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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 60 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 16 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 150 W動作温度 Min = -55 ℃NチャンネルSTripFETΩ II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFETΩ MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。 RoHS指令(10物質対応)対応
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1,898 税込2,088
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639 税込703
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仕様メモリサイズ = 64kbitインターフェースタイプ = SPIパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8構成 = 8 K x 8ビット動作供給電圧 Min = 2.5 V動作供給電圧 Max = 5.5 Vプログラミング電圧 = 2.5 → 5.5V長さ = 4.9mm幅 = 3.9mm高さ = 1.25mm寸法 = 4.9 x 3.9 x 1.25mm動作温度 Max = +85 ℃EEPROM、SPIシリアル、STMicroelectronics. シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)バスに対応 RoHS指令(10物質対応)対応
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629 税込692
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仕様メモリサイズ = 1Mbitインターフェースタイプ = SPIパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8構成 = 131072 x 8ビット動作供給電圧 Min = 1.8 V動作供給電圧 Max = 5.5 V1ワード当たりのビット数 = 8bit長さ = 5mm幅 = 4mm高さ = 1.25mm寸法 = 5 x 4 x 1.25mm動作温度 Max = +85 ℃EEPROM、SPIシリアル、STMicroelectronics. シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)バスに対応 RoHS指令(10物質対応)対応
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1,498 税込1,648
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仕様メモリサイズ = 256kbitインターフェースタイプ = SPIパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8構成 = 32 K x 8ビット動作供給電圧 Min = 2.5 V動作供給電圧 Max = 5.5 Vプログラミング電圧 = 2.5 → 5.5V長さ = 4.9mm幅 = 3.9mm高さ = 1.25mm寸法 = 4.9 x 3.9 x 1.25mmデータ保持 = 40年EEPROM、SPIシリアル、STMicroelectronics. シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)バスに対応 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
629 税込692
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仕様メモリサイズ = 2Mbitインターフェースタイプ = シリアルパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8構成 = 256 K x 8ビット動作供給電圧 Min = 1.8 V動作供給電圧 Max = 5.5 V1ワード当たりのビット数 = 8bit長さ = 5mm幅 = 4mm高さ = 1.25mm寸法 = 5 x 4 x 1.25mmデータ保持 = 200年EEPROMシリアルI2C、STMicroelectronics. あらゆるI2Cバスインターフェイスモードに対応 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
2,498 税込2,748
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仕様メモリサイズ = 2kbitインターフェースタイプ = シリアル-I2Cパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8構成 = 256 x 8ビット動作供給電圧 Min = 2.5 V動作供給電圧 Max = 5.5 Vプログラミング電圧 = 2.5 → 5.5V長さ = 4.9mm幅 = 3.9mm高さ = 1.25mm寸法 = 4.9 x 3.9 x 1.25mm動作温度 Max = +85 ℃EEPROMシリアルI2C、STMicroelectronics. あらゆるI2Cバスインターフェイスモードに対応 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
619 税込681
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