受動部品その他関連用品 (139) 光エレクトロニクス製品 (4) カテゴリ: 受動部品ブランド: MICROCHIPすべて解除
マイクロチップ, シリアルEEPROM 16kbit シリアル-I2C AEC-Q100 MICROCHIP 7日以内出荷
仕様 ●メモリサイズ:16kbit●インターフェースタイプ:シリアル-I2C(TM)パッケージタイプ:PDIP●実装タイプ:スルーホール●ピン数:8●構成:2 x 8ビット●動作供給電圧 Min:2.5 V●動作供給電圧 Max:5.5 V●プログラミング電圧:2.5 5.5V●1ワード当たりのビット数:8bit●寸法:9.4 6.35 3.3mm●データ保持:200年●24AA16 24LC16B I2C(TM)シリアルEEPROM RoHS指令(10物質対応) 対応
マイクロチップ, シリアルEEPROM 512kB シリアル-SPI AEC-Q100 MICROCHIP ¥ 37,980税込 ¥ 41,778
1セット(100個)
7日以内出荷
仕様 ●メモリサイズ:512kB●インターフェースタイプ:シリアル-SPI●パッケージタイプ:SOIC●実装タイプ:表面実装●ピン数:8●構成:65536 x 8ビット●動作供給電圧 Min:2.5 V●動作供給電圧 Max:5.5 V●プログラミング電圧:2.5 → 5.5V●1ワード当たりのビット数:8bit●寸法:4.9 x 3.9 x 1.5mm●データ保持:200年●25AA512/25LC512 SPIシリアルEEPROM. Microchipの25AA512/25LC512ファミリのデバイスは、32 KビットSPIシリアルEEPROMです。さまざまなパッケージ、温度、電源タイプを用意しています。 一般に、フラッシュベース製品に関連するページ、セクタ、チップ消去機能を搭載しています。 シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)はクロック入力(SCK)、データ入力(SI)、データ出力(SO)信号が必要な場合に利用します。 このデバイスの動作はホールドピン(HOLD)から一時停止できます。これにより、チップセレクト(CS)ピンから定義されている優先度の高い割り込みを除く入力が無視されます。. 特長. 最大クロック速度: 20 MHz バイト及びページレベルの書き込み操作(最大5 ms): ページ又はセクタ消去が不要 128バイトページ 最大書き込み電流: 5 mA @ 5.5 V、20 MHz 読み取り電流: 10 mA @ 5.5 V、20 MHz スタンバイ電流: 1 μA @ 2.5 V (ディープパワーダウン) デバイスID用の電子署名 セルフ時限の消去及び書き込みサイクル: ページ消去(5 ms、標準)、セクタ消去(10 ms/セクタ、標準)、バルク消去(10 ms、標準) セクタ書き込み保護(16 Kバイト/セクタ): 保護なし、1/41/2、全アレイ 内蔵書込み保護: 電源オン / オフ時データ保護回路、書き込み有効ラッチ、書き込み保護ピン 耐久性: 100万回の消去 / 書き込み データ保持: >200年間 ESD保護: >4000 V RoHS指令(10物質対応) 対応
マイクロチップ, シリアルEEPROM 4kbit シリアル-I2C AEC-Q100 MICROCHIP ¥ 22,980税込 ¥ 25,278
1セット(500個)
5日以内出荷
仕様 ●メモリサイズ:4kbit●インターフェースタイプ:シリアル-I2C●パッケージタイプ:SOT-23●実装タイプ:表面実装●ピン数:5●構成:2ブロック x 256 x 8ビット●動作供給電圧 Min:2.5 V●動作供給電圧 Max:5.5 V●プログラミング電圧:2.5 → 5.5V●1ワード当たりのビット数:8bit●寸法:3.1 x 1.8 x 1.3mm●動作温度 Max: +85 ℃●24AA04 / 24LC04B I2C シリアルEEPROM. Microchipの24AA04 / 24LC04Bデバイスファミリは、さまざまなパッケージ、温度、及び電源のタイプを取り揃えた4 KビットI2C シリアルEEPROMです。. 特長. シングル電源(24AA04デバイスは最低1.7 V、24LC04Bデバイスは最低2.5 Vで動作) 低消費電力CMOSテクノロジー: 読み取り電流1 mA (標準)、スタンバイ電流1 μA (標準) 2線シリアルインターフェイス、I2C 互換 シュミットトリガ入力でノイズを抑制 出力スロープ制御でグランドバウンスを除去 100 kHz及び400 kHzのクロック互換性 ページの書き込み時間: 3 ms (標準) セルフ時限の消去 / 書き込みサイクル 16バイトのページ書き込みバッファ ハードウェア書き込み保護 ESD保護 > 4000 V 100万回を超える消去 / 書き込みサイクル データ保持: >200年間 RoHS指令(10物質対応) 対応
マイクロチップ, シリアルEEPROM 1kbit シリアル-2ワイヤー MICROCHIP 7日以内出荷
