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MICROCHIPOTP EPROMメモリ Microchip
エコ商品
Microchip AT27C020 2 Mb の低消費電力、高性能ワンタイムプログラマブル EPROM は、 256 K ビット x 8 として構成されています。4.5 → 5.5 V の電圧範囲で動作します。通常の読み取りモードでの標準消費電力はわずか 8 mA で、スタンバイモードの供給電流は標準で 10 μ A 未満です。どのバイトにも 55 ns 未満でアクセスできるため、高性能マイクロプロセッサシステムでの速度低減 WAIT ステートが不要になります。低電力 CMOS 動作 アクセス時間は 90 ns です ESD 保護: 2 、 000 V ラッチアップ耐性: 200 mA Rapid Programming アルゴリズム: 100 μ s/ バイト(標準) CMOS及びTTL互換入出力 製品識別コードを内蔵 使用温度範囲: -40 → 85 ° C 32 リード、プラスチック J リード付きチップキャリア( PLCC )パッケージ
仕様メモリサイズ = 2000kbit構成 = 256K x 8最大ランダムアクセス時間 = 55nsプログラミング電圧 = 5V再ブログラミング技術 = OTP実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = PDIPピン数 = 32寸法 = 42.29 x 13.97 x 4.44mmワード数 = 256Kbit RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
1,798 税込1,978
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1袋(5個)ほか
1,698 税込1,868
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ファミリー名 = ATtiny4313。パッケージタイプ = PDIP。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 20。デバイスコア = AVR。データバス幅 = 8bit。プログラムメモリサイズ = 4 kB。最大周波数 = 20MHz。RAMサイズ = 256 B。USBチャンネル = 0。PWMユニット数 = 1。SPIチャンネル数 = 2。標準動作供給電圧 = 1.8 → 5.5 V。寸法 = 25.98 x 7.11 x 4.95mm。8ビットPicoPower tinyAVRRマイクロコントローラ. Atmel tinyAVRR機器は、小型パッケージでも優れた性能、高い出力効率、使いやすさが求められる用途を想定して最適化されています。 すべてのpicoPowerデバイスは、電力消費をできるだけ小さくするように一から設計されたものです。. サイズが重要な用途向けの小型で最もコンパクトなパッケージ 静電容量タッチ 高速、コード効果 高集積 動作: 1.8 V → 5.5 V (ATtiny43Uでは0.7 Vで動作)
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,498 税込1,648
5日以内出荷

仕様●メモリテクノロジー: シリアルメモリ●キットの分類: スタータキット●キット名: MPLAB●マニュアルとソフトウェアが収録された CD 、シリアル EEPROM サンプルパック、 USB ケーブル. シリアルメモリスタータキット. このシリアルメモリ製品用 MPLAB スタータキットを使用すると、 I 2 C 、 SPI 、 Microwire 、及び UNI/O バスプロトコルを含む Microchip シリアルメモリ製品の読み取り、書き込み、検証が可能になります。また、 EEPROM の耐久性をテストするユーティリティも組み込まれています。
1個
23,980 税込26,378
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1袋(5個)ほか
2,798 税込3,078
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1袋(5個)ほか
1,798 税込1,978
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1セット(90個)
18,980 税込20,878
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1セット(100個)ほか
16,980 税込18,678
7日以内出荷
バリエーション一覧へ (6種類の商品があります)

仕様メモリサイズ:64Mbit 、 インターフェースタイプ:SPI 、 パッケージタイプ:WDFN 、 ピン数:8 、 構成:8 M x 8ビット 、 実装タイプ:表面実装 、 セルタイプ:スプリットゲート 、 動作供給電圧 Min:2.7 V 、 動作供給電圧 Max:3.6 V 、 長さ:6mm 、 高さ:0.8mm 、 幅:8mm 、 寸法:6 x 8 x 0.8mm 、 動作温度 Max:+85 ℃ 、 SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O (SQI )インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。. 特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 / x2 / x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 - 最大104 MHz バーストモード 低消費電力 アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 - セクタ / ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(480個)
299,800 税込329,780
7日以内出荷

Microchip 1 K ビットシリアル電気的消去可能 PROM です。2 線シリアルインターフェイス付き 128 x 8 ビットメモリの単一ブロックとして構成されています。工場プログラミング可能 RoHS対応
仕様メモリサイズ = 1kbitインターフェースタイプ = シリアル-I2Cパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8構成 = 128 x 8ビット動作供給電圧 Min = 2.5 V動作供給電圧 Max = 5.5 Vプログラミング電圧 = 2.5 to 5.5V1ワード当たりのビット数 = 8bit寸法 = 4.9 x 3.9 x 1.25mmデータ保持 = 200年 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(100個)
4,698 税込5,168
7日以内出荷

