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ピーク平均順方向電流 = 25A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = D 63。ピン数 = 5。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 375A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.26V。ピーク逆電流 = 100μA。寸法 = 28.5 x 28.5 x 10mm。高さ = 10mm。UL、E300359認定. プッシュオン端子付き三相ブリッジ整流器、VS-MTシリーズ、Vishay Semiconductor. 三相ブリッジ整流器電源モジュール ユニバーサル、3極端子: プッシュオン(ファストン)、ラップアラウンド、又ははんだ 高熱伝導性パッケージ、電気的絶縁性ケース 中心穴固定フォロシャーシ取り付け 優れたパワー / ボリューム比

サーメットT7YAシリーズ。産業用等級 CECC 41100 低い温度係数と高い安定性 見やすい目盛りにより調整が容易 ダスト侵入及びPC基板洗浄(水洗浄不可)に耐えるIP64等級のシール構造

MIL-R-22097、CECC 41 100。6 mm 1/4インチ250 mW上面調整T63YB。T63シリーズ多回転トリマーは、そのスクエア形状と小さいサイズにより基板での使用に最適で、高密度基板実装と狭い基板間隔を実現できます。多回転動作 低い接触抵抗の変動

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220AC。最大連続 順方向電流 = 20A。ピーク逆繰返し電圧 = 45V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 630mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。TMBS - Trench MOSバリアショットキー整流器、最大20 A、Vishay Semiconductor. VishayのTrench MOSバリアショットキー(TMBS)整流器シリーズには、特許取得済みのトレンチ構造が含まれています。 TMBS整流器は、平面ショットキー整流器よりもいくつかの点で優れています。 動作電圧が45 Vを超える場合、平面ショットキー整流器ではその高速なスイッチング速度という利点が失われ、低順方向電圧が大幅に低下することがあります。 特許取得済みのTMBS構造では、ドリフト領域への少数キャリアの注入を軽減することで、この問題を解決しています。結果として保存電荷量が最小になり、スイッチング速度が向上します。. 特長. 特許取得済みのトレンチ構造 AC / DCスイッチモード電源とDC / DCコンバータの効率性が向上 高電力密度と低順方向電圧を実現

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 16 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 8 V。パッケージタイプ = 6マイクロフット。実装タイプ = 表面実装

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 2.1 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = 4マイクロフィート。実装タイプ = 表面実装

バリスタ電圧 = 430V。最大AC定格電圧 = 275V。最大直流定格電圧 = 350V。制限電圧 = 710V。クランプ電流 = 50A。エネルギー = 104J。シリーズ = VDRS。直径 = 16.5mm。最大サージ電流 = 4500A。静電容量 = 440pF。長さ = 35mm。厚さ = 5.4mm。寸法 = 16.5 Dia. x 5.4mm。リード間隔 = 7.5mm。VDR金属酸化物バリスタ(標準)特長 低β高純度酸化亜鉛ディスク ハロゲンフリー絶縁エポキシコーティング 酸化亜鉛ディスク、HFエポキシコーティング

定格平均オン電流 = 250A。サイリスタタイプ = SCR。パッケージタイプ = MAGN-A-PAK。繰返しピーク逆方向電圧 = 1600V。サージ電流レーティング = 8.9kA。実装タイプ = パネルマウント。最大ゲートトリガー電流 = 350mA。最大ゲートトリガー電圧 = 4V。最大保持電流 = 500mA。ピン数 = 7。寸法 = 115 x 50 x 52mm。繰返しピークオフステート電流 = 60mA。UL認定ファイルE78996. サイリスタ / サイリスタVS-VSKTシリーズ、MAGN-A-PAKモジュール、Vishay Semiconductor. サイリスタ / サイリスタ構成 3500 V ；sub>RMS ；/sub>、金属ベースからの電圧を絶縁 産業標準パッケージMAGN-A-PAK

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 9 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = TSOP-6。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 60 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 3.3 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。長さ = 3.1mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 140 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = SC-75A。実装タイプ = 表面実装

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 5.2 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = TSSOP-8。実装タイプ = 表面実装

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 20 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V。パッケージタイプ = TO-247AC。実装タイプ = スルーホール

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 2.6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 20 V。パッケージタイプ SOT-23。実装タイプ 表面実装。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 75 m。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 0.85V。最低ゲートしきい値電圧 0.4V。最大パワー消費 0.71 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 ±8 V。幅 1.4mm。動作温度 Min -55 ℃mm。ハロゲンフリー TrenchFETRパワーMOSFET 100 %耐久性テスト済み 用途 ポータブルデバイス用負荷スイッチング DC/DCコンバータ

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 4.1 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 250 V。パッケージタイプ = TO-220FP。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 35000 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。標準ゲートチャージ @ Vgs = 38 nC @ 10 V。高さ = 9.8mm。PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 5.2 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 800 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 50 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 10.41mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、200 → 250 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 3.1 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。シリーズ = TrenchFET。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 0.112 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 200 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = SC-75。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 9 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 280 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -6 V， +6 V。幅 = 0.86mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、8 → 25 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 38 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 250 V。パッケージタイプ = TO-247AC。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 75 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 280 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 5.31mm。高さ = 20.7mm。NチャンネルMOSFET、200 → 250 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 23 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 250 V。パッケージタイプ = TO-247AC。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 140 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 190 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 15.87mm。高さ = 20.7mm。NチャンネルMOSFET、200 → 250 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 12 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V。パッケージタイプ = TO-247AC。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 500 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 150 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。標準ゲートチャージ @ Vgs = 44 nC @ 10 Vmm。高さ = 20.7mm。PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 4.8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 11 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 500 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 125000 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 3.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 40 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 3.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 165 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 1.8 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 2.3 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 112 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 860 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 300 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 240 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 6 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V。最大パワー消費 = 510 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 3.04mm。高さ = 1.02mm。NチャンネルMOSFET、200 → 250 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 1.3 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = SOT-363。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 263 m Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 1.25 W。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。幅 = 1.35mm。高さ = 1mm。デュアルNチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor