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仕様●メモリサイズ:4Mbit●構成:512 K x 8ビット●インターフェースタイプ:パラレル●データバス幅:8bit●最大ランダムアクセス時間:45ns●実装タイプ:表面実装●パッケージタイプ:TSOP●ピン数:44●寸法:18.51 x 10.26 x 1.04mm●長さ:18.51mm●幅:10.26mm●高さ:1.04mm●動作供給電圧 Max:3.6 V●動作温度 Max:+85 ℃●ワード数:512Kbit●Cypress CY14B104LA / CY14B104NA は、高速スタティック RAM ( SRAM )で、各メモリセルに不揮発性エレメントを備えています。メモリは、 512 K バイトの 8 ビットごとに構成され、 256 K ワードの 16 ビットごとに構成されています。組み込みの不揮発性エレメントには、 QuantumTrap テクノロジーが組み込まれており、信頼性の高い不揮発性メモリを実現します。SRAM は無制限の読み取り / 書き込みサイクルを提供し、独立した不揮発性データは信頼性の高い QuantumTrap セルに格納されます。SRAM から不揮発性エレメント( STORE 操作)へのデータ転送は、電源を切ると自動的に行われます。電源投入時に、不揮発性メモリから SRAM にデータが復元されます( RECALL 動作)。ソフトウェア制御では、 STORE 操作と RECALL 操作の両方を使用できます。 RoHS指令(10物質対応)対応
1個
6,598 税込7,258
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PSoC 3 (8051コア)、Cypress. PSoC 3 (プログラム可能な組み込みシステムオンチップ)ファミリは、設定可能なアナログ / デジタルロジックブロックを備えた8051コアマイクロコントローラデバイスとプログラム可能なインターコネクトで構成されています。 また、フラッシュプログラムメモリ、SRAMデータメモリ、及び設定可能なI/Oも含まれています。
仕様プロセッシングユニット = マイクロコントローラテクノロジー = CMOS実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TQFPピン数 = 100寸法 = 14 x 14 x 1.4mm高さ = 1.4mm長さ = 14mm動作供給電圧 Max = 5.5 V動作温度 Max = +85 ℃動作供給電圧 Min = 1.71 V動作温度 Min = -40 ℃幅 = 14mm RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
2,998 税込3,298
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Cypress PSoC 1 ( M8C コア). PSoC 1 (プログラム可能な組み込みシステムオンチップ)ファミリは、M8C-core マイクロコントローラと設定可能なアナログとデジタル ロジックのブロックとともに、プログラム可能な相互接続を備えています。さらに、フラッシュプログラムメモリ、SRAMデータメモリ、設定可能なI/Oを搭載しています。
仕様プロセッシングユニット = マイクロコントローラテクノロジー = CMOS実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SSOPピン数 = 28寸法 = 10.4 x 5.6 x 1.85mm高さ = 1.85mm長さ = 10.4mm動作供給電圧 Max = 5.25 V動作温度 Max = +85 ℃動作供給電圧 Min = 3 V動作温度 Min = -40 ℃幅 = 5.6mm RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
3,698 税込4,068
7日以内出荷

Cypress PSoC 5LP(ARM Cortex-M3 コア). Cypress Semiconductor PSoC 5LP (Programmable Embedded System-on-Chip) は、メモリおよびマイクロコントローラ(MCU)、デジタルおよびアナログの周辺機器を一つのチップに搭載しています。PSoC 5LPプラットフォームアーキテクチャは、32ビットARM Cortex-M3コアとダイレクトメモリアクセス(DMA)コントローラ、最大80MHzのデジタルフィルタプロセッサを搭載しています。. 柔軟性の高いルーテ ィ ング 幅広い電圧範囲
仕様プロセッシングユニット = マイクロコントローラアプリケーション = 自動車, 静電容量方式, コントローラ, 組み込み, フラッシュ, LCD, LED, USBテクノロジー = CMOS実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TQFPピン数 = 100寸法 = 14 x 14 x 1.4mm高さ = 1.4mm長さ = 14mm動作供給電圧 Max = 5.5 V動作温度 Max = +85 ℃動作供給電圧 Min = 1.71 V動作温度 Min = -40 ℃幅 = 14mm RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(90個)
139,800 税込153,780
5日以内出荷