仕様メモリサイズ:8Mbit●インターフェースタイプ:SPI●パッケージタイプ:PDIP●ピン数:8●構成:1 M x 8ビット●実装タイプ:スルーホール●セルタイプ:スプリットゲート●動作供給電圧 Min:2.7 V●動作供給電圧 Max:3.6 V●長さ:10.16mm●高さ:4.95mm●幅:7.11mm●寸法:10.16 x 7.11 x 4.95mm●ワード数:1M●SST25VF080BシリアルSPI SuperFlashRメモリ RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(60個)
15,980 税込17,578
7日以内出荷

1セット(100個)
13,980 税込15,378
7日以内出荷
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SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O (SQI)インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。Microchip製のSQIインターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ - ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 / x2 / x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 - 最大104 MHz バーストモード 低消費電力 - アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 - セクタ / ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護
仕様メモリサイズ = 32Mbitインターフェースタイプ = SPIパッケージタイプ = SOIJピン数 = 8構成 = 4 M x 8ビット実装タイプ = 表面実装セルタイプ = スプリットゲート動作供給電圧 Min = 2.7 V動作供給電圧 Max = 3.6 Vブロック構成 = 対称長さ = 5.26mm高さ = 1.98mm幅 = 5.25mm寸法 = 5.26 x 5.25 x 1.98mm最大ランダムアクセス時間 = 3ns RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(90個)
31,980 税込35,178
7日以内出荷

仕様メモリサイズ:16Mbit 、 インターフェースタイプ:SPI 、 パッケージタイプ:SOIC 、 ピン数:8 、 構成:2 M x 8ビット 、 実装タイプ:表面実装 、 セルタイプ:スプリットゲート 、 動作供給電圧 Min:2.7 V 、 動作供給電圧 Max:3.6 V 、 長さ:5.4mm 、 高さ:1.91mm 、 幅:5.4mm 、 寸法:5.4 x 5.4 x 1.91mm 、 動作温度 Min:-40 ℃ 、 SST25VF016BシリアルSPI SuperFlashRメモリ RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(90個)
28,980 税込31,878
7日以内出荷
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仕様メモリサイズ:64Mbit●インターフェースタイプ:SPI●パッケージタイプ:SOIJ●ピン数:8●構成:8 x 8ビット●実装タイプ:表面実装●セルタイプ:スプリットゲート●動作供給電圧 Min:2.7 V●動作供給電圧 Max:3.6 V●ブロック構成:対称●長さ:5.26mm●高さ:1.98mm●幅:5.25mm●寸法:5.26 5.25 1.98mm●ワード数:8M●SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 x2 x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 最大104 MHz バーストモード 低消費電力 アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 セクタ ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(90個)
47,980 税込52,778
7日以内出荷

1セット(30個)
13,980 税込15,378
7日以内出荷
バリエーション一覧へ (2種類の商品があります)

ファミリー名 = Microcontrollers。パッケージタイプ = TQFP。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 44。デバイスコア = 8051。データバス幅 = 8bit。プログラムメモリサイズ = 8 kB。最大周波数 = 20MHz。RAMサイズ = 256 B。USBチャンネル = 0。PWMユニット数 = 0。SPIチャンネル数 = 0。CANチャンネル数 = 0。幅 = 10mm。Microchip AT89LP52 8 ビットマイクロコントローラは、 4K / 8 KB のインシステムプログラマブルフラッシュプログラムメモリと 256 バイトのフラッシュデータメモリを搭載しています。2.4 → 5.5 V の電源で動作します。コントローラは、クロックサイクルごとにメモリからシングルバイトをフェッチできる、拡張 CPU コアを中心に構築されています。従来の 8051 アーキテクチャでは、各フェッチに 6 クロックサイクルが必要であり、命令は 12 、 24 、 48 クロックサイクルで実行されます。4K / 8K バイトのインシステムプログラマブルフラッシュプログラムメモリ、 256 バイトのフラッシュデータメモリ、 256 バイトの RAM 、最大 36 の I/O ライン、 3 つの 16 ビットタイマ / カウンタ、プログラム可能なウォッチドッグタイマ、全二重シリアルポート、オンチップ水晶発振器、内蔵 1.8432 MHz 補助発振器を搭載しています。 4 レベル、 6 ベクトル割り込みシステムを備えています。AT89S52 と 100 % ソフトウェア及びタイミング互換 ほぼ完全な Master SPI ポートとして機能したり、 TWI のソフトウェアエミュレーションを改善したりできます AT89S52 と同じ消費電流と周波数で平均 9 倍のスループットを達成するには、互換モードを無効にします クロック周波数を 9 回下げて AT89S52 と同じ速度にしますが、消費電流は 5 倍以上に抑えられます
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,398 税込1,538
7日以内出荷

