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STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET400 V 9 A スルーホール パッケージTO-220FP 3 ピンSTMicro￥9,698税込￥10,668
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 9 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 400 V●シリーズ ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 550 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大パワー消費 ： 30 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●高さ ： 16.4mm●NチャンネルMDmesh(TM) SuperMESH(TM)、250 V → 650 V、STMicroelectronics
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 60 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンSTMicro￥9,498税込￥10,448
1セット(50個)
7日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 35 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンSTMicro￥1,498税込￥1,648
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 35 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 60 V●シリーズ ： STripFET●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 28 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 2.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 1V●最大パワー消費 ： 70 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●標準ゲートチャージ @ Vgs ： 23 nC @ 5 Vmm●動作温度 Min ： -55 ℃●NチャンネルSTripFET、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 4 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピンSTMicro￥289,800税込￥318,780
1セット(2500個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 4 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 60 V●シリーズ ： STripFET(TM)実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 8●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 55 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 2.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 1V●最大パワー消費 ： 2 W●トランジスタ構成 ： 絶縁型●最大ゲート-ソース間電圧 ： -15 V， +15 V●幅 ： 4mm●動作温度 Min ： -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM)デュアルMOSFET、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET650 V 5 A スルーホール パッケージIPAK (TO-251) 3 ピンSTMicro￥1,398税込￥1,538
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 5 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 650 V●パッケージタイプ ： IPAK (TO-251)●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 1 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 4V●最大パワー消費 ： 96 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： ±30 V●幅 ： 2.4mm●高さ ： 6.2mmRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET100 V 40 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンSTMicro￥12,980税込￥14,278
1セット(50個)
翌々日出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 40 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 100 V●シリーズ ： STripFET●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 33 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 2.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 1V●最大パワー消費 ： 150 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -17 V， +17 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●高さ ： 9.15mm●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 30 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンSTMicro￥6,898税込￥7,588
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 30 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 60 V●パッケージタイプ ： TO-220●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 40 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 2.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 1V●最大パワー消費 ： 70 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -18 V， +18 V●動作温度 Max ： +175 ℃mm●動作温度 Min ： -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 4 A 表面実装 パッケージSOT-223 3 ピンSTMicro￥239,800税込￥263,780
1セット(4000個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 4 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 60 V●シリーズ ： STripFET●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 100 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 2.8V●最低ゲートしきい値電圧 ： 1V●最大パワー消費 ： 3.3 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -16 V， +16 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 7.5 A 表面実装 パッケージSO-8 8 ピンSTMicro￥2,698税込￥2,968
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 7.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 60 V●パッケージタイプ ： SO-8●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 8●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 21 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最低ゲートしきい値電圧 ： 1V●最大パワー消費 ： 2.5 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： ±16 V●動作温度 Max ： +150 ℃mm●順方向ダイオード電圧 ： 1.2VRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET75 V 75 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピンSTMicro￥279,800税込￥307,780
1セット(1000個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 75 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 75 V●シリーズ ： STripFET II●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 11 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 2.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 1V●最大パワー消費 ： 300 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -15 V， +15 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応
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