受動部品 ：「抵抗 1.5」の検索結果

Wurth Elektronik WE-MK 積層セラミック SMT インダクタは、インダクタンスが 1.5 nH です。高周波回路、Bluetooth、及びワイヤレス LAN で使用されます。インダクタンスは温度に対して非常に安定しています。Coil の積層セラミック構造 すべてのインダクタは極性マーク付きです 自己共振周波数が高いのが特長です 誘導許容差： 5 % ± 0.3 nH 動作温度範

Wurth Elektronik WE-MK 積層セラミック SMT インダクタは、インダクタンスが 1 nH です。高周波回路、Bluetooth、及びワイヤレス LAN で使用されます。インダクタンスは温度に対して非常に安定しています。Coil の積層セラミック構造 すべてのインダクタは極性マーク付きです 自己共振周波数が高いのが特長です 誘導許容差： 5 % ± 0.3 nH 動作温度範囲

Wurth Elektronik WE-MK 積層セラミック SMT インダクタは、インダクタンスが 1 nH です。高周波回路、Bluetooth、及びワイヤレス LAN で使用されます。インダクタンスは温度に対して非常に安定しています。Coil の積層セラミック構造 すべてのインダクタは極性マーク付きです 自己共振周波数が高いのが特長です 誘導許容差： 5 % ± 0.3 nH 動作温度範囲

機械的安定性を保証する THT バージョン インダクタンス範囲は 1.5 μ H ～ 65 μ H です 最大 75 A (飽和> 125 A )の電流能力 非常に低い DCR 低鉄損(MnZn) 磁気シールド付き 動作温度： -40 ℃ ～ +125 ℃ 用途 高効率 DC/DC コンバータ用ストレージ・インダクタ 高電流電源 バッテリ充電器 太陽光インバータ

WurthElektronikWE-MAPIシリーズシールドパワーインダクタ。WurthElektronikのWE-MAPIインダクタは、世界最小の合金パワーインダクタに数えられており、革新的な設計と構造を特長としています。磁性鉄合金製で、高い定格電流を実現しています。鉛フリー設計で、平坦度に優れており、はんだ点や溶接点がないことによる高い信頼性が実現されています。最適化された巻線構造により、寄生容量とAC損失が低く抑えられています。過渡電流スパイクに対応できるなど、高い電流処理能力を備えています。保護コーティングにより、信頼性が高く、堅牢です。鉛フレームフリー設計コアの性能を最大限に引き出して高電流に対応高透磁率のコア材質温度安定でソフトに飽和低漏洩フラックス低騒音。製品用途の情報。WE-MAPIインダクタはサイズがコンパクトで、昨今のほとんどの機器での使用に最適です。推奨用途には、小型で高効率の電源や多相DC-DCコンバータなどがあります。他にも、FPGA、マイクロコントローラ、プロセッサなどに適しています。

Wurth Elektronik WE-MAPIシリーズシールドパワーインダクタ。Wurth ElektronikのWE-MAPIインダクタは、世界最小の合金パワーインダクタに数えられており、革新的な設計と構造を特長としています。 磁性鉄合金製で、高い定格電流を実現しています。 鉛フリー設計で、平坦度に優れており、はんだ点や溶接点がないことによる高い信頼性が実現されています。

Wurth Elektronik の SMD エア Coil インダクタは、自己共振周波数が 1.1 → 12.5 GHz で、インダクタンスが最大 120 nH です。DC 抵抗の最大値は 17.3mO です

Wurth Elektronik の SMD 超高電流成形インダクタは、最大 22 μ H のインダクタンスを備えた、21.5 → 58 A の飽和電流を実現します。最大 DC 抵抗は 13.3 mO です定格電流： 8 → 17 A

機械的安定性を保証する THT バージョン インダクタンス範囲は 1.5 μ H ～ 65 μ H です 最大 75 A (飽和> 125 A )の電流能力 非常に低い DCR 低鉄損(MnZn) 磁気シールド付き 動作温度： -40 ℃ ～ +125 ℃ 用途 高効率 DC/DC コンバータ用ストレージ・インダクタ 高電流電源 バッテリ充電器 太陽光インバータ