仕様メモリサイズ:4Mbit 、 インターフェースタイプ:パラレル 、 パッケージタイプ:PLCC 、 ピン数:32 、 構成:512 K x 8ビット 、 実装タイプ:表面実装 、 セルタイプ:スプリットゲート 、 動作供給電圧 Min:2.7 V 、 動作供給電圧 Max:3.6 V 、 ブロック構成:対称 、 長さ:11.51mm 、 高さ:2.84mm 、 幅:14.05mm 、 寸法:11.51 x 14.05 x 2.84mm 、 動作温度 Min:0 ℃ 、 SST39VF010/020/040パラレルSuperFlashRメモリ RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(30個)
11,980 税込13,178
7日以内出荷


仕様メモリサイズ:16Mbit 、 インターフェースタイプ:クワッドSPI 、 パッケージタイプ:SOIC 、 ピン数:8 、 構成:2 M x 8ビット 、 実装タイプ:表面実装 、 セルタイプ:スプリットゲート 、 動作供給電圧 Min:2.7 V 、 動作供給電圧 Max:3.6 V 、 長さ:4.9mm 、 高さ:1.5mm 、 幅:3.9mm 、 寸法:4.9 x 3.9 x 1.5mm 、 動作温度 Max:+85 ℃ 、 SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ- ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 / x2 / x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 - 最大104 MHz バーストモード 低消費電力-アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 - セクタ / ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(100個)
24,980 税込27,478
7日以内出荷

仕様メモリサイズ:1Mbit 、 構成:128 K x 8ビット 、 1ワード当たりのビット数:8bit 、 最大ランダムアクセス時間:5ns 、 アドレスバス幅:24bit 、 クロック周波数:20MHz 、 ローパワー:あり 、 実装タイプ:表面実装 、 パッケージタイプ:TSSOP 、 ピン数:8 、 寸法:3.1 x 4.5 x 1.05mm 、 高さ:1.05mm 、 動作温度 Min:-40 ℃ RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(100個)
47,980 税込52,778
7日以内出荷

仕様メモリサイズ:16Mbit、インターフェースタイプ:SPI、パッケージタイプ:SOIC、ピン数:8、構成:2 M x 8ビット、実装タイプ:表面実装、セルタイプ:スプリットゲート、動作供給電圧 Min:2.7 V、動作供給電圧 Max:3.6 V、長さ:4.9mm、高さ:1.25mm、幅:3.9mm、寸法:4.9 x 3.9 x 1.25mm、ワード数:2M、SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ- ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 / x2 / x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 - 最大104 MHz バーストモード 低消費電力-アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 - セクタ / ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,498 税込1,648
7日以内出荷

仕様メモリサイズ:2Mbit●インターフェースタイプ:SPI●パッケージタイプ:SOIC●ピン数:8●構成:256 K x 8ビット●実装タイプ:表面実装●セルタイプ:スプリットゲート●動作供給電圧 Min:3 V●動作供給電圧 Max:3.6 V●ブロック構成:対称●長さ:5mm●高さ:1.5mm●幅:4mm●寸法:5 x 4 x 1.5mm●ワード数:256K●SST25LF020AシリアルSPI SuperFlashRメモリ RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
1,498 税込1,648
7日以内出荷

仕様メモリサイズ:256kbit 、 構成:32 K x 8ビット 、 ワード数:32K 、 1ワード当たりのビット数:8bit 、 最大ランダムアクセス時間:25ns 、 アドレスバス幅:16bit 、 クロック周波数:20MHz 、 ローパワー:あり 、 タイミングタイプ:シンクロナス 、 実装タイプ:表面実装 、 パッケージタイプ:TSSOP 、 ピン数:8 、 寸法:3 x 4.4 x 1mm 、 高さ:1mm 、 動作温度 Min:-40 ℃ RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(100個)
22,980 税込25,278
7日以内出荷

仕様メモリサイズ:64Mbit●インターフェースタイプ:SPI●パッケージタイプ:WDFN●ピン数:8●構成:8 x 8ビット●実装タイプ:表面実装●セルタイプ:スプリットゲート●動作供給電圧 Min:2.7 V●動作供給電圧 Max:3.6 V●ブロック構成:対称●長さ:6mm●高さ:0.75mm●幅:5mm●寸法:6 5 0.75mm●最大ランダムアクセス時間:3ns●SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 x2 x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 最大104 MHz バーストモード 低消費電力 アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 セクタ ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
1,198 税込1,318
7日以内出荷

