した用途には、バックライト付きキーパッド、ナビゲーションシステム、携帯電話ディスプレイ、産業用制御システムディスプレイ、小型カラーエフェクト、交通情報ディスプレイなどがあります。. VLMx1300チップLEDの特長: - 薄型チップLEDパッケージ: 1.6 x 0.8 x 0.8 mm - 高輝度 - AllnGaP / InGaN技術 - 広い視野角: 130 °

キャリアー周波数 = 38kHz。最大伝送距離 = 45m。ピーク感度波長 = 950nm。出力電流 = 5mA。ピン数 = 3。実装タイプ = スルーホール実装。寸法 = 5 x 4.8 x 6.95mm。高さ = 6.95mm。長さ = 5mm。最大供給電圧 = 5.5V。最小供給電圧 = 2.5V。動作温度 Max = +85 ℃mm。IRリモコンレシーバ、スルーホールパッケージ、Vishay Semiconductor. Vishay製のIRレシーバは、リモコン及び赤外線通信用途、赤外線コード学習機能 / リピータ、赤外線ライトバリア、赤外線近接センサに使用されます。 赤外線レシーバは、840 → 960 nmの波長範囲で動作します。. 高感度で長い伝送範囲 30 → 56 KHz(最大)キャリア周波数

ピーク波長 = 890nm。パッケージタイプ = 5 mm (T-1 3/4)。放射束 = 50mW。放射強度 = 180mW/sr。実装タイプ = スルーホール実装。指向半値角 = 20°。LED数 = 1。ピン数 = 2。寸法 = 5 x 8.7mm。レンズ形状 = 砲弾型。LED材質 = GaAlAs。Vishay TSHFシリーズ赤外線発光ダイオード. Vishay SemiconductorsのTSHFシリーズはスルーホール赤外線(IR) LEDで、GaAlAsダブルヘテロ(DH)技術を採用しています。無色透明のプラスチック製パッケージに収納されています。最適な用途には、赤外線リモコン、空間データ伝送があります。. ピーク波長: 890 nm 高い信頼性 高出力及び高輝度 低順方向電圧 T-1 3/4 (5 mm)フォームパッケージ スタンドオフリードオプション

検出スペクトル = 赤外線， 可視光。標準降下時間 = 2.3μs。標準上昇時間 = 2μs。チャンネル数 = 1。最大暗電流 = 200nA。半値幅感度角度 = 50 °。極性 = NPN。ピン数 = 2。実装タイプ = スルーホール実装。パッケージタイプ = 3 mm (T-1)。寸法 = 3.4 x 3.4 x 4.5mm。コレクター電流 = 50mA。感度スペクトルレンジ = 450 → 1080 nmnm。幅 = 3.4mm。BPW85シリーズフォトトランジスタ. Vishay Semiconductor BPW85シリーズのシリコンNPNフォトトランジスタファミリです。 これらはクリアレンズ付きの標準3 mm (T-1)プラスチックパッケージで提供されます。 BPW85及びIR フォトトランジスタは、可視光及び赤外線の放射を感知します。 BPW85シリーズには、BPW85、BPW85A、BPW85B、及びBPW85Cが含まれ、電子制御及び駆動回路用途の検出器に最適です。. BPW85フォトトランジスタの特長: 3 mm (T-1)パッケージ スルーホール取り付け 高感光性 高い放射感度 高速な応答時間 半輝度角度: 25 ° 動作温度範囲: -40 → +100 ℃

検出スペクトル = 可視光。ピーク感度波長 = 565nm。パッケージタイプ = TO-5。実装タイプ = スルーホール実装。ピン数 = 2。ダイオード材質 = Si。最小検出波長 = 420nm。最大検出波長 = 675nm。長さ = 9.1mm。幅 = 9.1mm。高さ = 3.1mm。極性 = 順方向。BPW20 / BPW21シリーズフォトダイオード. Vishay Semiconductor製BPW20 / BPW21シリーズのシリコンフォトダイオードは、標準のTO-5パッケージに収納されています。ハーメチックシール構造のパッケージのBPW20 / BPW21は高精度のリニア用途に最適です。BPW20 / BPW21フォトダイオードに適した用途には、カメラ、光度計、カラーアナライザ、露出計の光測定用センサ、その他の一般的な医療 / 産業向けの測定 / 制御などがあります。. BPW20 / BPW21フォトダイオードの特長: フラットガラスレンズの付いたTO-5パッケージ 直径: 8.13 mm 放射検出面積: 7.5 mm2 高感光性 半輝度角度: 50 ° 低暗電流 高直線性

ピーク波長 = 940nm。パッケージタイプ = 3 mm (T-1)。放射束 = 35mW。放射強度 = 80mW/sr。実装タイプ = スルーホール実装。LED数 = 1。ピン数 = 2。寸法 = 3mm。レンズ形状 = 砲弾型。LED材質 = GaAlAs。Vishay TSALシリーズ赤外線発光ダイオード. Vishay SemiconductorsのTSALファミリは、スルーホール赤外線(IR)発光ダイオードで構成されています。 3 mm (T-1)又は5 mm (T-1 3/4)パッケージの製品が用意されています。 この高出力赤外線発光ダイオードにより、高放射強度の高放射出力が得られます。 TSALファミリは、赤外線リモートコントロールユニット、空気伝送システム、煙感知器の赤外線光源、光学式カウンタやカードリーダーの赤外線光源などの用途に適しています。. パッケージタイプ：リード付き パッケージ形式： T-1 寸法( mm 単位)： O 5 Peak Wavelength ： λ p = 940 nm 高信頼性 高放射出力 高放射強度 半輝度の角度：冷間距離 = ± 17 ° 低順方向電圧 高パルス電流動作に適しています Si 光検出器との良好なスペクトルマッチング. 用途. 高出力が要求される赤外線リモコン装置 自由な空気伝達システム 光学カウンタおよびカードリーダー用の赤外線ソース

