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ダイオード構成 = シングルA実装タイプ = 表面実装最大逆電圧 = 1000Vパッケージタイプ = DO-219ABピン数 = 2最大ダイオードキャパシタンス = 4pF動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +175 ℃長さ = 2.9mm幅 = 1.9mm高さ = 1.08mm寸法 = 2.9 x 1.9 x 1.08mm自動車規格 = AEC-Q101表面実装用途向け 低プロファイルパッケージ 自動位置決めに最適

ダイオード構成 = シングルA1チップ当たりのエレメント数 = 1最大逆電圧 = 400Vパッケージタイプ = SMAダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2V動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 4.5mm幅 = 2.79mm高さ = 2.09mm寸法 = 4.5 x 2.79 x 2.09mmVishay Semiconductor 高速回復整流器 1A. 業界標準のパッケージに収められ、汎用で高効率の高速リカバリダイオードです。. 高さ 1 mm の低プロファイルです アバランシェ整流器

ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1パッケージタイプ = DO-213ABダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2V動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +175 ℃長さ = 5.2mm寸法 = 5.2 x 2.67mm直径 = 2.67mmVishay Semiconductor 高速回復整流器 1A. 業界標準のパッケージに収められ、汎用で高効率の高速リカバリダイオードです。. 高さ 1 mm の低プロファイルです アバランシェ整流器

ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1パッケージタイプ = SMAダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2Vishay Semiconductor 高速回復整流器 1A. 業界標準のパッケージに収められ、汎用で高効率の高速リカバリダイオードです。. 高さ 1 mm の低プロファイルです アバランシェ整流器

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 17V最小ブレークダウン電圧 = 11.1V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 10Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 35.3A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.24mm高さ = 2.24mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信

ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 48.4V最小ブレークダウン電圧 = 33.3V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 30Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 12.4A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.24mm幅 = 3.94mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 38.9V最小ブレークダウン電圧 = 26.7V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 24Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 15.4A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 3.94mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信

方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 28.8V最小ブレークダウン電圧 = 17.8V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 16Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 20.8AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 3.94mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 77.4V最小ブレークダウン電圧 = 53.3V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 48Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 7.8A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm高さ = 2.24mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 27.6V最小ブレークダウン電圧 = 18.9V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 17Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 21.7A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm高さ = 2.24mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 10.3V最小ブレークダウン電圧 = 6.67V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 6Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 58.3A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 3.94mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大連続 順方向電流 = 1.5Aピーク逆繰返し電圧 = 400Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = アバランシェダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.15V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 4μsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A標準回復整流器、1.5 A. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。. 高さ1 mmの低プロファイル アバランシェ整流

ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 19.9V最小ブレークダウン電圧 = 13.3V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 12Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 30.2A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.24mm高さ = 2.24mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信

方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 38.9V最小ブレークダウン電圧 = 26.7V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 24Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 15.4A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm高さ = 2.24mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 12.9V最小ブレークダウン電圧 = 8.33V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 7.5Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 46.5A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.24mm幅 = 3.94mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 53.3V最小ブレークダウン電圧 = 36.7V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 33Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 11.3A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.24mm幅 = 3.94mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信

方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 53.5V最小ブレークダウン電圧 = 33.3V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 30Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 11.2AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 3.94mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 58.1V最小ブレークダウン電圧 = 40V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 36Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 10.3A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 3.94mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 9.2V最小ブレークダウン電圧 = 6.4V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-215AA最大逆スタンドオフ電圧 = 5Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 65.2A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.21mmテスト電流 = 10mATRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBGシリーズ、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-215AA (SMBG)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 9.2V最小ブレークダウン電圧 = 6.4V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 5Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 65.2A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 3.94mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大連続 順方向電流 = 1.5Aピーク逆繰返し電圧 = 1600Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = アバランシェダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.15V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 4μsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A標準回復整流器、1.5 A. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。. 高さ1 mmの低プロファイル アバランシェ整流

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 42.1V最小ブレークダウン電圧 = 28.9V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 26Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 14.3A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃幅 = 3.8mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信

ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 24.4V最小ブレークダウン電圧 = 16.7V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 15Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 24.6A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.24mm幅 = 3.94mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 29.2V最小ブレークダウン電圧 = 20V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 18Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 20.5A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 4.7mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大連続 順方向電流 = 1.5Aピーク逆繰返し電圧 = 400Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = 汎用ダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.15V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 2μsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A標準回復整流器、1.5 A. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。. 高さ1 mmの低プロファイル アバランシェ整流

