onsemiの受動部品

onsemi トランジスタ， NPN，スルーホール， 200 mA， 2N3904BUonsemi

￥1,298税込￥1,428

1箱(50個)

当日出荷

仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 Vピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)40最大パワー消費(mW)625最大エミッタ-ベース間電圧(V)6最大コレクタ-ベース間電圧(V)60トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)200トランジスタタイプNPN最大動作周波数(MHz)100

onsemi TVSダイオード，双方向，スルーホール， 21.2V， P6KE15CAonsemi

￥339税込￥373

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様ダイオード構成：シングル寸法(mm)7.62×3.56×3.56ピン数(ピン)2特性TVSダイオード双方向軸600 W、P6KEシリーズ、Fairchild SemiconductorパッケージDO-15実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大逆スタンドオフ電圧(V)12.8最大クランピング電圧(V)21.2最小ブレークダウン電圧(V)14.3ピークパルスパワー消費(W)600最大ピークパルス電流(A)28最大逆漏れ電流(μA)5最小動作温度(℃)-65

onsemi フォトカプラ，スルーホール実装チャンネル数：1，トライアック出力， MOC3023VMonsemi

￥739税込￥813

1袋(10個)

5日以内出荷

実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = フォトトライアック最大順方向電圧 = 1.5Vチャンネル数 = 1ピン数 = 6パッケージタイプ = DIP入力電流タイプ = AC最大入力電流 = 60 mA絶縁電圧 = 5300 Vrms論理出力 = ありシリーズ = MOCオプトカプラ、サイリスタ / トライアック出力、Fairchild Semiconductor

RoHS指令(10物質対応)対応

onsemi トランジスタ， NPN，スルーホール， 12 A， FJP13009H2TUonsemi

￥1,898税込￥2,088

1箱(5個)

3日以内出荷

仕様Fairchild Semiconductor 高電圧 NPN トランジスタ寸法(mm)9.9×4.5×9.2ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応パッケージTO-220実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)400最大パワー消費(W)100最大エミッタ-ベース間電圧(V)9最大コレクタ-ベース間電圧(V)700トランジスタ構成シングルトランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン8， 15

onsemi スイッチングダイオード表面実装， 300mA， 75V，シングル，エレメント数 1 SOD-323， 2-Pin 1Vonsemi

￥819税込￥901

1箱(100個)

翌々日出荷から5日以内出荷

仕様小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor長さ(mm)1.8幅(mm)1.35高さ(mm)1寸法1.8 x 1.35 x 1mmダイオード(テクノロジー)シリコンジャンクション動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(V)1最大順方向電流(mA)300最大ダイオードキャパシタンス(pF)4最大逆電圧(V)75

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onsemi ツェナーダイオード 18V スルーホール 1 Wonsemi

￥769税込￥846

1箱(100個)

翌々日出荷

仕様ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor寸法2.72 (Dia.) x 5.2mmピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Min)-65RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1最大パワー消費(W)1テスト電流(mA)14最大逆漏れ電流(μA)5ツェナータイプ汎用ツェナー電圧許容性(%)5最大ツェナーインピーダンス(Ω)20

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onsemi 小信号整流ダイオード， 300mA， 100V スルーホール， 2-Pin DO-35 シリコンジャンクション 1Vonsemi

￥329税込￥362

1箱(50個)

5日以内出荷

仕様小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor直径(Φmm)1.53ピン数(ピン)2ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル整流方式小信号RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(V)1ピーク逆繰返し電圧(V)100ピーク逆回復時間(ns)4最大連続順方向電流(mA)300

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onsemi シフトレジスタ 74HCシリーズ 8ステージシフトレジスター単方向， 16-Pin SOIC 1 74onsemi

￥349税込￥384

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●ロジックタイプ：シフトレジスター●動作/操作モード：シリアル，パラレル●論理回路：74HC寸法(mm)10×4×1.5ピン数(ピン)16RoHS指令(10物質対応)対応特性74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOSパッケージSOIC実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Max)6、(Min) 2エレメント数1ステージ数8最大動作温度(℃)85

onsemi トランジスタ， NPN，スルーホール， 100 mA， BC547BTAonsemi

￥599税込￥659

1箱(25個)

