受動部品：「LSM」の検索結果

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onsemi Nチャンネル MOSFET50 V 14 A 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンonsemi

￥139税込￥153

1個

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：14 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：25 nC @ 5 V、40 nC @ 10 V高さ(mm)2.39ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。パッケージDPAK (TO-252)実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)48000チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)50最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)100最大ゲート-ソース間電圧(V)-10 ， +10トランジスタ構成シングル

onsemi Nチャンネル MOSFET50 V 14 A 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンonsemi

￥999税込￥1,099

1箱(10個)

5日以内出荷

仕様強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。ピン数(ピン)3動作温度(℃)-55 (Min)RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1チャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)14最大ドレイン-ソース間電圧(V)50最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)100最小ゲートしきい値電圧(V)1最大ゲート-ソース間電圧(V)-10、 +10トランジスタ構成シングル最大パワー消費48 W

onsemi Nチャンネル MOSFET50 V 16 A 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンonsemi

￥899税込￥989

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：16 AシリーズMegaFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性MegaFET MOSFET、Fairchild Semiconductor. LSI集積回路に近づく特性サイズを採用したMegaFETプロセスでは、シリコンの利用率を最適化しているので、優れた性能を発揮します。パッケージDPAK (TO-252)実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1チャンネルタイプN最大パワー消費(W)60チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)50最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)47最大ゲート-ソース間電圧(V)-10 ， +10トランジスタ構成シングル