機械的安定性を保証するTHTバージョンインダクタンス範囲は1.5μH～65μHです最大75A(飽和>125A)の電流能力非常に低いDCR低鉄損(MnZn)磁気シールド付き動作温度：-40℃～+125℃用途高効率DC/DCコンバータ用ストレージ・インダクタ高電流電源バッテリ充電器太陽光インバータ

機械的安定性を保証する THT バージョン インダクタンス範囲は 1.5 μ H ～ 65 μ H です 最大 75 A (飽和> 125 A )の電流能力 非常に低い DCR 低鉄損(MnZn) 磁気シールド付き 動作温度： -40 ℃ ～ +125 ℃ 用途 高効率 DC/DC コンバータ用ストレージ・インダクタ 高電流電源 バッテリ充電器 太陽光インバータ

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機械的安定性を保証する THT バージョン インダクタンス範囲は 1.5 μ H ～ 65 μ H です 最大 75 A (飽和> 125 A )の電流能力 非常に低い DCR 低鉄損(MnZn) 磁気シールド付き 動作温度： -40 ℃ ～ +125 ℃ 用途 高効率 DC/DC コンバータ用ストレージ・インダクタ 高電流電源 バッテリ充電器 太陽光インバータ

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Wurth Elektronik WE-MK 積層セラミック SMT インダクタは、インダクタンスが 1 nH です。高周波回路、Bluetooth、及びワイヤレス LAN で使用されます。インダクタンスは温度に対して非常に安定しています。Coil の積層セラミック構造 すべてのインダクタは極性マーク付きです 自己共振周波数が高いのが特長です 誘導許容差： 5 % ± 0.3 nH 動作温度範囲

非常に高い透磁率のナノ結晶コア材質 プラスチックケース及び巻線スペーサによる絶縁性の向上 最大 150 ℃ の高い安定したインダクタンス値 高定格電流 ブロードバンド抑制 小型 周波数範囲： 1 kHz ～ 300 MHz 動作温度範囲: -40℃ → +125℃ 用途 パワーエレクトロニクス 電力ラインの入出力フィルタ モータでの電波干渉抑制 コモンモードノイズの抑制

Wurth 0603 WE-MKシリーズ積層セラミックインダクタ. Wurth WE-MKシリーズ0603積層セラミックインダクタは、チューナ、トランスポンダ、HFアンプなどの高周波回路での使用に最適です。その他の用途には、ポケベル、発振器、ラップトップ、PCMCIAカード、Bluetooth、ワイヤレスLAN及びフィルタ回路などがあります。これらのインダクタは、幅広い温度にわたり安定したインダクタンス、5 % ±0.3 NHのインダクタンス許容差、高い自己共振周波数を備えています。巻線がセラミック基板に印刷されています。このシリーズの積層インダクタには、リフローはんだ付け又はウェーブはんだ付けが推奨されます。

Wurth 1008 WE-KIシリーズ巻線型インダクタ. Wurth WE-KIシリーズ1008 SMD巻線型セラミックインダクタは、高周波用途向けに設計されています。 このシリーズは、最大12.5 GHzという考えられる最高の自己共振周波数を実現し、優れたQファクタと高い熱安定性を発揮します。 このセラミックインダクタに適した用途には、ワイヤレスLAN、Bluethooth、RFトランシーバ / 通信などがあります。 このシリーズ製品には、リフローはんだ付けが推奨されます。

超低 RDC と RAC フェライトに基づく最大の飽和電流です 最大 10 MHz のスイッチング周波数に適しています 温度依存パラメータは Redexpert で用意されています 動作温度範囲： -40 → +125 ℃ / +150 ℃ タイプ - WE-PD ：市場の他のメーカーと比較して、常に低損失材料、厳格な許容差、高い飽和動作を持つ WE-PD Robust ：プラスチックベースにより機械