6日以内出荷

仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 Vピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)45最大パワー消費(mW)500最大エミッタ-ベース間電圧(V)6最大コレクタ-ベース間電圧(V)50トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)100トランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン200， 420最大動作周波数(MHz)300

onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 500 mA スルーホールパッケージTO-92 3 ピンonsemi

￥379税込￥417

1箱(10個)

翌々日出荷

仕様強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。ピン数(ピン)3動作温度(℃)-55 (Min)RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1チャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(mA)500最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)5最大ゲートしきい値電圧(V)3最小ゲートしきい値電圧(V)0.8最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20トランジスタ構成シングル最大パワー消費830 mW

onsemi トランジスタ， NPN，スルーホール， 1.5 A， SS8050DTAonsemi

￥369税込￥406

1箱(10個)

5日以内出荷から6日以内出荷

仕様小信号NPNトランジスタ、最大30 V、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)25最大エミッタ-ベース間電圧(V)6最大コレクタ-ベース間電圧(V)40トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(A)1.5トランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン120， 160最大パワー消費1 W

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onsemi 電圧レギュレータリニア電圧 5 V， 3-Pin， MC7805ABTGonsemi

￥499税込￥549

1袋(5個)

翌々日出荷

仕様●レギュレータタイプ：リニア電圧A●出力電圧： 5 V●ラインレギュレーション： 10 mV●ロードレギュレーション： 25 mV%●極性：正●パッケージタイプ： TO-220mA●ピン数： 3●出力タイプ：固定●寸法： 10.28 x 4.82 x 30.02mm●動作温度 Min ： -40 ℃mm●長さ： 10.28mm●ON Semiconductor 5V MC7805リニア電圧レギュレータ. ON Semiconductor優れた5Vリニア電圧レギュレータは●MC7805ファミリに属しています。これらの製品は●ローカル●オンカード調整など●幅広い用途向けの固定電圧レギュレータとして設計されたモノリシック統合回路です。正電圧7805電圧レギュレータは外付け部品を必要とせず●内部の熱過負荷保護と電流制限●さらに安全領域補償を内蔵しています。RoHS指令(10物質対応)対応

onsemi NPN ダーリントントランジスタ， 60 V， 8 A， 3-Pin TO-220onsemi

￥659税込￥725

1袋(10個)

7日以内出荷

仕様●トランジスタタイプ： NPN●最大連続コレクタ電流： 8 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧： 60 V●最大エミッタ-ベース間電圧： 5 V●パッケージタイプ： TO-220●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●トランジスタ構成：シングル●1チップ当たりのエレメント数： 1●最小DC電流ゲイン： 1000●最大コレクタ-ベース間電圧： 60 V●最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧： 4 V●最大コレクタカットオフ電流： 0.5mA●動作温度 Max ： +150 ℃mm●先頭にS又はNSVの付いたメーカー型番は●AEC-Q101規格に準拠した自動車用製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタRoHS指令(10物質対応)対応

onsemi 電圧レギュレータリニア電圧 5 V， 3-Pin， MC7805BDTGonsemi

￥349税込￥384

1袋(2個)

翌々日出荷

仕様●出力電流 Max ： 2.2A●出力数： 1●ラインレギュレーション： 100 mV●ロードレギュレーション： 100 mV%●実装タイプ：表面実装●静止電流： 3.2mA●ピン数： 3●出力タイプ：固定●寸法： 6.73 x 6.22 x 2.38mm●動作温度 Min ： -40 ℃mm●長さ： 6.73mm●ON Semiconductor 5V MC7805リニア電圧レギュレータ. ON Semiconductor優れた5Vリニア電圧レギュレータは●MC7805ファミリに属しています。これらの製品は●ローカル●オンカード調整など●幅広い用途向けの固定電圧レギュレータとして設計されたモノリシック統合回路です。正電圧7805電圧レギュレータは外付け部品を必要とせず●内部の熱過負荷保護と電流制限●さらに安全領域補償を内蔵しています。RoHS指令(10物質対応)対応

onsemi オペアンプ，表面実装， 2回路，デュアル電源， MC33178DR2Gonsemi

￥359税込￥395

1袋(5個)

