ローム Nチャンネル MOSFET20 V 100 mA 表面実装 パッケージSC-75 3 ピンROHM7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ: N●最大連続ドレイン電流: 100 mA●最大ドレイン-ソース間電圧: 20 V●シリーズ: RE1C001UN●実装タイプ: 表面実装●ピン数: 3●最大ドレイン-ソース間抵抗: 18 Ω●チャンネルモード: エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧: 1V●最低ゲートしきい値電圧: 0.3V●最大パワー消費: 150 mW●最大ゲート-ソース間電圧: -8 V, +8 V●幅: 0.96mm●高さ: 0.8mm●ローム Nチャンネル MOSFET トランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
ローム Pチャンネル MOSFET20 V 6 A 表面実装 パッケージSOT-346 3 ピンROHM7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ: P●最大連続ドレイン電流: 6 A●最大ドレイン-ソース間電圧: 20 V●シリーズ: RQ5C060BC●実装タイプ: 表面実装●ピン数: 3●最大ドレイン-ソース間抵抗: 51 mΩ●チャンネルモード: エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧: 1.2V●最低ゲートしきい値電圧: 0.5V●最大パワー消費: 1 W●トランジスタ構成: シングル●最大ゲート-ソース間電圧: -8 V, +8 V●幅: 1.8mm●高さ: 0.95mm●ローム Pチャンネル MOSFET トランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
ローム Nチャンネル MOSFET60 V 2 A 表面実装 パッケージSOT-89 3 ピンROHM7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ: N●最大連続ドレイン電流: 2 A●最大ドレイン-ソース間電圧: 60 V●パッケージタイプ: SOT-89●実装タイプ: 表面実装●ピン数: 3●最大ドレイン-ソース間抵抗: 340 mΩ●チャンネルモード: エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧: 2.5V●最低ゲートしきい値電圧: 1V●最大パワー消費: 500 mW●トランジスタ構成: シングル●最大ゲート-ソース間電圧: ±20 V●幅: 2.7mm●高さ: 1.6mm●パワーMOSFETは、幅広い用途に有効なマイクロプロセッシング技術により、低オン抵抗のデバイスとなっています。小型タイプ、高性能タイプ、複合タイプなど、幅広いラインアップにより、市場のさまざまなニーズに対応しています。4 V駆動タイプ NchミドルパワーMOSFET 高速スイッチング速度 小型表面実装パッケージ 鉛フリー 用途: 携帯型データ端末 貨幣計数機 デジタルマルチメータ: 携帯型 モータ制御: ブラシレスDC PLC (プログラマブルロジックコントローラ) ACサーボ ネットワーク接続ストレージ DVR / DVS モータ制御: ステッピングモータ モータ制御: ブラシ付きDC POS (販売時点情報管理システム) 電動自転車 埋め込みPC スマートメータ 監視カメラ セキュリティ用X線検査機 ネットワーク型監視カメラ ドアホン / ベビーモニタ 産業用マシンビジョンカメラ 指紋認証機器 GFCI (漏電ブレーカ) デジタルマルチメータ: 据置型 EMS 用ディスプレイ 太陽光発電インバータRoHS指令(10物質対応)対応
ローム Nチャンネル MOSFET60 V 1.5 A 表面実装 パッケージSOT-323 3 ピンROHM7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ: N●最大連続ドレイン電流: 1.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧: 60 V●シリーズ: RSF015N06●実装タイプ: 表面実装●ピン数: 3●最大ドレイン-ソース間抵抗: 350 mΩ●チャンネルモード: エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧: 2.5V●最低ゲートしきい値電圧: 1V●最大パワー消費: 800 mW●最大ゲート-ソース間電圧: -20 V, +20 V●標準ゲートチャージ @ Vgs: 2 nC @ 5 Vmm●高さ: 0.82mm●ローム Nチャンネル MOSFET トランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
ローム Nチャンネル MOSFET20 V 200 mA 表面実装 パッケージSOT-723 3 ピンROHM翌々日出荷
仕様●チャンネルタイプ: N●最大連続ドレイン電流: 200 mA●最大ドレイン-ソース間電圧: 20 V●シリーズ: RUM002N02●実装タイプ: 表面実装●ピン数: 3●最大ドレイン-ソース間抵抗: 4.8 Ω●チャンネルモード: エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧: 1V●最低ゲートしきい値電圧: 0.3V●最大パワー消費: 150 mW●最大ゲート-ソース間電圧: -8 V, +8 V●長さ: 1.3mm●高さ: 0.45mm●ローム Nチャンネル MOSFET トランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
ローム Pチャンネル MOSFET20 V 200 mA 表面実装 パッケージSOT-323 3 ピンROHM翌々日出荷
仕様●チャンネルタイプ: P●最大連続ドレイン電流: 200 mA●最大ドレイン-ソース間電圧: 20 V●シリーズ: RU1C002ZP●実装タイプ: 表面実装●ピン数: 3●最大ドレイン-ソース間抵抗: 9.6 Ω●チャンネルモード: エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧: 1V●最低ゲートしきい値電圧: 0.3V●最大パワー消費: 150 mW●最大ゲート-ソース間電圧: -10 V, +10 V●幅: 1.35mm●高さ: 1mm●ローム Pチャンネル MOSFET トランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
ローム 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, DTC014YUBTLROHM翌々日出荷
仕様●トランジスタタイプ: NPN●最大DCコレクタ電流: 100 mA●最大コレクタ- エミッタ間電圧: 50 V●パッケージタイプ: SOT-323FL●実装タイプ: 表面実装●最大パワー消費: 200 mW●最小DC電流ゲイン: 68●トランジスタ構成: コモンエミッタ●最大エミッタ-ベース間電圧: 50 V●ピン数: 3●1チップ当たりのエレメント数: 1●標準抵抗比: 4.7kΩ●ローム デュアル抵抗器デジタルNPNトランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