仕様 ●メモリサイズ:1kbit●インターフェースタイプ:シリアル-2ワイヤー●パッケージタイプ:DFN 、 MSOP 、 PDIP 、 SOIC 、 TDFN 、 TSSOP●実装タイプ:スルーホール●ピン数:8●構成:128 x 8ビット●動作供給電圧 Min:4.5 V●動作供給電圧 Max:5.5 V●プログラミング電圧:4.5 → 5.5V●1ワード当たりのビット数:8bit●寸法:9.27 x 6.35 x 3.3mm●データ保持:200年 RoHS指令(10物質対応) 対応
マイクロチップ, シリアルEEPROM 2kbit シリアル MICROCHIP 7日以内出荷
仕様 ●メモリサイズ:2kbit●インターフェースタイプ:シリアル●パッケージタイプ:SOIC●実装タイプ:表面実装●ピン数:8●構成:128 x 16ビット●動作供給電圧 Min:2.5 V●動作供給電圧 Max:5.5 V●プログラミング電圧:2.5 to 5.5V●1ワード当たりのビット数:16bit●寸法:4.9 x 3.9 x 1.25mm●ワード数:128ns RoHS指令(10物質対応) 対応
マイクロチップ, シリアルEEPROM 4kbit シリアル-SPI MICROCHIP ¥ 11,980税込 ¥ 13,178
1セット(100個)
7日以内出荷
仕様 ●メモリサイズ:4kbit●インターフェースタイプ:シリアル-SPI●パッケージタイプ:PDIP 、 SOIC 、 TSSOP●実装タイプ:スルーホール●ピン数:8●構成:512 x 8ビット●動作供給電圧 Min:2.5 V●動作供給電圧 Max:5.5 V●プログラミング電圧:2.5 → 5.5V●1ワード当たりのビット数:8bit●寸法:4.9 x 3.9 x 1.5mm●データ保持:200年 RoHS指令(10物質対応) 対応
マイクロチップ, シリアルEEPROM 16kbit シリアル-マイクロワイヤー MICROCHIP 7日以内出荷
仕様 ●メモリサイズ:16kbit●インターフェースタイプ:シリアル-マイクロワイヤー●パッケージタイプ:SOIC●実装タイプ:表面実装●ピン数:8●構成:1 K x 16ビット、2 K x 8ビット●動作供給電圧 Min:2.5 V●動作供給電圧 Max:5.5 V●プログラミング電圧:2.5 → 5.5V●1ワード当たりのビット数:8/16bit●寸法:4.9 x 3.9 x 1.25mm●データ保持:200年●93AA86A / B / C, 93C86A / B / C、93LC86A / B / C MicrowireシリアルEEPROM RoHS指令(10物質対応) 対応
マイクロチップ, シリアルEEPROM 4kbit シリアル-SPI AEC-Q100 MICROCHIP 7日以内出荷
仕様 ●メモリサイズ:4kbit●インターフェースタイプ:シリアル-SPI●パッケージタイプ:SOIC●実装タイプ:表面実装●ピン数:8●構成:512 x 8ビット●動作供給電圧 Min:2.5 V●動作供給電圧 Max:5.5 V●プログラミング電圧:2.5 → 5.5V●1ワード当たりのビット数:8bit●寸法:4.9 x 3.9 x 1.25mm●データ保持:200年●25AA040A / 25LC040A SPIシリアルEEPROM RoHS指令(10物質対応) 対応
マイクロチップ, シリアルEEPROM 128kbit シリアル-SPI AEC-Q100 MICROCHIP 5日以内出荷
仕様 ●メモリサイズ:128kbit●インターフェースタイプ:シリアル-SPI●パッケージタイプ:SOIC●実装タイプ:表面実装●ピン数:8●構成:16 K x 8ビット●動作供給電圧 Min:2.5 V●動作供給電圧 Max:5.5 V●プログラミング電圧:2.5 → 5.5V●1ワード当たりのビット数:8bit●寸法:4.9 x 3.9 x 1.25mm●データ保持:200年●25AA128 / 25LC128 SPIシリアルEEPROM RoHS指令(10物質対応) 対応
マイクロチップ, フラッシュメモリ 1Mbit SPI, 8-Pin, SST25VF010A-33-4I-SAE MICROCHIP ¥ 9,998税込 ¥ 10,998
1セット(100個)
7日以内出荷
仕様 ●メモリサイズ : 1Mbit●インターフェースタイプ : SPI●パッケージタイプ : SOIC●ピン数 : 8●構成 : 128 K x 8ビット●実装タイプ : 表面実装●セルタイプ : スプリットゲート●動作供給電圧 Min : 2.7 V●動作供給電圧 Max : 3.6 V●ブロック構成 : 対称●長さ : 5mm●高さ : 1.5mm●幅 : 4mm●寸法 : 4 x 5 x 1.5mm●シリーズ : SST25bit●SST25VF010AシリアルSPI SuperFlashRメモリ RoHS指令(10物質対応) 対応
マイクロチップ, フラッシュメモリ 2MB パラレル, 32-Pin, SST39SF020A-70-4C-PHE MICROCHIP 7日以内出荷