7日以内出荷

仕様●実装タイプ：表面実装●パッケージタイプ： SOIC●電源タイプ：デュアル電源●回路数： 2●ピン数： 8●標準ゲイン帯域幅積： 5MHz●標準デュアル供給電圧： ±2 → ±18V●標準スルーレート： 2V/μs●最大動作周波数： 100 kHz●動作温度 Min ： -40 ℃●標準電圧ゲイン： 106 dB●高さ： 1.5mm●MC33178●MC33179●低消費電力●低ノイズオペアンプ●ON Semiconductor. ON SemiconductorのMC33178/9シリーズのオペアンプは●バイポーラテクノロジーを使用する高品質のオーディオとデータ信号処理用途向けの製品です。高周波数PNP入力トランジスタを使用して●低入力オフセット電圧●低ノイズ●及び低歪みを実現しています。また●アンプ1つあたりわずか420 μAのドレイン電流で高出力電流駆動能力を発揮します。デュアルバージョンとクワッドバージョンがあり●DIP及びSOICパッケージで提供されます。. 600 W出力駆動能力大出力電圧スイング低オフセット電圧: 0.15 mV (平均) 低全高調波歪み: 0.0024 % (@ 1 kHz●600 W負荷) 高ゲイン帯域幅: 5 MHz 高スルーレート: 2 V/μs デュアル電源動作: ±2 → ±18 V 入力にESDクランプ付きRoHS指令(10物質対応)対応

onsemi Nチャンネル MOSFET30 V 2.4 A 表面実装パッケージSOT-23 3 ピンonsemi

￥2,298税込￥2,528

1袋(100個)

7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 2.4 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 30 V●パッケージタイプ： SOT-23●実装タイプ：表面実装●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 110 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 1.4V●最低ゲートしきい値電圧： 0.6V●最大パワー消費： 480 mW●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： ±12 V●動作温度 Max ： +150 ℃mm●高さ： 1.01mm●NチャンネルパワーMOSFET●30 V●ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

onsemi 回復整流器整流ダイオード， 3A， 400V スルーホール， 2-Pin DO-41 シリコンジャンクション 1Vonsemi

￥2,198税込￥2,418

1袋(100個)

翌々日出荷

仕様●実装タイプ：スルーホール●パッケージタイプ： DO-41●最大連続順方向電流： 3A●ピーク逆繰返し電圧： 400V●ダイオード構成：シングル●整流タイプ：回復整流器●ダイオードタイプ：整流器●ピン数： 2●最大順方向降下電圧： 1V●1チップ当たりのエレメント数： 1●ダイオードテクノロジー：シリコンジャンクション●直径： 5.3mm●ピーク非繰返し順方向サージ電流： 200A●メーカー品番の先頭はNSVまたはSURの製品は●AEC-Q101自動車規格に適合しています。. ON Semiconductor 整流ダイオード 2 → 3 ARoHS指令(10物質対応)対応

onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 500 mA スルーホールパッケージTO-92 3 ピンonsemi

￥379税込￥417

1袋(10個)

翌々日出荷

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 500 mA●最大ドレイン-ソース間電圧： 60 V●パッケージタイプ： TO-92●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 5 Ω●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 3V●最低ゲートしきい値電圧： 0.8V●最大パワー消費： 830 mW●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -20 V， +20 V●1チップ当たりのエレメント数： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●Fairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は●Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは●オンステート抵抗を最小限に抑え●頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。RoHS指令(10物質対応)対応