ローム 抵抗内蔵トランジスタ, PNP, 表面実装, -100 mA, DTA014YMT2LROHM7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ: PNP●最大DCコレクタ電流: -100 mA●最大コレクタ- エミッタ間電圧: -50 V●パッケージタイプ: SOT-723●実装タイプ: 表面実装●最大パワー消費: 150 mW●最小DC電流ゲイン: 68●トランジスタ構成: シングル●ピン数: 3●1チップ当たりのエレメント数: 1●標準抵抗比: 4.7kΩ●デュアル抵抗内蔵デジタルPNPトランジスタ、ROHMRoHS指令(10物質対応)対応
ローム 抵抗内蔵トランジスタ, PNP, 表面実装, -100 mA, DTA124EKAT146ROHM7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ: PNP●最大DCコレクタ電流: -100 mA●最大コレクタ- エミッタ間電圧: -50 V●パッケージタイプ: SOT-346●実装タイプ: 表面実装●最大パワー消費: 200 mW●最小DC電流ゲイン: 56●トランジスタ構成: シングル●ピン数: 3●1チップ当たりのエレメント数: 1●標準抵抗比: 1kΩ●デュアル抵抗内蔵デジタルPNPトランジスタ、ROHMRoHS指令(10物質対応)対応
ローム 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, DTC114ECAT116ROHM7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ: NPN●最大DCコレクタ電流: 100 mA●最大コレクタ- エミッタ間電圧: 50 V●パッケージタイプ: SOT-23●実装タイプ: 表面実装●最大パワー消費: 200 mW●トランジスタ構成: コモンエミッタ●最大エミッタ-ベース間電圧: 50 V●ピン数: 3●1チップ当たりのエレメント数: 1●標準抵抗比: 1kΩ●ローム デュアル抵抗器デジタルNPNトランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
ローム 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, DTC114EMT2LROHM7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ: NPN●最大DCコレクタ電流: 100 mA●最大コレクタ- エミッタ間電圧: 50 V●パッケージタイプ: SC-105AA●実装タイプ: 表面実装●最大パワー消費: 150 mW●最小DC電流ゲイン: 30●トランジスタ構成: シングル●ピン数: 3●1チップ当たりのエレメント数: 1●標準抵抗比: 1kΩ●ローム デュアル抵抗器デジタルNPNトランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
ローム 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 500 mA, DTD113ZKT146ROHM翌々日出荷
仕様●トランジスタタイプ: NPN●最大DCコレクタ電流: 500 mA●最大コレクタ- エミッタ間電圧: 50 V●パッケージタイプ: SOT-346 (SC-59)●実装タイプ: 表面実装●最大パワー消費: 200 mW●最小DC電流ゲイン: 56●トランジスタ構成: シングル●ピン数: 3●1チップ当たりのエレメント数: 1●ベースエミッタ抵抗器: 10kΩ●ローム デュアル抵抗器デジタルNPNトランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
ROHM NPN 抵抗器内蔵型トランジスタ, 50 V, 100 mA, 1 kΩ, 3-Pin SOT-323FLROHM7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 1 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-323FLピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 30最大パワー消費 = 200 mW標準抵抗比 = 10構成 = シングル長さ = 2.1mmデュアル抵抗内蔵デジタルNPNトランジスタ、ROHMRoHS指令(10物質対応)対応
ROHM デュアル Pチャンネル パワーMOSFET, 30 V, 5 A, 6 ピン パッケージSOT-457 (SC-74)ROHM翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 38 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -18 V, +18 Vパッケージタイプ = SOT-457 (SC-74)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 1.25 W動作温度 Min = -55 ℃PチャンネルMOSFETトランジスタ、ROHMRoHS指令(10物質対応)対応
ROHM Nチャンネル 小信号 MOSFET, 60 V, 250 mA, 3 ピン パッケージSOT-23 RK7002BM シリーズROHM翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 250 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 12 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 2.3V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 350 mW動作温度 Max = +150 ℃NチャンネルMOSFETトランジスタ、ROHMRoHS指令(10物質対応)対応
ローム 電源スイッチIC IPS SeriesROHM¥349,800税込¥384,780
1セット(2500個)
7日以内出荷
仕様●電源スイッチの種類 : ハイサイドスイッチ●オン抵抗 : 500mΩ●チャンネル数 : 1●動作供給電圧 Max : 36 V●最大動作電流 : 5.5A●実装タイプ : 表面実装●パッケージタイプ : SOP●ピン数 : 8●動作温度 Max : +150 ℃●動作温度 Min : -40 ℃●寸法 : 4.9 x 3.9 x 1.37mm●シリーズ : IPS SeriesRoHS指令(10物質対応)対応
ローム 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, DTC114EU3T106ROHM¥16,980税込¥18,678
1セット(3000個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ: NPN●最大DCコレクタ電流: 100 mA●パッケージタイプ: SOT-323 (SC-70)●実装タイプ: 表面実装●最大パワー消費: 200 mW●最小DC電流ゲイン: 30●トランジスタ構成: シングル●ピン数: 3●1チップ当たりのエレメント数: 1●標準抵抗比: 1kΩ●DTC114EU3は、インバータ、インターフェース及びドライバ用途に適したデジタルトランジスタです。標準デジタルトランジスタ 内蔵バイアス抵抗器 小型表面実装パッケージ 鉛フリーRoHS指令(10物質対応)対応