Vishay SMDレジスタ, 50mΩ, 1206 (3216M), 1W WSLP1206R0500FEAVISHAY翌々日出荷
抵抗 = 50mΩテクノロジー = メタルストリップパッケージ/ケース = 1206 (3216M)許容差 = ±1%定格電力 = 1W温度係数 = ±75ppm/℃シリーズ = WSLP動作温度 Min = -65℃動作温度 Max = +170℃1206型WSLPシリーズ. 非常に高いパワー / フットプリント比率(1 Wを1206パッケージで達成) スイッチング及びリニア電源、計装機器、パワーアンプなど、あらゆるタイプの電流検出及びパルス用途に最適 独自の処理テクニックにより非常に低い抵抗値を達成(0.001 Ωまで削減) 総溶接構造
RoHS指令(10物質対応)対応公称抵抗値(Ω)50m
Vishay SMDレジスタ, 50mΩ, 4257 ( 11070M, 3W WSR3R0500FEAVISHAY7日以内出荷
抵抗 = 50mΩテクノロジー = メタルストリップパッケージ/ケース = 4257 ( 11070M許容差 = ±1%定格電力 = 3W温度係数 = ±75ppm/℃シリーズ = WSR3動作温度 Min = -65℃動作温度 Max = +275℃WSR3パワーメタルStripR 3 W. スイッチング及びリニア電源、計装機器、パワーアンプなど、あらゆるタイプの電流検出、電圧分割、パルス用途に最適
RoHS指令(10物質対応)対応公称抵抗値(Ω)50m
Vishay SMDレジスタ, 50mΩ, 2512 (6432M), 1W WSL2512R0500FEAVISHAY翌々日出荷
抵抗 = 50mΩテクノロジー = メタルストリップパッケージ/ケース = 2512 (6432M)許容差 = ±1%定格電力 = 1W温度係数 = ±75ppm/℃シリーズ = WSL動作温度 Min = -65℃動作温度 Max = +170℃2512型WSLシリーズ. 非常に高いパワー / フットプリント比率(1 Wを1206パッケージで達成) スイッチング及びリニア電源、計装機器、パワーアンプなど、あらゆるタイプの電流検出及びパルス用途に最適 独自の処理テクニックにより非常に低い抵抗値を達成(0.001 Ωまで削減) 総溶接構造
RoHS指令(10物質対応)対応公称抵抗値(Ω)50m
Vishay SMDレジスタ, 50mΩ, 1206 (3216M), 0.25W WSL1206R0500FEAVISHAY7日以内出荷
抵抗 = 50mΩテクノロジー = メタルストリップパッケージ/ケース = 1206 (3216M)許容差 = ±1%定格電力 = 0.25W温度係数 = ±75ppm/℃シリーズ = WSL動作温度 Min = -65℃動作温度 Max = +170℃1206型WSLシリーズ. スイッチング及びリニア電源、計装機器、パワーアンプなど、あらゆるタイプの電流検出、電圧分割、パルス用途に最適 独自の処理テクニックにより非常に低い抵抗値を達成(1 mΩまで削減) 総溶接構造
RoHS指令(10物質対応)対応公称抵抗値(Ω)50m
Vishay SMDレジスタ, 50mΩ, 2010 (5025M), 0.5W WSL2010R0500FEAVISHAY7日以内出荷
抵抗 = 50mΩテクノロジー = メタルストリップパッケージ/ケース = 2010 (5025M)許容差 = ±1%定格電力 = 0.5W温度係数 = ±75ppm/℃シリーズ = WSL動作温度 Min = -65℃動作温度 Max = +170℃2010型WSLシリーズ. 非常に高いパワー / フットプリント比率(1 Wを1206パッケージで達成) スイッチング及びリニア電源、計装機器、パワーアンプなど、あらゆるタイプの電流検出及びパルス用途に最適 独自の処理テクニックにより非常に低い抵抗値を達成(0.001 Ωまで削減) 総溶接構造
RoHS指令(10物質対応)対応公称抵抗値(Ω)50m
Vishay SMDレジスタ, 50mΩ, 4257 ( 11070M, 2W WSR2R0500FEAVISHAY7日以内出荷
抵抗 = 50mΩテクノロジー = メタルストリップパッケージ/ケース = 4257 ( 11070M許容差 = ±1%定格電力 = 2W温度係数 = ±75ppm/℃シリーズ = WSR2動作温度 Min = -65℃動作温度 Max = +275℃WSR2パワーメタルStripR 2 W. スイッチング及びリニア電源、計装機器、パワーアンプなど、あらゆるタイプの電流検出、電圧分割、パルス用途に最適
RoHS指令(10物質対応)対応公称抵抗値(Ω)50m