onsemi 整流ダイオード， 1A， 30V スルーホール， 2-Pin DO-41 ショットキーバリアonsemi

￥37税込￥41

1個

翌々日出荷

仕様●実装タイプ：スルーホール●パッケージタイプ： DO-41●最大連続順方向電流： 1A●ピーク逆繰返し電圧： 30V●ダイオード構成：シングル●整流タイプ：ショットキー整流器●ダイオードタイプ：ショットキー●ピン数： 2●1チップ当たりのエレメント数： 1●ダイオードテクノロジー：ショットキーバリア●直径： 2.7mm●ピーク非繰返し順方向サージ電流： 25A●ON Semi 1N5817 / 8 / 9アキシャルリード整流器. このシリーズは、金属-シリコンのパワーダイオードで構成されています。これらのダイオードは、クロムバリア金属、酸化物不動態化、金属オーバーラップコンタクトの形で提供されます。. 特長:. 超低VF 低い蓄積電荷多数キャリア伝導低電力損失 / 高効率. 特長:. ケース: エポキシ、成形質量: 0.4 g 仕上げ: すべての外面に耐腐食性、端子リードは容易にはんだ付け可能はんだ付けのリード温度: 最高260 ℃ (10秒間) 極性: 極性バンドでカソードを表示. 代表的用途:. 高周波数インバータ還流ダイオード極性保護ダイオードRoHS指令(10物質対応)対応

onsemi Pチャンネル MOSFET20 V 1.9 A 表面実装パッケージSOT-23 6 ピンonsemi

￥859税込￥945

1箱(10個)

5日以内出荷

仕様Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 最大9.9 A. PowerTrench(R) MOSFETは、最適化されたスイッチングを行いシステム効率と電力密度を向上させます。これらの製品は、低ゲート電荷(Qg)、低逆回復電荷(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードをを組み合わせることにより、AC/DC電源における同期整流用の高速スイッチングに貢献します。最新のPowerTrench(R) MOSFETは、電荷バランスを提供する遮蔽ゲート構造をシリーズPowerTrenchピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数2チャンネルタイプPチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)1.9最大ドレイン-ソース間電圧(V)20最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)270最小ゲートしきい値電圧(V)0.4最大ゲート-ソース間電圧(V)-8、+8トランジスタ構成絶縁型最大パワー消費960 mW

onsemi Nチャンネル IGBT 600 V 80 A， 3-Pin TO-247 シングルonsemi

￥819税込￥901

1個

5日以内出荷

仕様最大連続コレクタ電流：80 A寸法(mm)15.6×4.7×20.6ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性ディスクリートIGBT、Fairchild SemiconductorパッケージTO-247実装タイプスルーホール最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)600最大ゲート-エミッタ間電圧(V)±20チャンネルタイプN最大パワー消費(W)349トランジスタ構成シングル最小動作温度(℃)-55

onsemi Nチャンネル MOSFET40 V 57 A 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンonsemi

￥749税込￥824

1箱(5個)

7日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：57 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：37 nC @ 10 VシリーズPowerTrenchピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性自動車用NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。パッケージDPAK (TO-252)実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)44チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)40最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)14最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル

onsemi Nチャンネル MOSFET20 V 2.7 A 表面実装パッケージSOT-23 6 ピンonsemi

￥859税込￥945

1箱(10個)

欠品中

仕様PowerTrench(R)デュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Semis PowerTrench (R) MOSFET は、システム効率と電力密度を高めた、最適化された電源スイッチです。ゲート電荷量が小さく、逆回復が小さい、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせているため、 AC / DC 電源の同期整流の高速スイッチングに役立ちます。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電シリーズPowerTrenchピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)2.7最大ドレイン-ソース間電圧(V)20最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)128最小ゲートしきい値電圧(V)0.4最大ゲート-ソース間電圧(V)-8、 +8トランジスタ構成絶縁型標準ゲートチャージ3.5 nC @ 4.5 V最大パワー消費960 mW

onsemi Pチャンネル MOSFET35 V 55 A 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンonsemi

￥1,698税込￥1,868

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：55 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：45 nC @ 10 VシリーズPowerTrenchピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性自動車用PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。パッケージDPAK (TO-252)実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(W)57チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)35最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)19最大ゲート-ソース間電圧(V)-25 ， +25トランジスタ構成シングル

onsemi フォトカプラ，スルーホール実装チャンネル数：1，トランジスタ出力， H11AA1Monsemi

￥499税込￥549

1箱(5個)

4日以内出荷

仕様●入力電流タイプ：AC●最小電流伝送率：0.2チャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応特性オプトカプラ、AC入力、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor. AC又はDC入力リレーコンタクトモニタ、産業用制御での用途パッケージPDIP実装タイプスルーホール実装出力デバイストランジスタ最大順方向電圧(V)1.5最大入力電流(mA)60絶縁電圧(kVrms)7.5

onsemi ファストリカバリー整流ダイオード， 1A， 800V スルーホール， 2-Pin DO-41 シリコンジャンクション 1.7Vonsemi

￥779税込￥857

1箱(50個)