仕様 ●メモリサイズ 2MB●インターフェースタイプ パラレル●パッケージタイプ PDIP●ピン数 32●構成 256 x 8ビット●実装タイプ スルーホール●セルタイプ スプリットゲート●動作供給電圧 Min 4.5 V●動作供給電圧 Max 5.5 V●ブロック構成 対称●長さ 42.04mm●高さ 3.81mm●幅 13.97mm●寸法 42.04 13.97 3.81mm●シリーズ SST39ns●SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは●パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。. 特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作 耐久性 100000回(標準) 低消費電力 アクティブ電流10 mA●スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ 読み取りアクセス時間: 55 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間 14 μs(標準) チップ書換え時間 SST39SF010A 2秒●SST39SF020A 4秒●SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ 自動書き込み時間 内部VPP生成 End-of-Write検出 トグルビット データ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格 フラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセット RoHS指令(10物質対応) 対応
マイクロチップ, フラッシュメモリ 4MB パラレル, 32-Pin, SST39SF040-70-4I-NHE MICROCHIP 7日以内出荷
仕様 ●メモリサイズ 4MB●インターフェースタイプ パラレル●パッケージタイプ PLCC●ピン数 32●構成 512 x 8ビット●実装タイプ 表面実装●セルタイプ スプリットゲート●動作供給電圧 Min 4.5 V●動作供給電圧 Max 5.5 V●ブロック構成 対称●長さ 14.05mm●高さ 2.84mm●幅 11.51mm●寸法 14.05 11.51 2.84mm●1ワード当たりのビット数 8bit●SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは●パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。. 特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作 耐久性 100000回(標準) 低消費電力 アクティブ電流10 mA●スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ 読み取りアクセス時間: 55 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間 14 μs(標準) チップ書換え時間 SST39SF010A 2秒●SST39SF020A 4秒●SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ 自動書き込み時間 内部VPP生成 End-of-Write検出 トグルビット データ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格 フラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセット RoHS指令(10物質対応) 対応
マイクロチップ, フラッシュメモリ 8Mbit パラレル, 48-Pin, SST39VF800A-70-4C-EKE MICROCHIP 7日以内出荷
仕様 ●メモリサイズ : 8Mbit●インターフェースタイプ : パラレル●パッケージタイプ : TSOP●ピン数 : 48●構成 : 512 K x 16ビット●実装タイプ : 表面実装●セルタイプ : スプリットゲート●動作供給電圧 Min : 2.7 V●動作供給電圧 Max : 3.6 V●ブロック構成 : 対称●長さ : 12.2mm●高さ : 1.05mm●幅 : 18.5mm●寸法 : 18.5 x 12.2 x 1.05mm●最大ランダムアクセス時間 : 70ns●SST39VF200A/400A/800AパラレルSuperFlashRメモリ RoHS指令(10物質対応) 対応
マイクロチップ, EEPROM 64kbit シリアル-2 ワイヤー, シリアル-I2C AEC-Q100 MICROCHIP 7日以内出荷
仕様 ●メモリサイズ : 64kbit●インターフェースタイプ : シリアル-2 ワイヤー, シリアル-I2C●パッケージタイプ : DFN●実装タイプ : 表面実装●ピン数 : 8●構成 : 8 K x 8ビット●動作供給電圧 Min : 2.5 V●動作供給電圧 Max : 5.5 V●プログラミング電圧 : 2.5 → 5.5V●1ワード当たりのビット数 : 8bit●寸法 : 2.05 x 3.05 x 0.48mm●データ保持 : 200年●Microchip 24LC64T シリーズは●電圧 1.7 V で動作可能な● 512 K ビットシリアル EEPROM で●最大スタンバイ電流はわずか 1 μ A です。8個までのデバイスをカスケード接続可能 シュミットトリガ入力によるノイズ抑制 出力スロープ制御でグランドバウンスを除去 工場プログラミング可 鉛フリー● RoHS 適合 RoHS指令(10物質対応) 対応
