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実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ DO-204AL。最大連続 順方向電流 1A。ピーク逆繰返し電圧 50V。シリーズ 1N4001。整流タイプ 汎用。ダイオードタイプ 整流器。ピン数 2。最大順方向降下電圧 1.1V。1チップ当たりのエレメント数 1。ダイオードテクノロジー シリコンジャンクション。直径 2.7mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 45A。Vishay 1N4001-1N4007汎用プラスチック整流器. Vishay 1N4001 1N4007 シリーズの1 A整流ダイオードは、汎用用途向けに設計されています。これらの製品は、25.4 mmスズめっきリード付きのDO-204AL (DO-41)プラスチックパッケージに収められています。 特長： 低順方向電圧降下 低漏洩電流 高順方向サージ機能 何に使用しますか? 1N4001 1N4007シリーズは、電源、インバータ、コンバータ、還流ダイオードの整流に最適です。汎用用途向けに設計されているため、さまざまな可能性があります。 動作時のジャンクション温度 -50 +150℃ 種類(ピーク繰り返し逆電圧あり)： 1N4001-50 1N4002 100 1N4003-200 1N4004-400 1N4005 600 1N4006-800 1N4007-1000 V

実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ DO-204AL。最大連続 順方向電流 1A。ピーク逆繰返し電圧 600V。シリーズ 1N4005。整流タイプ 汎用。ダイオードタイプ 整流器。ピン数 2。最大順方向降下電圧 1.1V。1チップ当たりのエレメント数 1。ダイオードテクノロジー シリコンジャンクション。直径 2.7mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 45A。Vishay 1N4001-1N4007汎用プラスチック整流器. Vishay 1N4001 1N4007 シリーズの1 A整流ダイオードは、汎用用途向けに設計されています。これらの製品は、25.4 mmスズめっきリード付きのDO-204AL (DO-41)プラスチックパッケージに収められています。 特長： 低順方向電圧降下 低漏洩電流 高順方向サージ機能 何に使用しますか? 1N4001 1N4007シリーズは、電源、インバータ、コンバータ、還流ダイオードの整流に最適です。汎用用途向けに設計されているため、さまざまな可能性があります。 動作時のジャンクション温度 -50 +150℃ 種類(ピーク繰り返し逆電圧あり)： 1N4001-50 1N4002 100 1N4003-200 1N4004-400 1N4005 600 1N4006-800 1N4007-1000 V

Vishay138シリーズ。Vishay138シリーズは、非常に信頼性の高いブッシュ取り付けポテンショメータです。138シリーズは、産業用途向けに設計され、環境劣化に対する優れた耐性を発揮するために完全に密閉されています。優れた温度安定性長い回転寿命完全密閉構造

Vishay138シリーズ。Vishay138シリーズは、非常に信頼性の高いブッシュ取り付けポテンショメータです。138シリーズは、産業用途向けに設計され、環境劣化に対する優れた耐性を発揮するために完全に密閉されています。優れた温度安定性長い回転寿命完全密閉構造

ダイオード構成 = シングルA。実装タイプ = 表面実装。最大逆電圧 = 1000V。パッケージタイプ = DO-219AB。ピン数 = 2。最大ダイオードキャパシタンス = 4pF。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 2.9mm。幅 = 1.9mm。高さ = 1.08mm。寸法 = 2.9 x 1.9 x 1.08mm

チャンネルタイプ P。最大連続ドレイン電流 50 A。最大ドレイン-ソース間電圧 60 V。パッケージタイプ TO-252AA。実装タイプ 表面実装。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 28 m。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 -3V。最低ゲートしきい値電圧 -1V。最大パワー消費 113 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 ±20 V。長さ 6.73mm。動作温度 Min -55 ℃mm

最大順方向電流 = 30A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大逆電圧 = 600V。パッケージタイプ = TO-220。ピン数 = 2 + Tab。最大ダイオードキャパシタンス = 20pF。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 10.36mm。幅 = 4.93mm。高さ = 16.07mm。寸法 = 10.36 x 4.93 x 16.07mm

シリーズ BFC2。電圧 250V dc。温度特性 PTFE。実装タイプ スルーホール。寸法 10 11 11mm。奥行き 11mm。高さ 11mm。長さ 10mm。最小静電容量 5pF。動作温度 Min -40℃。LNZ 4404. 080 調整可能なコンデンサ. 業務用コンデンサーで、調整デバイスが両面にあります。 小型測定アセンブリ用に開発され、高温での動作に特化して設計されています。 同調高周波回路の微調整が可能です。