仕様メモリサイズ:64Mbit インターフェースタイプ:SPI パッケージタイプ:WDFN ピン数:8 構成:8 x 8ビット 実装タイプ:表面実装 セルタイプ:スプリットゲート 動作供給電圧 Min:2.7 、 動作供給電圧 Max:3.6 、 長さ:6mm 高さ:0.8mm 幅:8mm 寸法:6 8 0.8mm 動作温度 Max: +85 、 SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 x2 x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 最大104 MHz バーストモード 低消費電力 アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 セクタ ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
1,298 税込1,428
7日以内出荷

仕様メモリサイズ:8Mbit●インターフェースタイプ:パラレル●パッケージタイプ:TFBGA●ピン数:48●構成:512 K x 16ビット●実装タイプ:表面実装●セルタイプ:スプリットゲート●動作供給電圧 Min:3 V●動作供給電圧 Max:3.6 V●ブロック構成:対称●長さ:8mm●高さ:0.75mm●幅:6mm●寸法:8 x 6 x 0.75mm●ワード数:512K●SST39LF800AパラレルSuperFlashRメモリ RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
2,298 税込2,528
7日以内出荷

ファミリー名 = SAM4E。パッケージタイプ = LQFP。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 100。デバイスコア = ARM Cortex M4。データバス幅 = 32bit。プログラムメモリサイズ = 1.024 MB。最大周波数 = 120MHz。RAMサイズ = 128 kB。USBチャンネル = 1。PWMユニット数 = 1 x 16 bit。SPIチャンネル数 = 0。標準動作供給電圧 = 1.2 V、3.3 V。幅 = 9mm。SMART SAM4E ARMR Cortex-M3マイクロコントローラ. Atmels SMARTマイクロコントローラは、ワイヤレス接続機能と増強されたメモリ / データストレージを備えた安全な機器として使用できるように、モノのインターネットの技術革新に基づいてユーザーをサポートする目的で開発された製品です。 SAM4Eマイクロコントローラの特長と利点 浮動小数点ユニット(FPU) 10 / 100 MbpsイーサネットMACでIEEE1588及びデュアルCANをサポート USB 2.0 USART x 4 SPI / I ;sup>2 ;/sup>Cシリアル通信インターフェイス MCI / SPIO Advanced Encryption Standard (AES) CryptoAuthentication 最大117のGPIO 最大120 MHz 最大1024 KBのフラッシュメモリ 2 KBのキャッシュメモリ 最大128 KBのSRAM エネルギー管理、産業オートメーション、ホーム / ビル制御、M2M通信、自動車関連アフターサービス用途などに最適
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
1,598 税込1,758
5日以内出荷