マイクロチップ, EEPROM 512kbit シリアル-2 ワイヤー, シリアル-I2C MICROCHIP ¥ 27,980税込 ¥ 30,778
1セット(90個)
7日以内出荷
仕様 ●メモリサイズ : 512kbit●インターフェースタイプ : シリアル-2 ワイヤー, シリアル-I2C●パッケージタイプ : SOIJ-8●実装タイプ : 表面実装●ピン数 : 8●構成 : 64 K x 8ビット●動作供給電圧 Min : 2.5 V●動作供給電圧 Max : 5.5 V●プログラミング電圧 : 2.5 → 5.5V●1ワード当たりのビット数 : 8bit●寸法 : 5.21 x 5.28 x 1.88mm●動作温度 Max : +125 ℃ns●Microchip 24LC512 シリーズは● 1.7 → 5.5 V の幅広い電圧範囲で動作可能な 512 K ビットシリアル EEPROM です。パーソナル通信やデータ取得など先進の低電力用途向けに開発されました。8個までのデバイスをカスケード接続可能 シュミットトリガ入力によるノイズ抑制 出力スロープ制御でグランドバウンスを除去 工場プログラミング可 鉛フリー● RoHS 適合 RoHS指令(10物質対応) 対応
マイクロチップ, EEPROM 128kB I2C AEC-Q100 MICROCHIP 7日以内出荷
仕様 ●メモリサイズ : 128kB●インターフェースタイプ : I2C●パッケージタイプ : SOP●実装タイプ : 表面実装●ピン数 : 8●構成 : 16 K x 8ビット●動作供給電圧 Min : 2.5 V●動作供給電圧 Max : 5.5 V●プログラミング電圧 : 2.5 → 5.5V●1ワード当たりのビット数 : 8bit●寸法 : 3 x 3 x 0.95mm●データ保持 : 200年 RoHS指令(10物質対応) 対応
マイクロチップ, EEPROM 1024kbit シリアル-I2C MICROCHIP ¥ 37,980税込 ¥ 41,778
1セット(60個)
7日以内出荷
仕様 ●メモリサイズ 1024kbit●インターフェースタイプ シリアル-I2C(TM)パッケージタイプ PDIP●実装タイプ スルーホール●ピン数 8●構成 128 8ビット●動作供給電圧 Min 2.5 V●動作供給電圧 Max 5.5 V●プログラミング電圧 2.5 5.5V●1ワード当たりのビット数 8bit●寸法 0.4 0.28 0.195インチ●動作温度 Max +85 ℃ns●24AA1026 24FC1026 24LC1026 I2C(TM)シリアルEEPROM RoHS指令(10物質対応) 対応
マイクロチップ, フラッシュメモリ 1MB パラレル, 32-Pin, SST39SF010A-70-4I-NHE MICROCHIP 7日以内出荷
仕様 ●メモリサイズ 1MB●インターフェースタイプ パラレル●パッケージタイプ PLCC●ピン数 32●構成 128 x 8ビット●実装タイプ 表面実装●セルタイプ スプリットゲート●動作供給電圧 Min 4.5 V●動作供給電圧 Max 5.5 V●ブロック構成 対称●長さ 14.05mm●高さ 2.84mm●幅 11.51mm●寸法 14.05 11.51 2.84mm●シリーズ SST39bit●SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは●パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。. 特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作 耐久性 100000回(標準) 低消費電力 アクティブ電流10 mA●スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ 読み取りアクセス時間: 55 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間 14 μs(標準) チップ書換え時間 SST39SF010A 2秒●SST39SF020A 4秒●SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ 自動書き込み時間 内部VPP生成 End-of-Write検出 トグルビット データ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格 フラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセット RoHS指令(10物質対応) 対応
マイクロチップ, フラッシュメモリ 32Mbit SPI, 8-Pin, SST26VF032B-104I/SM MICROCHIP ¥ 29,980税込 ¥ 32,978
1セット(90個)
7日以内出荷
