受動部品 :「抵抗 1ω」の検索結果

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仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 5 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 650 V●パッケージタイプ : IPAK (TO-251)●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 1 Ω●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 5V●最低ゲートしきい値電圧 : 4V●最大パワー消費 : 96 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : ±30 V●幅 : 2.4mm●高さ : 6.2mm RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,698 税込1,868
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1セット(50個)
8,198 税込9,018
5日以内出荷
バリエーション一覧へ (3種類の商品があります)

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 4 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 60 V●シリーズ : STripFET(TM)実装タイプ : 表面実装●ピン数 : 8●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 55 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 2.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 1V●最大パワー消費 : 2 W●トランジスタ構成 : 絶縁型●最大ゲート-ソース間電圧 : -15 V, +15 V●幅 : 4mm●動作温度 Min : -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM)デュアルMOSFET、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(2500個)
339,800 税込373,780
5日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 75 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 75 V●シリーズ : STripFET II●実装タイプ : 表面実装●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 11 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 2.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 1V●最大パワー消費 : 300 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -15 V, +15 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●動作温度 Min : -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(1000個)
269,800 税込296,780
5日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 7.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 60 V●パッケージタイプ : SO-8●実装タイプ : 表面実装●ピン数 : 8●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 21 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最低ゲートしきい値電圧 : 1V●最大パワー消費 : 2.5 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : ±16 V●動作温度 Max : +150 ℃mm●順方向ダイオード電圧 : 1.2V RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
2,898 税込3,188
5日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 9 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 400 V●シリーズ : MDmesh, SuperMESH●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 550 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大パワー消費 : 30 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●高さ : 16.4mm●NチャンネルMDmesh(TM) SuperMESH(TM)、250 V → 650 V、STMicroelectronics
1セット(50個)
12,980 税込14,278
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仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 4 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 60 V●シリーズ : STripFET●実装タイプ : 表面実装●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 100 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 2.8V●最低ゲートしきい値電圧 : 1V●最大パワー消費 : 3.3 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -16 V, +16 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●動作温度 Min : -55 ℃mm●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(4000個)
279,800 税込307,780
5日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 40 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 100 V●シリーズ : STripFET●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 33 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 2.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 1V●最大パワー消費 : 150 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -17 V, +17 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●高さ : 9.15mm●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
10,980 税込12,078
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1個ほか
469 税込516
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