1袋(10個)
1,798 税込1,978
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1袋(10個)
1,698 税込1,868
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仕様メモリサイズ:64Mbit 、 インターフェースタイプ:SPI 、 パッケージタイプ:SOIC 、 ピン数:16 、 構成:8 M x 8ビット 、 実装タイプ:表面実装 、 セルタイプ:スプリットゲート 、 動作供給電圧 Min:2.7 V 、 動作供給電圧 Max:3.6 V 、 ブロック構成:対称 、 長さ:10.3mm 、 高さ:2.05mm 、 幅:7.5mm 、 寸法:10.3 x 7.5 x 2.05mm 、 動作温度 Max: +85 ℃ 、 SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ- ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 / x2 / x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 - 最大104 MHz バーストモード 低消費電力-アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 - セクタ / ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
1,198 税込1,318
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1袋(2個)ほか
829 税込912
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ファミリー名 = AT89C51。パッケージタイプ = VQFP。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 64。デバイスコア = 80C51。データバス幅 = 8bit。プログラムメモリサイズ = 64 kB。最大周波数 = 40MHz。RAMサイズ = 2.048 kB。USBチャンネル = 0。PWMユニット数 = 1 x 8 bit。SPIチャンネル数 = 1。標準動作供給電圧 = 5.5 (最大) V。ADC数 = 8 x 10ビットmm。Microchip 8ビットマイクロコントローラ: CANコントローラと64 KBフラッシュX2モードでは、最大外部クロックレート20 MHzで300 nsサイクル時間に達します。このデバイスには、フルCANコントローラの他に、ISP機能を備えた64 KBフラッシュメモリ、2 KBブートフラッシュメモリ、2 KB EEPROM、2048バイトERAMが組み込まれています。電磁放射の抑制に根本的な注意が払われています。80C51コアアーキテクチャ オンチップRAM: 256バイト オンチップERAM: 2048バイト 64 Kバイトのオンチップフラッシュメモリ データ保持: 10年 @ 85 ℃ 読み取り / 書き込みサイクル: 100 K ブートローダー用の2 Kバイトオンチップフラッシュ 2 KバイトのオンチップEEPROM 読み取り / 書き込みサイクル: 100 K 内蔵電源モニタ(POR: PFD)、内部電源を監視 14ソース4レベル割り込み 16ビットタイマ / カウンター x 3 全二重UART互換80C51 高速アーキテクチャ
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
1,698 税込1,868
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仕様メモリサイズ:16Mbit 、 インターフェースタイプ:クワッドSPI 、 パッケージタイプ:WDFN 、 ピン数:8 、 構成:2 M x 8ビット 、 実装タイプ:表面実装 、 セルタイプ:スプリットゲート 、 動作供給電圧 Min:2.7 V 、 動作供給電圧 Max:3.6 V 、 長さ:6mm 、 高さ:0.8mm 、 幅:5mm 、 寸法:6 x 5 x 0.8mm 、 動作温度 Max: +85 ℃ 、 SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ- ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 / x2 / x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 - 最大104 MHz バーストモード 低消費電力-アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 - セクタ / ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,598 税込1,758
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仕様メモリサイズ:4Mbit、インターフェースタイプ:パラレル、パッケージタイプ:PLCC、ピン数:32、構成:512 K x 8ビット、実装タイプ:表面実装、セルタイプ:スプリットゲート、動作供給電圧 Min:4.5 V、動作供給電圧 Max:5.5 V、長さ:11.43mm、高さ:2.79mm、幅:13.97mm、寸法:11.43 x 13.97 x 2.79mm、ワード数:512K、SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは、パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作 耐久性ー100,000回(標準) 低消費電力 - アクティブ電流10 mA、スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ 読み取りアクセス時間: 55 → 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間ー14 μs(標準) チップ書換え時間ーSST39SF010A 2秒、SST39SF020A 4秒、SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ 自動書き込みー内部VPP生成 End-of-Write検出ートグルビットーデータ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格ーフラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセット RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
2,398 税込2,638
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1袋(10個)ほか
1,698 税込1,868
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ファミリー名 = SAM4S。パッケージタイプ = LQFP。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 100。デバイスコア = ARM Cortex M4。データバス幅 = 32bit。プログラムメモリサイズ = 1.024 MB。最大周波数 = 120MHz。RAMサイズ = 128 kB。USBチャンネル = 1。PWMユニット数 = 1 x 16 bit。SPIチャンネル数 = 3。標準動作供給電圧 = 1.2 V、3.3 V。ADC数 = 16 x 12ビットmm。SMART SAM4S ARMR Cortex-M4マイクロコントローラ. 強力なARMR CortexR-M4コアをベースとするAtmelR SMART SAM4Sシリーズは、拡張可能な性能、メモリ密度、電力効率を実現します。 ハードウェアコート保護を内蔵しています。
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
1,298 税込1,428
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ファミリー名 = SAM3U。パッケージタイプ = TFBGA。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 100。デバイスコア = ARM Cortex M3。データバス幅 = 32bit。プログラムメモリサイズ = 128 kB。最大周波数 = 96MHz。RAMサイズ = 36 kB。USBチャンネル = 1。PWMユニット数 = 1 x 16 bit。SPIチャンネル数 = 4。標準動作供給電圧 = 1.8 V、3.3 V。幅 = 9.05mm。SMART SAM3U ARMR Cortex-M3マイクロコントローラ. ARMR CortexR-M3フラッシュマイクロコントローラをベースとするAtmelR SMART SAM3Uには、オンチップ高速USBデバイス / トランシーバ、SDIO/SDCard/MMC、そしてSPIインターフェイスが装備されています。 このシリーズには、QTouch静電容量タッチサポート、デュアルバンクフラッシュ、メモリ保護ユニットも含まれます。
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
1,198 税込1,318
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メモリサイズ = 256kbit。インターフェースタイプ = パラレル。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 28。構成 = 32 K x 8ビット。動作供給電圧 Min = 4.5 V。動作供給電圧 Max = 5.5 V。プログラミング電圧 = 4.5 → 5.5V。1ワード当たりのビット数 = 8bit。寸法 = 18.1 x 7.6 x 2.35mm。データ保持 = 10年
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(27個)
49,980 税込54,978
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