最大順方向電流 = 4A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大逆電圧 = 200V。パッケージタイプ = TO-252AA。ピン数 = 3 + Tab。最大ダイオードキャパシタンス = 17pF。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 6.73mm。幅 = 6.22mm。高さ = 2.26mm。寸法 = 6.73 x 6.22 x 2.26mm

ダイオード構成 = コモンカソード。1チップ当たりのエレメント数 = 2。パッケージタイプ = TO-247AD。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 3V。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 16.4mm。幅 = 5.16mm。高さ = 21.3mm。寸法 = 16.4 x 5.16 x 21.3mm。超高速回復整流器(16 → 330 A)、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.4 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 74 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V。長さ = 10.41mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、500 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 3.1 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 150 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 2.4 W。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 5mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。デュアルPチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 4.6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 80 V。パッケージタイプ SOT-23。実装タイプ 表面実装。ピン数 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 126 m。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 3V。最低ゲートしきい値電圧 1.2V。最大パワー消費 3.6 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 ±20 V。長さ 3.1mm。動作温度 Min -55 ℃mm。TrenchFETRパワーMOSFET 材料の分類: 用途 ポータブルデバイス用負荷スイッチ LEDバックライトスイッチ DC/DCコンバータ ブーストコンバータ

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 12 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 19 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 1.7 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。長さ = 3.04mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 9.9 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 14 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V。最大パワー消費 = 2.5 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 5mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、30 → 50 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = TSOP-6。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 60 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 3.3 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。長さ = 3.1mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 19 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = D2PAK (TO-263)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 200 MΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 150 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 10.67mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 5.2 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 800 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 50 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 10.41mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、200 → 250 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 5.6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 540 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 43 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 10.41mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、100 → 150 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N， P。最大連続ドレイン電流 = 4.7 A、6.8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 42.5 mΩ， 62 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V。最大パワー消費 = 3 W、3.1 W。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 5mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。デュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 7.11mm。幅 = 6.22mm。高さ = 2.42mm。寸法 = 7.11 x 6.22 x 2.42mm。標準回復整流器、2 → 10 A. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。

ダイオード構成 = シングルA。実装タイプ = 表面実装。最大逆電圧 = 1000V。パッケージタイプ = DO-219AB。ピン数 = 2。最大ダイオードキャパシタンス = 4pF。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 2.9mm。幅 = 1.9mm。高さ = 1.08mm。寸法 = 2.9 x 1.9 x 1.08mm。自動車規格 = AEC-Q101。表面実装用途向け 低プロファイルパッケージ 自動位置決めに最適

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = μSMP。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 2.3mm。幅 = 1.4mm。高さ = 0.73mm。寸法 = 2.3 x 1.4 x 0.73mm。標準回復整流器、1 A、450 V超. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 4.3 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 540 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 2.5 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 6.73mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、100 → 150 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 185 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 9 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = -3V。最低ゲートしきい値電圧 = -1V。最大パワー消費 = 350 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = ±20 V。長さ = 3.04mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 10 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 550 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 125 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 10.41mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 10 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 550 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 125 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V。長さ = 10.41mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 6.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 800 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 74 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 10.41mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

最大順方向電流 = 3A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大逆電圧 = 400V。パッケージタイプ = SMC。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 7.11mm。幅 = 6.22mm。高さ = 2.42mm。寸法 = 7.11 x 6.22 x 2.42mm。標準回復整流器、2 → 10 A. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = DO-204AC。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 5.2mm。寸法 = 2.7 (Dia.) x 5.2mm。直径 = 2.7mm。Vishay Semiconductor 高速回復整流器 1A. 業界標準のパッケージに収められ、汎用で高効率の高速リカバリダイオードです。. 高さ 1 mm の低プロファイルです アバランシェ整流器

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 10 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 200 MΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 43 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 10.41mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、60 → 90 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 1.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = SOT-223。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 540 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 3.1 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 6.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、100 → 150 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 14 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V。パッケージタイプ = TO-247AC。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 400 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 190 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V。長さ = 15.87mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、500 V、Vishay Semiconductor

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = DO-213AB。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 5.2mm。寸法 = 5.2 x 2.67mm。直径 = 2.67mm。Vishay Semiconductor 高速回復整流器 1A. 業界標準のパッケージに収められ、汎用で高効率の高速リカバリダイオードです。. 高さ 1 mm の低プロファイルです アバランシェ整流器