ディスクリート ：「漏れ電流」の検索結果

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = SOD-64。ツェナータイプ = アバランシェ。ピン数 = 2。最大逆漏れ電流 = 50μA。寸法 = 4.3 (Dia.). x 4mm。動作温度 Min = -55 ℃A

標準ツェナー電圧 = 18V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1 W。パッケージタイプ = DO-213AB。ツェナータイプ = 汎用。ツェナー電圧許容性 = ±5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 14mA。最大ツェナーインピーダンス = 20Ω。最大逆漏れ電流 = 5μA。寸法 = 2.6 (Dia.) x 5.2mm。動作温度 Min = -65 ℃

標準ツェナー電圧 = 36V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1.3 W。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 7mA。最大ツェナーインピーダンス = 50Ω。最大逆漏れ電流 = 5μA。寸法 = 2.6 (Dia.) x 4.1mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード1.3 W、1N47xxAシリーズ、Vishay Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 31V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1 W。パッケージタイプ = DO-213AB。ツェナータイプ = 汎用。ツェナー電圧許容性 = ±5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 25mA。最大ツェナーインピーダンス = 20Ω。最大逆漏れ電流 = 25μA。寸法 = 2.6 (Dia.) x 5.2mm。動作温度 Min = -55 ℃

標準ツェナー電圧 = 68V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1.3 W。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 汎用。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 3.7A。最大ツェナーインピーダンス = 150Ω。最大逆漏れ電流 = 5μA。寸法 = 2.6 (Dia.) x 4.1mm。動作温度 Max = +175 ℃。ツェナーダイオード1.3 W、1N47xxAシリーズ、Vishay Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 10V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = MicroMELF。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = <15Ω。最大逆漏れ電流 = <2μA。寸法 = 2 x 1.2 x 1.2mm。動作温度 Max = +175 ℃%/K。ツェナーダイオード500 mW、BZM55シリーズ、Vishay Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 6.2V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = DO-35。ツェナータイプ = 汎用。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 20mA。最大ツェナーインピーダンス = 7Ω。最大逆漏れ電流 = 5μA。寸法 = 1.7 (Dia.) x 3.9mm。標準電圧温度係数 = 0.045%/K。ツェナーダイオード500 mW、1N52xxシリーズ、Vishay Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 3.3V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1300 mW。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 2。テスト電流 = 80mA。最大ツェナーインピーダンス = 20Ω。最大逆漏れ電流 = 40μA。寸法 = 4.1 x 2.6 x 2.6mm。標準電圧温度係数 = -0.065%/℃。ツェナーダイオード1.3 W、BZX85シリーズ、Vishay Semiconductor. シリコン平面パワーツェナーダイオード 定格電力の高い安定回路及びクリッピング回路で使用

標準ツェナー電圧 = 47V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 3.25 W。パッケージタイプ = SOD-57。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ピン数 = 2。テスト電流 = 10mA。最大ツェナーインピーダンス = 45Ω。最大逆漏れ電流 = 1μA。寸法 = 4 (Dia.) x 3.6mm。標準電圧温度係数 = 0.12%/K。ガラス不動態化ジャンクション ハーメチックシールドパッケージ ピコ秒単位のクランプ時間 中電力電圧レギュレータ及び中電力過渡抑制回路

標準ツェナー電圧 = 5.1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1300 mW。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 2。テスト電流 = 45mA。最大ツェナーインピーダンス = 10Ω。最大逆漏れ電流 = 1μA。寸法 = 4.1 x 2.6 x 2.6mm。標準電圧温度係数 = 0.015%/℃。ツェナーダイオード1.3 W、BZX85シリーズ、Vishay Semiconductor. シリコン平面パワーツェナーダイオード 定格電力の高い安定回路及びクリッピング回路で使用

標準ツェナー電圧 = 6.2V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1300 mW。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 2。テスト電流 = 35mA。最大ツェナーインピーダンス = 4Ω。最大逆漏れ電流 = 1μA。寸法 = 4.1 x 2.6 x 2.6mm。標準電圧温度係数 = 0.033%/℃。ツェナーダイオード1.3 W、BZX85シリーズ、Vishay Semiconductor. シリコン平面パワーツェナーダイオード 定格電力の高い安定回路及びクリッピング回路で使用