オプトカプラ、ダーリントントランジスタ出力、Vishay Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = ダーリントン。最大順方向電圧 = 1.7V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 8。パッケージタイプ = DIP。入力電流タイプ = DC。最大入力電流 = 25 mA。絶縁電圧 = 5300 Vrms。論理出力 = あり。最大電流変換率 = 2000%。シリーズ = 6N139。オプトカプラ、ダーリントントランジスタ出力、Vishay Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = トランジスタ。最大順方向電圧 = 1.5V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = PDIP。入力電流タイプ = AC。最大入力電流 = 50 mA。絶縁電圧 = 5300 V ac。最大電流変換率 = 320%。最小電流伝送率 = 100%。シリーズ = SFH。オプトカプラ、AC入力、トランジスタ出力、Vishay Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = トランジスタ。最大順方向電圧 = 1.55V。チャンネル数 = 2。ピン数 = 8。パッケージタイプ = SOIC。入力電流タイプ = DC。最大入力電流 = 30 mA。絶縁電圧 = 4000 V ac。最大電流変換率 = 200%。最小電流伝送率 = 100%。シリーズ = ILD。オプトカプラ、トランジスタ出力、IL、ILD、ILQシリーズ、Vishay Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.65V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 6。パッケージタイプ = PDIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 3μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5300 V ac。最大電流変換率 = 200%。標準降下時間 = 14μs。シリーズ = CNY。オプトカプラ、トランジスタ出力、CNYシリーズ、Vishay Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = トランジスタ。最大順方向電圧 = 1.6V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 6。パッケージタイプ = DIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 3μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5 kVrms。最大電流変換率 = 200%。標準降下時間 = 3.7μs。シリーズ = CNY。オプトカプラ、トランジスタ出力、CNYシリーズ、Vishay Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = トランジスタ。最大順方向電圧 = 1.9V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 8。パッケージタイプ = DIP。入力電流タイプ = DC。最大入力電流 = 25 mA。絶縁電圧 = 5300 Vrms。最大電流変換率 = 35%。シリーズ = 6N136。オプトカプラ、トランジスタ出力、6Nxxシリーズ、Vishay Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.5V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = SSOP。入力電流タイプ = AC。標準上昇時間 = 3μs。最大入力電流 = 50 mA。絶縁電圧 = 3750 Vrms。最大電流変換率 = 600%。標準降下時間 = 3μs。シリーズ = VOS。オプトカプラ、AC入力、トランジスタ出力、Vishay Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = トランジスタ。最大順方向電圧 = 1.55V。チャンネル数 = 2。ピン数 = 8。パッケージタイプ = SOIC。入力電流タイプ = DC。最大入力電流 = 30 mA。絶縁電圧 = 4 kVrms。最大電流変換率 = 125%。最小電流伝送率 = 63%。シリーズ = ILD。オプトカプラ、トランジスタ出力、IL、ILD、ILQシリーズ、Vishay Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = トランジスタ。最大順方向電圧 = 1.65V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = PDIP。入力電流タイプ = AC。標準上昇時間 = 2μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5300 V ac。最大電流変換率 = 320%。標準降下時間 = 2μs。シリーズ = SFH。オプトカプラ、AC入力、トランジスタ出力、Vishay Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.6V。チャンネル数 = 2。ピン数 = 8。パッケージタイプ = SMD。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 0.1μs。最大入力電流 = 25 mA。絶縁電圧 = 5300 Vrms。論理出力 = あり。標準降下時間 = 0.1μs。シリーズ = VO。オプトカプラ、IGBT及びMOSFETドライバ、Vishay Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = トランジスタ。最大順方向電圧 = 1.55V。チャンネル数 = 2。ピン数 = 8。パッケージタイプ = SOIC。入力電流タイプ = DC。最大入力電流 = 30 mA。絶縁電圧 = 4000 V ac。最大電流変換率 = 120%。最小電流伝送率 = 100%。シリーズ = ILD。オプトカプラ、トランジスタ出力、IL、ILD、ILQシリーズ、Vishay Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = トランジスタ。最大順方向電圧 = 1.3V。チャンネル数 = 4。ピン数 = 16。パッケージタイプ = PDIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 2.8μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5.3 kVrms。最大電流変換率 = 125%。最小電流伝送率 = 63%。シリーズ = ILQ。オプトカプラ、トランジスタ出力、IL、ILD、ILQシリーズ、Vishay Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = フォトダイオード。最大順方向電圧 = 1.5V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 8。パッケージタイプ = PDIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 1.75μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5300 V ac。標準降下時間 = 1.75μs。シリーズ = IL300。特殊機能 = リニア動作。UL、E52744、VDE 0884. リニアオプトカプラ、Vishay Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.3V。チャンネル数 = 2。ピン数 = 8。パッケージタイプ = PDIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 2.8μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5.3 kVrms。最大電流変換率 = 125%。標準降下時間 = 14μs。シリーズ = ILD。オプトカプラ、トランジスタ出力、IL、ILD、ILQシリーズ、Vishay Semiconductor