仕様 ●メモリサイズ 32Mbit●インターフェースタイプ SPI●パッケージタイプ SOIJ●ピン数 8●構成 4 x 8ビット●実装タイプ 表面実装●セルタイプ スプリットゲート●動作供給電圧 Min 2.7 V●動作供給電圧 Max 3.6 V●ブロック構成 対称●長さ 5.26mm●高さ 1.98mm●幅 5.25mm●寸法 5.26 5.25 1.98mm●シリーズ SST26bit●SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは●シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで●6線式●4ビットI/Oインターフェイスを備えており●ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力●高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば●最高で104 MHzの性能を発揮し●最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは●従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは●SuperFlashR技術を使用することで●他のフラッシュメモリ代替品に比べると●非常に優れた消去時間を発揮します。 通常●セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し●完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。. 特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ ニブル単位の多重化I/O●SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 x2 x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 最大104 MHz バーストモード 低消費電力 アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)●スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 セクタ ブロック消去: 18 ms(代表値)●チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護 RoHS指令(10物質対応) 対応
マイクロチップ, EEPROM 256kbit シリアル-2 ワイヤー, シリアル-I2C AEC-Q100 MICROCHIP ¥ 549,800税込 ¥ 604,780
1セット(3300個)
7日以内出荷
仕様 ●メモリサイズ 256kbit●インターフェースタイプ シリアル-2 ワイヤー, シリアル-I2C(TM)パッケージタイプ SOIC●実装タイプ 表面実装●ピン数 8●構成 32 x 8ビット●動作供給電圧 Min 2.5 V●動作供給電圧 Max 5.5 V●プログラミング電圧 2.5 5.5V●1ワード当たりのビット数 8bit●寸法 4.9 3.9 1.5mm●ワード数 32K年●24AA256/24FC256 24LC256 I2C(TM)シリアルEEPROM RoHS指令(10物質対応) 対応
マイクロチップ, EEPROM 1Mbit SPI MICROCHIP ¥ 56,980税込 ¥ 62,678
1セット(90個)
7日以内出荷
仕様 ●メモリサイズ : 1Mbit●インターフェースタイプ : SPI●パッケージタイプ : SOIJ●実装タイプ : 表面実装●ピン数 : 8●構成 : 128 x 8ビット●動作供給電圧 Min : 2.5 V●動作供給電圧 Max : 5.5 V●プログラミング電圧 : 2.5 → 5.5V●1ワード当たりのビット数 : 8bit●寸法 : 5.26 x 5.25 x 1.98mm●最大ランダムアクセス時間 : 50ns●25AA1024 / 25LC1024 SPIシリアルEEPROM RoHS指令(10物質対応) 対応
マイクロチップ, フラッシュメモリ 4Mbit パラレル, 32-Pin, SST39SF040-70-4C-NHE MICROCHIP 7日以内出荷
仕様 ●メモリサイズ 4Mbit●インターフェースタイプ パラレル●パッケージタイプ PLCC●ピン数 32●構成 512 x 8ビット●実装タイプ 表面実装●セルタイプ スプリットゲート●動作供給電圧 Min 4.5 V●動作供給電圧 Max 5.5 V●ブロック構成 対称●長さ 14.05mm●高さ 2.84mm●幅 11.51mm●寸法 11.51 14.05 2.84mm●最大ランダムアクセス時間 70ns●SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは●パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。. 特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作 耐久性 100000回(標準) 低消費電力 アクティブ電流10 mA●スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ 読み取りアクセス時間: 55 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間 14 μs(標準) チップ書換え時間 SST39SF010A 2秒●SST39SF020A 4秒●SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ 自動書き込み時間 内部VPP生成 End-of-Write検出 トグルビット データ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格 フラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセット RoHS指令(10物質対応) 対応