標準ツェナー電圧 = 4.7V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 300 mW。パッケージタイプ = SOT-23。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 3。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 80Ω。最大逆漏れ電流 = 3μA。寸法 = 3.1 x 1.43 x 1.05mm。標準電圧温度係数 = -0.015%/℃。ツェナーダイオード300 mW、BZX84シリーズ、Vishay Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (BZX84B)、約5 % (BZX84C) 表面実装ケース: SOT-23

標準ツェナー電圧 = 12V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1.3 W。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 20mA。最大ツェナーインピーダンス = 9Ω。最大逆漏れ電流 = 500nA。寸法 = 2.5 (Dia.) x 4.1mm。動作温度 Max = +175 ℃%/℃。ツェナーダイオード1.3 W、BZX85シリーズ、Vishay Semiconductor. シリコン平面パワーツェナーダイオード 定格電力の高い安定回路及びクリッピング回路で使用

標準ツェナー電圧 = 15V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1.3 W。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 2。テスト電流 = 15mA。最大ツェナーインピーダンス = 15Ω。最大逆漏れ電流 = 500nA。寸法 = 2.5 (Dia.) x 4.1mm。標準電圧温度係数 = 0.055 %/℃， 0.09%/℃。ツェナーダイオード1.3 W、BZX85シリーズ、Vishay Semiconductor. シリコン平面パワーツェナーダイオード 定格電力の高い安定回路及びクリッピング回路で使用

標準ツェナー電圧 = 6.8V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = DO-35。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 8Ω。最大逆漏れ電流 = 100nA。寸法 = 3.9 x 1.7 x 1.7mm。動作温度 Max = +175 ℃%/℃。ツェナーダイオード500 mW、BZX55Cシリーズ、Vishay Semiconductor. 小信号ツェナーダイオード 非常に優れた逆特性 低い逆電流レベル 非常に高い安定性 低ノイズ AEC-Q101認定

標準ツェナー電圧 = 9.1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = DO-35。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 10Ω。最大逆漏れ電流 = 100nA。寸法 = 3.9 x 1.7 x 1.7mm。標準電圧温度係数 = 0.06%/℃。ツェナーダイオード500 mW、BZX55Cシリーズ、Vishay Semiconductor. 小信号ツェナーダイオード 非常に優れた逆特性 低い逆電流レベル 非常に高い安定性 低ノイズ AEC-Q101認定

ダイオード構成 = シングルV。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = DO-35。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 80Ω。最大逆漏れ電流 = 2μA。寸法 = 1.7 (Dia.) x 3.9mm。標準電圧温度係数 = 0.12%/K。ツェナーダイオード500 mW、BZX55Cシリーズ、Vishay Semiconductor. 小信号ツェナーダイオード 非常に優れた逆特性 低い逆電流レベル 非常に高い安定性 低ノイズ AEC-Q101認定

標準ツェナー電圧 = 6.2V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = MiniMELF。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 10Ω。最大逆漏れ電流 = 100nA。寸法 = 3.7 x 1.6 x 1.6mm。動作温度 Max = +175 ℃%/℃。ツェナーダイオード500 mW、TZMシリーズ、Vishay Semiconductor. Vishay製の定格500 mWの表面実装(SMT)ツェナーダイオードは、3.3 → 75 Vの範囲の破壊電圧に対応します。

標準ツェナー電圧 = 3.9V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-80。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 2%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 90Ω。最大逆漏れ電流 = 40μA。寸法 = 3.7 x 1.6 x 1.6mm。動作温度 Max = +175 ℃%/K。ツェナーダイオード500 mW、TZMシリーズ、Vishay Semiconductor. Vishay製の定格500 mWの表面実装(SMT)ツェナーダイオードは、3.3 → 75 Vの範囲の破壊電圧に対応します。

標準ツェナー電圧 = 3.3V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = MiniMELF。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 90Ω。最大逆漏れ電流 = 2μA。寸法 = 3.7 x 1.6 x 1.6mm。標準電圧温度係数 = -0.065%/℃。ツェナーダイオード500 mW、TZMシリーズ、Vishay Semiconductor. Vishay製の定格500 mWの表面実装(SMT)ツェナーダイオードは、3.3 → 75 Vの範囲の破壊電圧に対応します。