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大連続 順方向電流 = 1.5Aピーク逆繰返し電圧 = 200Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = 汎用ダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.15V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 2μsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A標準回復整流器、1.5 A. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。. 高さ1 mmの低プロファイル アバランシェ整流

実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-204AL最大連続 順方向電流 = 1.5Aピーク逆繰返し電圧 = 1000Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = 汎用ダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.4V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 2μs直径 = 2.7mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A標準回復整流器、1.5 A. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。. 高さ1 mmの低プロファイル アバランシェ整流

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大連続 順方向電流 = 1.5Aピーク逆繰返し電圧 = 50Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = 汎用ダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.15V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 2μsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A標準回復整流器、1.5 A. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。. 高さ1 mmの低プロファイル アバランシェ整流

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大連続 順方向電流 = 1Aピーク逆繰返し電圧 = 200Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = 汎用ダイオードタイプ = 超高速整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 920mV1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 35nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30AVishay シリコンジャンクションダイオード： ES1A 、 ES1B 、 ES1C 、 ES1D. 特長 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化ペレットチップジャンクション 高効率の超高速リカバリ時間 低順方向電圧、低電力損失 高順方向サージ機能 MSL レベル 1 ( J-STD-020 、 LF 最大 Peak )に対応 ( 260 ° C ) AEC-Q101 認定済み - 自動車注文コード： P/NHE3 または P/NHM3 代表的な用途 高周波整流及びフリーホイーリングで使用します 用途には、のスイッチングモードコンバータ及びインバータがあります 民生機器、コンピュータ、自動車、通信 機械データ ケース： SMA ( DO-214AC ) 成形化合物は UL94 V-0 難燃性等級に適合しています ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード ベース P/N-M3-ハロゲン フリー、 RoHS 準拠、商用 グレード ベース P/NHE3_X - RoHS 準拠、 AEC-Q101 認定 ベース P/NHM3_X - ハロゲンフリー、 RoHS 準拠、および AEC-Q101認定 (「 _X 」はリビジョンコード(例： A 、 B 、 ... ) 端子： つや消しスズめっきリード、はんだ付け可能 J-STD-002 及び JESD 22-B102 を搭載 末尾が E3 、 M3 、 HE3 、 HM3 は、 JESD 201 クラス 2 に適合します ウィスカ試験 極性： カラーバンドでカソード端を表示

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大連続 順方向電流 = 1Aピーク逆繰返し電圧 = 200Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = 汎用ダイオードタイプ = 超高速整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 920mV1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 25nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30AVishay シリコンジャンクションダイオード： ES1A 、 ES1B 、 ES1C 、 ES1D. 特長 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化ペレットチップジャンクション 高効率の超高速リカバリ時間 低順方向電圧、低電力損失 高順方向サージ機能 MSL レベル 1 ( J-STD-020 、 LF 最大 Peak )に対応 ( 260 ° C ) AEC-Q101 認定済み - 自動車注文コード： P/NHE3 または P/NHM3 代表的な用途 高周波整流及びフリーホイーリングで使用します 用途には、のスイッチングモードコンバータ及びインバータがあります 民生機器、コンピュータ、自動車、通信 機械データ ケース： SMA ( DO-214AC ) 成形化合物は UL94 V-0 難燃性等級に適合しています ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード ベース P/N-M3-ハロゲン フリー、 RoHS 準拠、商用 グレード ベース P/NHE3_X - RoHS 準拠、 AEC-Q101 認定 ベース P/NHM3_X - ハロゲンフリー、 RoHS 準拠、および AEC-Q101認定 (「 _X 」はリビジョンコード(例： A 、 B 、 ... ) 端子： つや消しスズめっきリード、はんだ付け可能 J-STD-002 及び JESD 22-B102 を搭載 末尾が E3 、 M3 、 HE3 、 HM3 は、 JESD 201 クラス 2 に適合します ウィスカ試験 極性： カラーバンドでカソード端を表示