マイクロチップ, EEPROM 64kB シリアル-I2C AEC-Q100 MICROCHIP ¥ 229,800税込 ¥ 252,780
1セット(3000個)
7日以内出荷
仕様 ●メモリサイズ 64kB●インターフェースタイプ シリアル-I2C(TM)パッケージタイプ SOT-23●実装タイプ 表面実装●ピン数 5●構成 8 x 8ビット●動作供給電圧 Min 1.7 V●動作供給電圧 Max 5.5 V●プログラミング電圧 1.7 5.5V●1ワード当たりのビット数 8bit●寸法 3.1 1.8 1.3mm●データ保持 200年●24AA64/24FC64/24LC64 I2C(TM)シリアルEEPROM. Microchipの24AA64/24FC64/24LC64ファミリのデバイスは●64 KビットI2C(TM)シリアルEEPROMです。各種のパッケージ●温度●電源のバージョンが揃っています。. 特長. 単独の電源で1.7 (24AA64/24FC64デバイス)●2.5 (24LC64デバイス)で動作 低消費電力CMOSテクノロジー: 読み取り電流: mA (最大)●スタンバイ電流1 μA (最大) 2線シリアルインターフェイス●I2C(TM)互換 3本のアドレスピンのパッケージは最大8台のデバイスにカスケード可能 シュミットトリガ入力でノイズを抑制 出力スロープ制御でグランドバウンスを除去 100 kHz及び400 kHzのクロック互換性 24FC64モデル用の1 MHzクロック ページの書き込み時間: ms (最大) セルフ時限の消去 書き込みサイクル 32バイトのページ書き込みバッファ ハードウェア書き込み保護 ESD保護 4000 100万回を超える消去 書き込みサイクル データ保持: >200年間 RoHS指令(10物質対応) 対応
マイクロチップ, EEPROM 64kbit シリアル-SPI AEC-Q100 MICROCHIP ¥ 12,980税込 ¥ 14,278
1セット(100個)
7日以内出荷
仕様 ●メモリサイズ : 64kbit●インターフェースタイプ : シリアル-SPI●パッケージタイプ : TSSOP●実装タイプ : 表面実装●ピン数 : 8●構成 : 8192 x 8ビット●動作供給電圧 Min : 2.5 V●動作供給電圧 Max : 5.5 V●プログラミング電圧 : 2.5 → 5.5V●1ワード当たりのビット数 : 8bit●寸法 : 4.5 x 3.1 x 1.05mm●動作温度 Max : +125 ℃ns●25AA640A / 25LC640A SPIシリアルEEPROM RoHS指令(10物質対応) 対応
マイクロチップ, EEPROM 1kbit シリアル-I2C AEC-Q100 MICROCHIP 7日以内出荷
仕様 ●メモリサイズ 1kbit●インターフェースタイプ シリアル-I2C(TM)パッケージタイプ SOT-23●実装タイプ 表面実装●ピン数 5●構成 128 8ビット●動作供給電圧 Min 2.5 V●動作供給電圧 Max 5.5 V●プログラミング電圧 2.5 5.5V●1ワード当たりのビット数 8bit●寸法 3.1 1.8 1.3mm●ワード数 128年●24AA01 24LC01B I2C(TM)シリアルEEPROM RoHS指令(10物質対応) 対応
マイクロチップ, フラッシュメモリ 1Mbit パラレル, 32-Pin, SST39VF010-70-4I-WHE MICROCHIP 7日以内出荷
仕様 ●メモリサイズ : 1Mbit●インターフェースタイプ : パラレル●パッケージタイプ : TSOP●ピン数 : 32●構成 : 128 K x 8●実装タイプ : 表面実装●セルタイプ : スプリットゲート●動作供給電圧 Min : 2.7 V●動作供給電圧 Max : 3.6 V●ブロック構成 : 対称●長さ : 8.1mm●高さ : 1.05mm●幅 : 12.5mm●寸法 : 12.5 x 8.1 x 1.05mm●動作温度 Max : +85 ℃ns RoHS指令(10物質対応) 対応
マイクロチップ, デジタルポテンショメータ 5kΩ, 257ポジション, SPI, 8ピン PDIP 0.4 x 0.28 x 0.195インチ MICROCHIP 7日以内出荷