5日以内出荷

仕様ON Semi UF4001-UF4007高速整流器. ON Semiconductor UF4001～UF4007 シリーズは、DO-41 (DO-240AL)プラスチックパッケージに収められた超高速整流器です。これらの1 Aガラス不動態化ジャンクション整流器は、さまざまな用途に使用できる、信頼性の高い汎用コンポーネントです。. 特長と利点: 低順方向電圧降下耐高サージ電流高電流に対応ガラス不動態化ジャンクション整流器とはこれらのデバイスは、ダイオードの周りにガラス不動態化層があります。ガラス不直径(Φmm)2.72ピン数(ピン)2ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル整流方式ファストリカバリーRoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(V)1.7ピーク逆繰返し電圧(V)800ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)30最大連続順方向電流(A)1ピーク逆回復時間(ns)75

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onsemi 整流ダイオード， 200mA， 100V 表面実装， 2-Pin SOD-80 シリコンジャンクション 1Vonsemi

￥78税込￥86

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●ダイオードタイプ：整流器●ダイオードテクノロジー：シリコンジャンクション●ダイオード構成：シングル●整流タイプ：スイッチング●最大連続順方向電流：200mAピン数(ピン)2RoHS指令(10物質対応)対応特性小信号スイッチングダイオード、ON SemiconductorパッケージSOD-80実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(V)1ピーク逆繰返し電圧(V)100ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)2ピーク逆回復時間(ns)4

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onsemi 抵抗内蔵トランジスタ， NPN，スルーホール， KSC2383OTAonsemi

￥1,398税込￥1,538

1箱(25個)

翌々日出荷

寸法(mm)5.1×4.1×8.2ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)160最大パワー消費(mW)900最大エミッタ-ベース間電圧(V)6トランジスタ構成シングルトランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン100， 160

onsemi ツェナーダイオード 7.5V スルーホール 1 Wonsemi

￥749税込￥824

1箱(100個)

5日以内出荷

仕様ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor寸法2.72 (Dia.) x 5.2mmピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Min)-65RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1最大パワー消費(W)1テスト電流(mA)34最大逆漏れ電流(μA)10ツェナータイプ汎用ツェナー電圧許容性(%)5最大ツェナーインピーダンス(Ω)4

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onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 50 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピンonsemi

￥349税込￥384

1個

翌々日出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：50 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：125 nC @ 20 VシリーズMegaFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性MegaFET MOSFET、Fairchild Semiconductor. LSI集積回路に近づく特性サイズを採用したMegaFETプロセスでは、シリコンの利用率を最適化しているので、優れた性能を発揮します。パッケージTO-220AB実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大パワー消費(W)131チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)22最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル

onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 12 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピンonsemi

￥229税込￥252

1個

7日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：0ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。パッケージTO-220AB実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1チャンネルタイプN最大パワー消費(W)60チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)200最大ゲート-ソース間電圧(V)-10 ， +10トランジスタ構成シングル最小動作温度(℃)-55

onsemi 高電圧整流ダイオード， 3A， 1200V 表面実装， 2-Pin DO-214AB (SMC) シリコンジャンクション 1.2Vonsemi

￥1,898税込￥2,088

1セット(50個)

5日以内出荷から6日以内出荷

仕様整流ダイオード、2 A → 9 A、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)2ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル整流方式高電圧RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(V)1.2ピーク逆繰返し電圧(V)1200ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)100最大連続順方向電流(A)3ピーク逆回復時間(μs)2.5

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onsemi ツェナーダイオード 12V スルーホール 1 Wonsemi

￥849税込￥934

1箱(100個)