仕様●メモリサイズ: 1Mbit●構成: 128 k x 8ビット●インターフェースタイプ: SPI●データバス幅: 8bit●最大ランダムアクセス時間: 18ns●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: SOIC●ピン数: 8●寸法: 4.97×3.98×1.48mm●長さ: 4.97mm●幅: 3.98mm●高さ: 1.48mm●動作温度 Max: +85 ℃●動作供給電圧 Min: 2 Vbit●FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(97個)
169,800 税込186,780
7日以内出荷

仕様●メモリサイズ: 4kbit●構成: 512×8ビット●インターフェースタイプ: SPI●データバス幅: 8bit●最大ランダムアクセス時間: 20ns●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: SOIC●ピン数: 8●寸法: 4.97×3.98×1.48mm●長さ: 4.97mm●幅: 3.98mm●高さ: 1.48mm●動作温度 Max: +85 ℃●自動車規格: AEC-Q100bit●FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,298 税込1,428
7日以内出荷

仕様●メモリサイズ: 512kbit●構成: 64 K x 8ビット●インターフェースタイプ: I2C●データバス幅: 8bit●最大ランダムアクセス時間: 450ns●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: SOIC●ピン数: 8●寸法: 4.97×3.98×1.48mm●長さ: 4.97mm●幅: 3.98mm●高さ: 1.48mm●動作温度 Max: +85 ℃●ワード数: 64kbit●FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(97個)
179,800 税込197,780
7日以内出荷

仕様●メモリサイズ: 256kbit●構成: 32 K x 8ビット●インターフェースタイプ: SPI●データバス幅: 8bit●最大ランダムアクセス時間: 20ns●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: SOIC●ピン数: 8●寸法: 4.97×3.98×1.48mm●長さ: 4.97mm●幅: 3.98mm●高さ: 1.48mm●動作温度 Max: +85 ℃●自動車規格: AEC-Q100bit●FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(97個)
97,980 税込107,778
7日以内出荷

仕様●メモリサイズ: 256kbit●構成: 32 K x 8ビット●インターフェースタイプ: I2C●データバス幅: 8bit●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: SOIC●ピン数: 14●寸法: 8.73×3.98×1.48mm●動作供給電圧 Max: 5.5 V●動作温度 Max: +85 ℃●1ワード当たりのビット数: 8bit●F-RAMプロセッサコンパニオン. プロセッサベースのシステムに最も必要とされる機能を集めた集積デバイスです。. シリアル不揮発性FRAMメモリ リアルタイムクロック(RTC) 低電圧リセット ウォッチドッグタイマ 早期電源障害警告 / NMI 16ビットイベントカウンタ x 2 セキュリティのための書き込み禁止シリアル番号 バッテリ駆動に切り替え イベントカウンタトラッキング I2Cインターフェイス RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(56個)
119,800 税込131,780
7日以内出荷

仕様●メモリサイズ: 64kbit●構成: 8 K x 8ビット●インターフェースタイプ: SPI●データバス幅: 8bit●最大ランダムアクセス時間: 20ns●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: DFN●ピン数: 8●寸法: 4×4.5×0.7mm●長さ: 4.5mm●幅: 4mm●高さ: 0.7mm●動作温度 Max: +85 ℃●動作温度 Min: -40 ℃bit●FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
949 税込1,044
7日以内出荷

仕様●メモリサイズ: 64kbit●構成: 8 K x 8ビット●インターフェースタイプ: SPI●データバス幅: 8bit●最大ランダムアクセス時間: 20ns●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: SOIC●ピン数: 8●寸法: 4.97×3.98×1.48mm●長さ: 4.97mm●動作供給電圧 Max: 3.65 Vmm●高さ: 1.48mm●動作温度 Max: +85 ℃●ワード数: 8Kbit●FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
1,398 税込1,538
7日以内出荷

