受動部品 ：「抵抗 3Ω」の検索結果
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仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 62 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 33 V●シリーズ ： STripFET●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 15 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 110 W●トランジスタ構成 ： シングル●幅 ： 4.6mm●高さ ： 15.75mm●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
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￥12,980
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仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 75 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 75 V●シリーズ ： STripFET II●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 11 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 2.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 1V●最大パワー消費 ： 300 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -15 V， +15 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
RoHS指令(10物質対応)対応
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￥269,800
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仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 80 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 75 V●シリーズ ： STripFET II●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 11 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 300 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●トランジスタ素材 ： Simm●高さ ： 9.15mm●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
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仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 50 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 60 V●シリーズ ： STripFET(TM)II●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 18 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 30 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
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RoHS指令(10物質対応)対応
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 120 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 40 V●シリーズ ： STripFET II●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 5 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 300 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●標準ゲートチャージ @ Vgs ： 110 nC @ 10 Vmm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
RoHS指令(10物質対応)対応
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仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 80 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 100 V●シリーズ ： STripFET II●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 15 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 45 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
RoHS指令(10物質対応)対応
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仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 50 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 60 V●シリーズ ： STripFET(TM)II●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 18 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 110 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
RoHS指令(10物質対応)対応
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仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 120 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 75 V●パッケージタイプ ： TO-220●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 8 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 310 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
RoHS指令(10物質対応)対応
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￥19,980
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仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 50 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 60 V●シリーズ ： STripFET II●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 18 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 110 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM)II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
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仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 120 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 100 V●パッケージタイプ ： TO-220●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 10.5 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 312 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●幅 ： 4.6mm●高さ ： 9.15mm●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
RoHS指令(10物質対応)対応
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仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 9 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 400 V●シリーズ ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 550 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大パワー消費 ： 30 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●高さ ： 16.4mm●NチャンネルMDmesh(TM) SuperMESH(TM)、250 V → 650 V、STMicroelectronics
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仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 2.1 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 900 V●シリーズ ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 6.5 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 70 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●標準ゲートチャージ @ Vgs ： 19.5 nC @ 10 Vmm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 V
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仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 2.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 800 V●シリーズ ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 4.5 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 70 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●標準ゲートチャージ @ Vgs ： 19 nC @ 10 Vmm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 V
RoHS指令(10物質対応)対応
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仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 14 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 500 V●パッケージタイプ ： TO-220FP●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 380 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 35 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●動作温度 Max ： +150 ℃mm●高さ ： 9.3mm●NチャンネルMDmesh(TM) SuperMESH(TM)、250 V → 650 V、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
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仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 7 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 600 V●シリーズ ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 950 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 125 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●幅 ： 4.6mm●高さ ： 9.15mm●NチャンネルMDmesh(TM) SuperMESH(TM)、250 V → 650 V、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
￥11,980
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仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 5 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 650 V●パッケージタイプ ： IPAK (TO-251)●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 1 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 4V●最大パワー消費 ： 96 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： ±30 V●幅 ： 2.4mm●高さ ： 6.2mm
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税込￥1,868
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仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 3.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 1000 V●パッケージタイプ ： TO-220●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 3.7 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 125 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●高さ ： 9.15mm●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 V
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RoHS指令(10物質対応)対応
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 7.2 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 500 V●シリーズ ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 850 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 110 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃●NチャンネルMDmesh(TM) SuperMESH(TM)、250 V → 650 V、STMicroelectronics
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仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 2.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 800 V●シリーズ ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 4.5 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 70 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●標準ゲートチャージ @ Vgs ： 19 nC @ 10 Vmm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 V
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仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 35 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 100 V●シリーズ ： STripFET●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 45 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 115 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●動作温度 Max ： +175 ℃●高さ ： 9.15mm●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