標準ツェナー電圧 = 12V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = MiniMELF。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 2%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 90Ω。最大逆漏れ電流 = 2μA。寸法 = 1.6 (Dia.) x 3.7mm。標準電圧温度係数 = 0.03 %/℃， 0.11%/℃。ツェナーダイオード500 mW、TZMシリーズ、Vishay Semiconductor. Vishay製の定格500 mWの表面実装(SMT)ツェナーダイオードは、3.3 → 75 Vの範囲の破壊電圧に対応します。

標準ツェナー電圧 = 4.7V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = Quadro MiniMelf。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 600Ω。最大逆漏れ電流 = 10μA。寸法 = 1.6 (Dia.) x 3.7mm。標準電圧温度係数 = -0.05 %/℃， 0.02%/℃。ツェナーダイオード500 mW、BZT55シリーズ、Vishay Semiconductor. 小信号ツェナーダイオード 非常に優れた逆特性 低い逆電流レベル 非常に高い安定性 低ノイズ AEC-Q101認定

標準ツェナー電圧 = 18V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = MiniMELF。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 2%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 50Ω。最大逆漏れ電流 = 100nA。寸法 = 3.7 x 1.6 x 1.6mm。標準電圧温度係数 = 0.07%/℃。ツェナーダイオード500 mW、TZMシリーズ、Vishay Semiconductor. Vishay製の定格500 mWの表面実装(SMT)ツェナーダイオードは、3.3 → 75 Vの範囲の破壊電圧に対応します。

標準ツェナー電圧 = 18V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = MiniMELF。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 170Ω。最大逆漏れ電流 = 2μA。寸法 = 1.6 (Dia.) x 3.7mm。動作温度 Max = +175 ℃%/℃。ツェナーダイオード500 mW、TZMシリーズ、Vishay Semiconductor. Vishay製の定格500 mWの表面実装(SMT)ツェナーダイオードは、3.3 → 75 Vの範囲の破壊電圧に対応します。

標準ツェナー電圧 = 16V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1.3 W。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 2。テスト電流 = 15mA。最大ツェナーインピーダンス = 15Ω。最大逆漏れ電流 = 500nA。寸法 = 2.5 (Dia.) x 4.1mm。標準電圧温度係数 = 0.055 %/℃， 0.09%/℃。ツェナーダイオード1.3 W、BZX85シリーズ、Vishay Semiconductor. シリコン平面パワーツェナーダイオード 定格電力の高い安定回路及びクリッピング回路で使用

標準ツェナー電圧 = 200V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1.5 W。パッケージタイプ = DO-204AL。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 1500Ω。最大逆漏れ電流 = 500nA。寸法 = 2.7 (Dia.) x 5.2mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード1.5 W、Z4KE100A - Z4KE200Aシリーズ、Vishay Semiconductor. ガラス不動態化電力電圧調整式ダイオード プラスチックMELFパッケージ 自動位置決めに最適 低ツェナーインピーダンス 低調整定数 AEC-Q101認定

標準ツェナー電圧 = 5.1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = MiniMELF。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 550Ω。最大逆漏れ電流 = 10μA。寸法 = 1.6 (Dia.) x 3.7mm。標準電圧温度係数 = -0.02 %/℃， 0.02%/℃。ツェナーダイオード500 mW、TZMシリーズ、Vishay Semiconductor. Vishay製の定格500 mWの表面実装(SMT)ツェナーダイオードは、3.3 → 75 Vの範囲の破壊電圧に対応します。

標準ツェナー電圧 = 5.1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = DO-35。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 550Ω。最大逆漏れ電流 = 2μA。寸法 = 1.7 (Dia.) x 3.9mm。標準電圧温度係数 = -0.02 %/℃， 0.02%/℃。ツェナーダイオード500 mW、BZX55Cシリーズ、Vishay Semiconductor. 小信号ツェナーダイオード 非常に優れた逆特性 低い逆電流レベル 非常に高い安定性 低ノイズ AEC-Q101認定

