ディスクリート：「抵抗収納」の検索結果

特価

本日8月9日(土)は、モノタロウブランドの全商品がキャンペーンコード入力で通常価格より 10％引き！

キャンペーンコード 000025250815

キャンペーンコードのご利用方法 ※特価からの更なる割引はございません

関連キーワード

IRF7749L1TRPBF Infineon Nチャンネル MOSFET60 V 375 A 表面実装パッケージDirectFET ISOMETRIC INFINEON

INFINEONInfineon Nチャンネル MOSFET60 V 375 A 表面実装パッケージDirectFET ISOMETRIC

エコ商品

DirectFETRパワーMOSFET、Infineon. DirectFETR パワーパッケージは、表面実装のパワーMOSFETパッケージング技術を採用しています。 DirectFETR MOSFETは、エネルギー損失量を削減しながら、高度なスイッチング用途向けに設計するフットプリントを縮小するソリューションです。. 該当するフットプリントに収納された業界最低のオン抵抗非常に低いパッケージ抵抗で導電損失を最小化非常に効率的な両面冷却により、電力密度、コスト及び信頼性が大幅に改善されます。わずか0.7 mmの低プロファイル

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 375 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vシリーズ = DirectFET， HEXFET実装タイプ = 表面実装最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.5MΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 125 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 7.1mm順方向ダイオード電圧 = 1.3V RoHS指令(10物質対応)対応

1セット(4000個)

￥1,398,000 税込￥1,537,800

7日以内出荷

IPP042N03LGXKSA1 Infineon Nチャンネル MOSFET30 V 70 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピン INFINEON

INFINEONInfineon Nチャンネル MOSFET30 V 70 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピン

エコ商品

Infineon OptiMOS3パワーMOSFET、最大40 V. OptiMOS製品は、最も困難な用途にも対応できるよう高性能なパッケージに収納されています。このため、限られたスペースで最大限に柔軟性を発揮できます。これらのInfineon製品は、コンピューティング用途における次世代の厳しい電圧調整規格のエネルギー効率と電力密度の要件に適合し、上回るように設計されています。. 高速スイッチングMOSFET、SMPS用 DC/DCコンバータ用に最適化された技術対象用途に対してJEDEC1に適合 Nチャンネル、ロジックレベル優れたゲート電荷量 R DS(on)製品(FOM) 超低オン抵抗 DS(on) 鉛フリーめっき

仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 70 A最大ドレイン-ソース間電圧 30 Vシリーズ OptiMOS(TM) 3実装タイプスルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 6 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 2.2V最低ゲートしきい値電圧 1V最大パワー消費 79 Wトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 1mm動作温度 Min -55 ℃V RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(10個)

￥1,998 税込￥2,198

7日以内出荷

BSC093N04LSGATMA1 Infineon Nチャンネル MOSFET40 V 49 A 表面実装パッケージTDSON 8 ピン INFINEON

INFINEONInfineon Nチャンネル MOSFET40 V 49 A 表面実装パッケージTDSON 8 ピン

エコ商品

仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 49 A最大ドレイン-ソース間電圧 40 Vシリーズ OptiMOS(TM) 3実装タイプ表面実装ピン数 8最大ドレイン-ソース間抵抗 13.7 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 2V最低ゲートしきい値電圧 1.2V最大パワー消費 2.5 Wトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 Vトランジスタ素材 Simm動作温度 Min -55 ℃mm RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(5個)

￥669 税込￥736

7日以内出荷

IPD26N06S2L35ATMA2 Infineon Nチャンネル MOSFET55 V 30 A 表面実装パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン INFINEON

INFINEONInfineon Nチャンネル MOSFET55 V 30 A 表面実装パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン

エコ商品

Infineon OptiMOS シリーズ N チャンネル MOSFET は、 DPAK パッケージに収納されています。最高の電流能力、最低のスイッチング損失、及び導電電力損失により、高い熱効率と堅牢なパッケージにより、優れた品質と信頼性を実現しています。車載AEC Q101認定 MSL1 Peak リフロー：最高 260 ° C 175 ° C の動作温度グリーンパッケージ超低 RDS 100% アバランシェ試験済み

仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 30 A最大ドレイン-ソース間電圧 55 Vシリーズ OptiMOS(TM)実装タイプ表面実装ピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 0.035 Ωチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 2Vトランジスタ素材 Si RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(20個)

￥2,498 税込￥2,748

7日以内出荷

BSC011N03LSIATMA1 Infineon Nチャンネル MOSFET30 V 100 A 表面実装パッケージTDSON 8 ピン INFINEON

INFINEONInfineon Nチャンネル MOSFET30 V 100 A 表面実装パッケージTDSON 8 ピン

Infineon OptiMOSパワーMOSFETファミリ. OptiMOS製品は、最も困難な用途にも対応できるよう高性能なパッケージに収納されています。このため、限られたスペースで最大限に柔軟性を発揮できます。これらのInfineon製品は、コンピューティング用途における次世代の厳しい電圧調整規格のエネルギー効率と電力密度の要件に適合し、上回るように設計されています。. Nチャンネル強化モード車載AEC Q101認定 MSL1最大260 ℃のピークリフロー 175 ℃の動作温度環境配慮製品(鉛フリー) 超低Rds(on)

仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 100 A最大ドレイン-ソース間電圧 30 Vシリーズ OptiMOS(TM)実装タイプ表面実装ピン数 8最大ドレイン-ソース間抵抗 1.4 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最大パワー消費 96 Wトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V動作温度 Max +150 ℃mm動作温度 Min -55 ℃V

1袋(10個)

￥1,998 税込￥2,198

7日以内出荷

BSC052N03LSATMA1 Infineon Nチャンネル MOSFET30 V 57 A 表面実装パッケージTDSON 8 ピン INFINEON

INFINEONInfineon Nチャンネル MOSFET30 V 57 A 表面実装パッケージTDSON 8 ピン

Infineon OptiMOSパワーMOSFETファミリ. OptiMOS製品は、最も困難な用途にも対応できるよう高性能なパッケージに収納されています。このため、限られたスペースで最大限に柔軟性を発揮できます。これらのInfineon製品は、コンピューティング用途における次世代の厳しい電圧調整規格のエネルギー効率と電力密度の要件に適合し、上回るように設計されています。. Nチャンネル - 強化モード車載AEC Q101認定 MSL1最大260 ℃のピークリフロー 175 ℃の動作温度環境配慮製品(鉛フリー) 超低Rds(on)

仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 57 A最大ドレイン-ソース間電圧 30 Vシリーズ OptiMOS(TM)実装タイプ表面実装ピン数 8最大ドレイン-ソース間抵抗 7.2 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 2V最低ゲートしきい値電圧 1.2V最大パワー消費 28 Wトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 Vトランジスタ素材 Simm動作温度 Min -55 ℃mm

1袋(25個)

￥3,598 税込￥3,958

7日以内出荷