仕様●メモリサイズ: 64kbit●構成: 8 K x 8ビット●インターフェースタイプ: I2C●データバス幅: 8bit●最大ランダムアクセス時間: 550ns●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: SOIC●ピン数: 8●寸法: 4.97×3.98×1.48mm●長さ: 4.97mm●動作供給電圧 Max: 5.5 Vmm●高さ: 1.48mm●動作温度 Max: +85 ℃●ワード数: 8kbit●FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(97個)
47,980 税込52,778
7日以内出荷

仕様●メモリサイズ: 4kbit●構成: 512×8●インターフェースタイプ: シリアル-I2C●データバス幅: 8bit●パッケージタイプ: SOIC●ピン数: 8 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(97個)
26,980 税込29,678
7日以内出荷

仕様●メモリサイズ: 16kbit●構成: 2K x 8●インターフェースタイプ: シリアル-SPI●データバス幅: 8bit●パッケージタイプ: SOIC●ピン数: 8 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(97個)
23,980 税込26,378
7日以内出荷

仕様●メモリサイズ: 64kbit●構成: 8K x 8●インターフェースタイプ: シリアル-I2C●データバス幅: 8bit●パッケージタイプ: SOIC●ピン数: 8 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(81個)
47,980 税込52,778
7日以内出荷

仕様●メモリサイズ: 64kbit●構成: 8 K x 8ビット●インターフェースタイプ: シリアル-2 ワイヤー, シリアル-I2C●データバス幅: 8bit●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: SOIC●ピン数: 14●寸法: 8.73×3.98×1.48mm●長さ: 8.73mm●幅: 3.98mm●高さ: 1.48mm●動作温度 Max: +85 ℃●ワード数: 8Kbit●F-RAMプロセッサコンパニオン. プロセッサベースのシステムに最も必要とされる機能を集めた集積デバイスです。. シリアル不揮発性FRAMメモリ リアルタイムクロック(RTC) 低電圧リセット ウォッチドッグタイマ 早期電源障害警告 / NMI 16ビットイベントカウンタ x 2 セキュリティのための書き込み禁止シリアル番号 バッテリ駆動に切り替え イベントカウンタトラッキング I2Cインターフェイス RoHS指令(10物質対応)対応
1個
1,398 税込1,538
5日以内出荷

仕様●メモリサイズ: 16kbit●構成: 2 K x 8ビット●インターフェースタイプ: シリアル-2 ワイヤー, シリアル-I2C●データバス幅: 8bit●最大ランダムアクセス時間: 3000ns●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: SOIC●ピン数: 8●寸法: 4.97×3.98×1.48mm●長さ: 4.97mm●幅: 3.98mm●高さ: 1.48mm●動作温度 Max: +85 ℃●ワード数: 2Kbit●FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,098 税込1,208
7日以内出荷

仕様●メモリサイズ: 16kbit●構成: 2 K x 8ビット●インターフェースタイプ: シリアル-2 ワイヤー, シリアル-I2C●データバス幅: 8bit●最大ランダムアクセス時間: 3000ns●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: DFN●ピン数: 8●寸法: 4×4.5×0.7mm●長さ: 4.5mm●幅: 4mm●高さ: 0.7mm●動作温度 Max: +85 ℃●ワード数: 2Kbit●FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
2,198 税込2,418
7日以内出荷

仕様●メモリサイズ: 64kbit●構成: 8 K x 8ビット●インターフェースタイプ: シリアル-2 ワイヤー, シリアル-I2C●データバス幅: 8bit●最大ランダムアクセス時間: 550ns●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: SOIC●ピン数: 8●寸法: 4.97×3.98×1.48mm●長さ: 4.97mm●動作供給電圧 Max: 3.65 Vmm●高さ: 1.48mm●動作温度 Max: +85 ℃●自動車規格: AEC-Q100bit●FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
699 税込769
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