翌々日出荷から5日以内出荷

仕様ツェナーダイオード1 W、BZX85Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ON Semiconductor BZX85 シリーズは、優れた動作特性と厳密な制限を備えた 1 W ゼネアダイオードシリーズです。酸化シリコン不動態化ジャンクションの優れた機能を反映しています。これらのダイオードは、シール構造のガラスパッケージを使用したアキシャルリード型で、一般的なあらゆる環境条件で保護を提供します。. 特長. - ツェナー電圧範囲： 3.3 → 85 V - クラス 3 の ESD 定格寸法2.72 (Dia.) x 5.2mmピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Max)+200RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1最大パワー消費(W)1テスト電流(mA)20最大逆漏れ電流(nA)500ツェナータイプ電圧レギュレータツェナー電圧許容性(%)5最大ツェナーインピーダンス(Ω)9

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onsemi トランジスタ， NPN，スルーホール， 800 mA， BC33740TAonsemi

￥279税込￥307

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3日以内出荷から5日以内出荷

仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 Vピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)45最大エミッタ-ベース間電圧(V)5トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)800トランジスタタイプNPN最大動作周波数(MHz)100最大パワー消費625 mW

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onsemi Nチャンネル MOSFET50 V 14 A 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンonsemi

￥149税込￥164

1個

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仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：14 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：25 nC @ 5 V、40 nC @ 10 V高さ(mm)2.39ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。パッケージDPAK (TO-252)実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)48000チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)50最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)100最大ゲート-ソース間電圧(V)-10 ， +10トランジスタ構成シングル

onsemi ファストリカバリー整流ダイオード， 1A， 100V スルーホール， 2-Pin DO-41 シリコンジャンクション 1Vonsemi

￥899税込￥989

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仕様ON Semi UF4001-UF4007高速整流器. ON Semiconductor UF4001～UF4007 シリーズは、DO-41 (DO-240AL)プラスチックパッケージに収められた超高速整流器です。これらの1 Aガラス不動態化ジャンクション整流器は、さまざまな用途に使用できる、信頼性の高い汎用コンポーネントです。. 特長と利点: 低順方向電圧降下耐高サージ電流高電流に対応ガラス不動態化ジャンクション整流器とはこれらのデバイスは、ダイオードの周りにガラス不動態化層があります。ガラス不直径(Φmm)2.72ピン数(ピン)2ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル整流方式ファストリカバリーRoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(V)1ピーク逆繰返し電圧(V)100ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)30最大連続順方向電流(A)1ピーク逆回復時間(ns)50

onsemi 小信号整流ダイオード， 200mA， 150V スルーホール， 2-Pin DO-35onsemi

￥729税込￥802

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直径(Φmm)1.91ピン数(ピン)2ダイオード(タイプ)整流器、(構成)シングル整流方式小信号RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1ピーク逆繰返し電圧(V)150ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)4ピーク逆回復時間(μs)3最大連続順方向電流(mA)200

onsemi ツェナーダイオード 5.1V スルーホール 1 Wonsemi

￥829税込￥912

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仕様ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor寸法2.72 (Dia.) x 5.2mmピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Min)-65RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1最大パワー消費(W)1テスト電流(mA)49最大逆漏れ電流(μA)10ツェナータイプ汎用ツェナー電圧許容性(%)5最大ツェナーインピーダンス(Ω)7

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onsemi ツェナーダイオード 16V スルーホール 1 Wonsemi

￥799税込￥879

1箱(100個)

5日以内出荷

仕様ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor寸法2.72 (Dia.) x 5.2mmピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Min)-65RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1最大パワー消費(W)1テスト電流(mA)15.5最大逆漏れ電流(μA)5ツェナータイプ汎用ツェナー電圧許容性(%)5最大ツェナーインピーダンス(Ω)16

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onsemi 整流用ブリッジダイオード単相 1.5A， 1000V， 8.51 x 6.5 x 2.6mm， DF10Sonsemi

￥869税込￥956

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仕様ULファイルE111753及びE326243. 基板表面実装用ブリッジ整流器、DFxxSシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化チップジャンクション低DC逆電流寸法(mm)8.51×6.5×2.6高さ(mm)2.6ピン数(ピン)4動作温度(℃)-55～+150RoHS指令(10物質対応)対応回路構成シングル実装タイプ表面実装ピーク平均順方向電流(A)1.5ピーク逆繰返し電圧(V)1000ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)50ピーク逆電流(μA)500ピーク順方向電圧(V)1.1