仕様 ●コントロールインターフェイス : シリアル-SPI●抵抗値 : 5kΩ●ポジション数 : 257●テーパータイプ : リニア●メモリタイプ : 不揮発性●1パッケージ当たりのポット数 : 2●実装タイプ : スルーホール●パッケージタイプ : PDIP●ピン数 : 8●電源タイプ : 単一電源●標準シングル供給電圧 : 1.8 → 5.5 V●寸法 : 0.4 x 0.28 x 0.195インチ●高さ : 4.95mm●動作温度 Max : +125 ℃mm●MCP414x/416x/424x/426xデジタルポテンショメータ. Microchip MCP413x●MCP415x●MCP423x及びMCP425xシリーズのデバイスは●SPIインターフェイスとEEPROMメモリを備えたデジタルポテンショメータです。 採用しているWiperLockテクノロジーによって●ワイパー構成をロックすることができます。 ロック解除するには●通常動作時に設定を保護する高電圧コマンドが必要です(>8.5 V)。 7ビット(129ステップ)及び8ビット(257ステップ)のタイプには●5 → 100 kΩの多様なR AB 抵抗オプションが用意されています。 さらに●可変抵抗器とポテンショメータのピン配置も用意しており●シングル / デュアル抵抗器ネットワークのオプションも用意しています。. 特長. ゼロスケール-フルスケールのワイパー動作 低ワイパー抵抗: 75 Ω (標準) 低い温度係数: アブソリュート(可変抵抗器) 50 ppm●レシオメトリック(ポテンショメータ) 15 ppm (標準) 保存されたワイパー設定の自動呼び出し WiperLockテクノロジー SPIシリアルインターフェイス 抵抗ネットワーク端子切断機能 ブラウンアウトリセット保護: 1.5 V (標準) シリアルインターフェイス非動作時電流: 2.5 uA (標準) 高電圧許容デジタル入力: 最大12.5 V レールスプリット用途に対応 すべてのデジタル入力に対する内部プルアップ抵抗が弱い 幅広い動作電圧: 1.8 → 5.5 V 広帯域幅(-3 dB)の動作: 5.0 kΩデバイスの場合は2 MHz (標準). モデルによって異なる. ポテンショメータワイパーの構成: MCP4141●MCP4161●MCP4241●MCP4261 可変抵抗器ワイパーの構成: MCP4142●MCP4162●MCP4242●MCP4262 シングル抵抗ネットワーク: MCP4141●MCP4142●MCP4161●MCP4162 デュアル抵抗ネットワーク: MCP4241●MCP4242●MCP4261●MCP4262 7ビット●128抵抗器(129ステップ): MCP4141●MCP4142●MCP4241●MCP4142 8ビット●256抵抗器(257ステップ): MCP4161●MCP4162●MCP4261●MCP4162 RoHS指令(10物質対応) 対応
マイクロチップ, フラッシュメモリ 1MB パラレル, 32-Pin, SST39SF010A-70-4C-NHE MICROCHIP 7日以内出荷
仕様 ●メモリサイズ 1MB●インターフェースタイプ パラレル●パッケージタイプ PLCC●ピン数 32●構成 128 x 8ビット●実装タイプ 表面実装●セルタイプ スプリットゲート●動作供給電圧 Min 4.5 V●動作供給電圧 Max 5.5 V●ブロック構成 対称●長さ 14.05mm●高さ 2.84mm●幅 11.51mm●寸法 14.05 11.51 2.84mm●ワード数 128Kbit●SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは●パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。. 特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作 耐久性 100000回(標準) 低消費電力 アクティブ電流10 mA●スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ 読み取りアクセス時間: 55 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間 14 μs(標準) チップ書換え時間 SST39SF010A 2秒●SST39SF020A 4秒●SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ 自動書き込み時間 内部VPP生成 End-of-Write検出 トグルビット データ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格 フラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセット RoHS指令(10物質対応) 対応
マイクロチップ, EEPROM 32kbit シリアル-I2C MICROCHIP 7日以内出荷
仕様 ●メモリサイズ : 32kbit●インターフェースタイプ : シリアル-I2C●パッケージタイプ : SOT-23●実装タイプ : 表面実装●ピン数 : 5●構成 : 4 k x 8ビット●動作供給電圧 Min : 2.5 V●動作供給電圧 Max : 5.5 V●プログラミング電圧 : 2.5 → 5.5V●1ワード当たりのビット数 : 8bit●寸法 : 3.1 x 1.8 x 1.3mm●データ保持 : >200年 RoHS指令(10物質対応) 対応
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