￥8,598
税込￥9,458
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仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 21 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 500 V●シリーズ ： MDmesh●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 158 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 150 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -25 V， +25 V●幅 ： 4.6mm●高さ ： 15.75mm●NチャンネルMDmesh(TM)、500 V、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
￥31,980
税込￥35,178
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仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 600 mA●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 450 V●シリーズ ： MDmesh K3， SuperMESH3●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 3.8 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 2 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●幅 ： 3.7mm●高さ ： 1.8mm●NチャンネルMDmesh(TM) K3シリーズ、SuperMESH3(TM)、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(4000個)
￥199,800
税込￥219,780
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仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 5.2 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 800 V●シリーズ ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 1.8 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 125 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 V
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
￥16,980
税込￥18,678
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仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 4 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 600 V●シリーズ ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 2 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 25 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●標準ゲートチャージ @ Vgs ： 18.8 nC @ 10 Vmm●高さ ： 9.3mm●NチャンネルMDmesh(TM) SuperMESH(TM)、250 V → 650 V、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
￥7,998
税込￥8,798
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仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 5.8 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 900 V●パッケージタイプ ： TO-220●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 2 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 140 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●高さ ： 9.15mm●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 V
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
￥14,980
税込￥16,478
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仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 5.2 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 800 V●シリーズ ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 1.8 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 30 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●標準ゲートチャージ @ Vgs ： 40 nC @ 10 Vmm●動作温度 Min ： -55 ℃●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 V
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
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税込￥1,318
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仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 3.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 1000 V●パッケージタイプ ： TO-220FP●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 3.7 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 30 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●動作温度 Max ： +150 ℃mm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 V
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1セット(50個)
￥16,980
税込￥18,678
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仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 3 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 800 V●シリーズ ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 3.5 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 80 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●標準ゲートチャージ @ Vgs ： 22.5 nC @ 10 Vmm●動作温度 Min ： -55 ℃●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 V
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1袋(5個)
￥1,698
税込￥1,868
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仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 5.8 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 900 V●シリーズ ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 2 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 30 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 V
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
￥11,980
税込￥13,178
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仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 6.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 1000 V●シリーズ ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 1.85 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 160 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●幅 ： 4.6mm●動作温度 Min ： -55 ℃●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 V
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
￥1,698
税込￥1,868
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仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 3.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 1000 V●パッケージタイプ ： TO-247●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 3.7 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 125 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●幅 ： 5.15mm●高さ ： 20.15mm●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 V
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(30個)
￥14,980
税込￥16,478
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仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 6.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 600 V●シリーズ ： MDmesh●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 745 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 25 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -25 V， +25 V●標準ゲートチャージ @ Vgs ： 17.4 nC @ 10 Vmm●高さ ： 16.4mm●NチャンネルMDmesh(TM)、600 V / 650 V、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥2,398
税込￥2,638
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仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 39 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 600 V●シリーズ ： MDmesh●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 70 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 255 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -25 V， +25 V●標準ゲートチャージ @ Vgs ： 124 nC @ 10 Vmm●高さ ： 20.15mm●NチャンネルMDmesh(TM)、600 V / 650 V、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(30個)
￥22,980
税込￥25,278
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仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 4 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 60 V●シリーズ ： STripFET●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 100 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 2.8V●最低ゲートしきい値電圧 ： 1V●最大パワー消費 ： 3.3 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -16 V， +16 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(4000個)
￥279,800
税込￥307,780
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仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 7 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 600 V●パッケージタイプ ： TO-220FP●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 950 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 30 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●幅 ： 4.6mm●高さ ： 16.4mm●NチャンネルMDmesh(TM) SuperMESH(TM)、250 V → 650 V、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
￥14,980
税込￥16,478
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 9 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 400 V●シリーズ ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 550 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 110 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●幅 ： 4.6mm●高さ ： 9.15mm●NチャンネルMDmesh(TM) SuperMESH(TM)、250 V → 650 V、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
￥11,980
税込￥13,178
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 9.2 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 900 V●シリーズ ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 980 m Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 200 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●幅 ： 5.15mm●高さ ： 20.15mm●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 V
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(30個)
￥22,980
税込￥25,278
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 14 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 500 V●シリーズ ： MDmesh●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 250 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 110W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -25 V， +25 V●動作温度 Max ： +150 ℃mm●高さ ： 15.75mm●NチャンネルMDmesh(TM)、500 V、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
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