標準ツェナー電圧 = 15V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = DO-35。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 110Ω。最大逆漏れ電流 = 2μA。寸法 = 1.7 (Dia.) x 3.9mm。標準電圧温度係数 = 0.03 %/℃， 0.11%/℃。ツェナーダイオード500 mW、BZX55Cシリーズ、Vishay Semiconductor. 小信号ツェナーダイオード 非常に優れた逆特性 低い逆電流レベル 非常に高い安定性 低ノイズ AEC-Q101認定

静電容量 = 15F。電圧 = 4.2V dc。実装タイプ = スルーホール。動作温度 Min = -20℃。動作温度 Max = +85℃。直径 = 12mm。寸法 = 12 (Dia.) x 7.5mm。リード間隔 = 12.5mm。漏れ電流 = 0.12 mA。等価直列抵抗 = 1.8 (ac) Ω， 7.5 (dc) Ω。寿命 = 1000h。シリーズ = 196 HVC。許容差 = -20 → +80%。末端仕様 = ラジアルmm。196 HVCシリーズ. 低プロファイル: 2.5 mm 13 Ws/gの高電力密度 最高6つのセルを使用可能 90 Fまでの静電容量 スタック式スルーホール、フラット表面実装、及びレイフラット構成を備えたピン、タブ、コネクタを用意 幅広い電圧範囲: 1.4 → 8.4 V 有効寿命: 1000時間 @ +85 ℃. 組み込みコンピュータ、サーバー、データストレージシステム、業務用リモコン、リアルタイムクロック、緊急照明、ゲーム、自動販売機、ネットワーク機器における環境発電と電源ラインのバックアップ用途

静電容量 = 4F。電圧 = 2.8V dc。実装タイプ = 表面実装。動作温度 Min = -20℃。動作温度 Max = +70℃。直径 = 7.5mm。高さ = 2.5mm。寸法 = 7 x 14 x 2.5mm。漏れ電流 = 0.03 mA。等価直列抵抗 = 15 (dc) Ω， 5 (ac) Ω。寿命 = 1000h。シリーズ = 196 HVC。許容差 = -20 → +80%。コンデンサファミリ = 電気2層mm。196 HVCシリーズ. 低プロファイル: 2.5 mm 13 Ws/gの高電力密度 最高6つのセルを使用可能 90 Fまでの静電容量 スタック式スルーホール、フラット表面実装、及びレイフラット構成を備えたピン、タブ、コネクタを用意 幅広い電圧範囲: 1.4 → 8.4 V 有効寿命: 1000時間 @ +85 ℃. 組み込みコンピュータ、サーバー、データストレージシステム、業務用リモコン、リアルタイムクロック、緊急照明、ゲーム、自動販売機、ネットワーク機器における環境発電と電源ラインのバックアップ用途

静電容量 = 90F。電圧 = 5.6V dc。実装タイプ = スルーホール。動作温度 Min = -20℃。動作温度 Max = +85℃。高さ = 15mm。寸法 = 35 x 25 x 15mm。リード間隔 = 15mm。漏れ電流 = 0.5 mA。等価直列抵抗 = 180 (dc) mΩ， 60 (ac) mΩ。寿命 = 1000h。シリーズ = 196 HVC。許容差 = -20 → +80%。末端仕様 = ラジアルmm。196 HVCシリーズ. 低プロファイル: 2.5 mm 13 Ws/gの高電力密度 最高6つのセルを使用可能 90 Fまでの静電容量 スタック式スルーホール、フラット表面実装、及びレイフラット構成を備えたピン、タブ、コネクタを用意 幅広い電圧範囲: 1.4 → 8.4 V 有効寿命: 1000時間 @ +85 ℃. 組み込みコンピュータ、サーバー、データストレージシステム、業務用リモコン、リアルタイムクロック、緊急照明、ゲーム、自動販売機、ネットワーク機器における環境発電と電源ラインのバックアップ用途

逆方向の電圧を加えたときに定電圧を発生するダイオードです。定電圧回路およびサージ電流や静電気からICなどを守る保護デバイスとして使用します。