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大連続 順方向電流 = 1Aピーク逆繰返し電圧 = 1000Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = 汎用ダイオードタイプ = 超高速整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.7V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 75nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30AVishay US1A-US1M SMD超高速高効率整流器. VishayのUS1A及びUS1Mシリーズは、超高速表面実装整流ダイオードです。小型の低プロファイルパッケージを特長とするこれらの整流器は、自動ピックアンドプレース装置で使用できます。. 特長と利点. US1A及びUS1M整流器は、つや消しスズめっきリードが特長(モデルに応じてJ-STD-002及びJESD 22 B-102準拠のはんだ付けに対応) カラーバンドでカソード端を表示 これらの整流器は、逆耐圧を強化して漏電リスクを低減できるガラス不動態化パレットチップジャンクションで構成 これらの整流ダイオードは、超高速の逆回復時間と低スイッチング損失により高効率 US1A及びUS1M整流器はMSL1 (耐湿性レベル1)に適合し、パッケージは堅牢で、リフロー中に高い耐湿性を発揮 高順方向サージの管理が可能. 用途. これらの整流器は、還流及び高周波の用途に適しています。また、コンピュータ、通信機器、家電製品のスイッチングモードインバータ及びコンバータに使用できます。 これらの整流器はAEC-Q101認定済みで、車載用途にも適しています。

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大連続 順方向電流 = 1Aピーク逆繰返し電圧 = 600Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = 汎用ダイオードタイプ = 超高速整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.7V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 75nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30AVishay US1A-US1M SMD超高速高効率整流器. VishayのUS1A及びUS1Mシリーズは、超高速表面実装整流ダイオードです。小型の低プロファイルパッケージを特長とするこれらの整流器は、自動ピックアンドプレース装置で使用できます。. 特長と利点. US1A及びUS1M整流器は、つや消しスズめっきリードが特長(モデルに応じてJ-STD-002及びJESD 22 B-102準拠のはんだ付けに対応) カラーバンドでカソード端を表示 これらの整流器は、逆耐圧を強化して漏電リスクを低減できるガラス不動態化パレットチップジャンクションで構成 これらの整流ダイオードは、超高速の逆回復時間と低スイッチング損失により高効率 US1A及びUS1M整流器はMSL1 (耐湿性レベル1)に適合し、パッケージは堅牢で、リフロー中に高い耐湿性を発揮 高順方向サージの管理が可能. 用途. これらの整流器は、還流及び高周波の用途に適しています。また、コンピュータ、通信機器、家電製品のスイッチングモードインバータ及びコンバータに使用できます。 これらの整流器はAEC-Q101認定済みで、車載用途にも適しています。

実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-204AL最大連続 順方向電流 = 1Aピーク逆繰返し電圧 = 400Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = 汎用ダイオードタイプ = 高速スイッチング整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.2V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 200ns直径 = 2.7mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30AVishay Semiconductor 高速回復整流器 1A. 業界標準のパッケージに収められ、汎用で高効率の高速リカバリダイオードです。. 高さ 1 mm の低プロファイルです アバランシェ整流器

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大連続 順方向電流 = 1Aピーク逆繰返し電圧 = 200Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = 汎用ダイオードタイプ = 超高速整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 50nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30AVishay US1A-US1M SMD超高速高効率整流器. VishayのUS1A及びUS1Mシリーズは、超高速表面実装整流ダイオードです。小型の低プロファイルパッケージを特長とするこれらの整流器は、自動ピックアンドプレース装置で使用できます。. 特長と利点. US1A及びUS1M整流器は、つや消しスズめっきリードが特長(モデルに応じてJ-STD-002及びJESD 22 B-102準拠のはんだ付けに対応) カラーバンドでカソード端を表示 これらの整流器は、逆耐圧を強化して漏電リスクを低減できるガラス不動態化パレットチップジャンクションで構成 これらの整流ダイオードは、超高速の逆回復時間と低スイッチング損失により高効率 US1A及びUS1M整流器はMSL1 (耐湿性レベル1)に適合し、パッケージは堅牢で、リフロー中に高い耐湿性を発揮 高順方向サージの管理が可能. 用途. これらの整流器は、還流及び高周波の用途に適しています。また、コンピュータ、通信機器、家電製品のスイッチングモードインバータ及びコンバータに使用できます。 これらの整流器はAEC-Q101認定済みで、車載用途にも適しています。

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-213AB最大連続 順方向電流 = 1Aピーク逆繰返し電圧 = 1000Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = 汎用ダイオードタイプ = 高速スイッチング整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.3V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 500nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30AVishay Semiconductor 高速回復整流器 1A. 業界標準のパッケージに収められ、汎用で高効率の高速リカバリダイオードです。. 高さ 1 mm の低プロファイルです アバランシェ整流器

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-219AD最大連続 順方向電流 = 1Aピーク逆繰返し電圧 = 30Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキー整流器ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 550mV1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク非繰返し順方向サージ電流 = 25A超低プロファイル - 高さ0.65 mm (標準) 自動位置決めに最適 低順方向電圧降下、低電力損失 用途: 低電圧高周波インバータ、還流、DC-DCコンバータ、極性保護などの用途で使用

実装タイプ 表面実装パッケージタイプ DO-214AC (SMA)最大連続 順方向電流 1Aピーク逆繰返し電圧 60Vダイオード構成 シングル整流タイプ ショットキー整流器ダイオードタイプ ショットキーピン数 2最大順方向降下電圧 750mV1チップ当たりのエレメント数 1ダイオードテクノロジー ショットキーバリアピーク非繰返し順方向サージ電流 40AVishay SS12-SS16 SMDショットキーバリア整流器. Vishay SS12-SS16 シリーズのショットキーバリア整流器は、SMA (DO-214AC)パッケージの低プロファイルデバイスです。 特長: 過電圧保護ガードリング 低順方向電圧降下 電力損失が低い 高効率 何に使用しますか? SS12-SS16ショットキーバリア整流器は、低電圧、高周波インバータ、還流、DC DCコンバータ、極性保護用途で使用するように設計されています。 動作温度範囲 -65 +150 種類: SS12 20 SS13 30 SS14 40 SS15 50 SS16 60 V

実装タイプ 表面実装パッケージタイプ DO-214AC (SMA)最大連続 順方向電流 1Aピーク逆繰返し電圧 40Vダイオード構成 シングル整流タイプ ショットキー整流器ダイオードタイプ ショットキーピン数 21チップ当たりのエレメント数 1ダイオードテクノロジー ショットキーバリアピーク非繰返し順方向サージ電流 40AVishay SS12-SS16 SMDショットキーバリア整流器. Vishay SS12-SS16 シリーズのショットキーバリア整流器は、SMA (DO-214AC)パッケージの低プロファイルデバイスです。 特長: 過電圧保護ガードリング 低順方向電圧降下 電力損失が低い 高効率 何に使用しますか? SS12-SS16ショットキーバリア整流器は、低電圧、高周波インバータ、還流、DC DCコンバータ、極性保護用途で使用するように設計されています。 動作温度範囲 -65 +150 種類: SS12 20 SS13 30 SS14 40 SS15 50 SS16 60 V

ピーク平均順方向電流 1.5Aピーク逆繰返し電圧 1000V実装タイプ スルーホールパッケージタイプ WOGピン数 4回路構成 シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 50A動作温度 Max +150 ℃動作温度 Min -55 ℃ピーク順方向電圧 1Vピーク逆電流 5μA長さ 9.86mm幅 8.84mmUL認証(ファイル番号：E54214 ). Vishay WxxGシリーズブリッジ整流器. UL認証(ファイル番号：E54214 プリント基板に最適 標準 IR：0.1 μA 以下 高絶縁耐力 高サージ電流耐性 はんだ耐熱性：最大温度 275 ℃(10秒)/JESD 22-B106 準拠 材料の分類：コンプライアンスの定義についてを参照. 用途 AC/DCブリッジ全波整流における汎用用途 電源、アダプター、充電器、照明用バラスター、家電製品などの用途. 機械データ ケース：WOG 成形化合物は UL94 V-0 難燃性等級に適合 ベース P/N-E4-RoHS 準拠・商用グレード 端子：銀めっきリード、J-STD-002とJESD22-B102準拠のはんだ付け可能 極性：本体に記載

ピーク平均順方向電流 = 8Aピーク逆繰返し電圧 = 800V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = GBUピン数 = 4ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 200A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1Vピーク逆電流 = 5μA長さ = 22.3mm幅 = 3.56mmULファイル番号E54214. SIL基板実装、GBUシリーズ、Vishay Semiconductor. GBUシリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Vishay Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション 耐高サージ電流 1500 Vrmsの高いケース絶縁性 基板(PCB)スルーホール実装用のはんだピン