ディスクリート：「SMA」の検索結果

特価

本日8月11日(月)は、モノタロウブランドの全商品がキャンペーンコード入力で通常価格より 10％引き！

キャンペーンコード 000025250815

キャンペーンコードのご利用方法 ※特価からの更なる割引はございません

関連キーワード

2SC4116-Y(F) Toshiba NPN トランジスタ， 50 V， 150mA， 3-Pin USM 東芝

東芝Toshiba NPN トランジスタ， 50 V， 150mA， 3-Pin USM

エコ商品

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = USM実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 100 mW最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.25 V小信号NPNトランジスタ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(10個)

￥199 税込￥219

翌々日出荷

RN1107(F) Toshiba NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 10 kΩ， 3-Pin ESM 東芝

東芝Toshiba NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 10 kΩ， 3-Pin ESM

エコ商品

仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 10 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = ESMピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 80トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V標準抵抗比 = 0.21、1動作温度 Min = -55 ℃抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、東芝. 内蔵バイアス抵抗器、使用部品が少数なのでデバイスサイズの小型化と省スペースの組み立てが可能幅広い抵抗値範囲により製品が様々な用途に適合 RN1101 / RN2101からRN1118 / RN2118までの製品を補助用途: スイッチング、インバータ回路、インターフェイス回路、ドライバ回路 SSMパッケージ RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(5個)

￥119 税込￥131

翌々日出荷

RN2104(F) Toshiba PNP デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 47 kΩ， 3-Pin ESM 東芝

東芝Toshiba PNP デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 47 kΩ， 3-Pin ESM

エコ商品

仕様トランジスタタイプ = PNP1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 47 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = ESMピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 80トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 1幅 = 0.8mm抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、東芝. 内蔵バイアス抵抗器、使用部品が少数なのでデバイスサイズの小型化と省スペースの組み立てが可能幅広い抵抗値範囲により製品が様々な用途に適合 RN1101 / RN2101からRN1118 / RN2118までの製品を補助用途: スイッチング、インバータ回路、インターフェイス回路、ドライバ回路 SSMパッケージ RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(5個)

￥119 税込￥131

翌々日出荷

2SA1586-Y(F) Toshiba PNP トランジスタ， 50 V， 150mA， 3-Pin USM 東芝

東芝Toshiba PNP トランジスタ， 50 V， 150mA， 3-Pin USM

エコ商品

仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = USM実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 100 mW最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V小信号PNPトランジスタ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(10個)

￥199 税込￥219

翌々日出荷

SSM3K17FU(F) Toshiba Nチャンネル小信号 MOSFET， 50 V， 100 mA， 3 ピンパッケージUSM 東芝

東芝Toshiba Nチャンネル小信号 MOSFET， 50 V， 100 mA， 3 ピンパッケージUSM

エコ商品

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 100 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 20Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -7 V， +7 Vパッケージタイプ = USM実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 150 mW標準入力キャパシタンス @ Vds = 7 pF @ 3 VMOSFET Nチャンネル、SSM3Kシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(25個)

￥699 税込￥769

6日以内出荷

SSM3K7002FU(F) Toshiba Nチャンネル小信号 MOSFET， 60 V， 200 mA， 3 ピンパッケージUSM 東芝

東芝Toshiba Nチャンネル小信号 MOSFET， 60 V， 200 mA， 3 ピンパッケージUSM

エコ商品

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 200 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = USM実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 150 mWトランジスタ素材 = SiMOSFET Nチャンネル、SSM3Kシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(25個)

￥529 税込￥582

6日以内出荷

SSM3K36FS(TE85L，F) Toshiba Nチャンネル MOSFET， 20 V， 500 mA， 3 ピンパッケージSSM SSM3 シリーズ東芝

東芝Toshiba Nチャンネル MOSFET， 20 V， 500 mA， 3 ピンパッケージSSM SSM3 シリーズ

エコ商品

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 500 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.52 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V， +10 Vパッケージタイプ = SSM実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 150 mW1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、SSM3Kシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(10個)

￥359 税込￥395

翌々日出荷

SSM3J36FS(TE85L，F) Toshiba Pチャンネル MOSFET， 20 V， 330 mA， 3 ピンパッケージSSM SSM3 シリーズ東芝

東芝Toshiba Pチャンネル MOSFET， 20 V， 330 mA， 3 ピンパッケージSSM SSM3 シリーズ

エコ商品

仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 330 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.6 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 Vパッケージタイプ = SSM実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 150 mW長さ = 1.6mmMOSFET Pチャンネル、SSM3Jシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(10個)

￥289 税込￥318

翌々日出荷

SSM3K16FS(TE85L，F) Toshiba Nチャンネル小信号 MOSFET， 20 V， 100 mA， 3 ピンパッケージSSM SSM3 シリーズ東芝

東芝Toshiba Nチャンネル小信号 MOSFET， 20 V， 100 mA， 3 ピンパッケージSSM SSM3 シリーズ

エコ商品

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 100 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.1V最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V， +10 Vパッケージタイプ = SSM実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 100 mW1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、SSM3Kシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(10個)

￥279 税込￥307

翌々日出荷

SSM3K15FS(TE85L，F) Toshiba Nチャンネル小信号 MOSFET， 30 V， 100 mA， 3 ピンパッケージSSM SSM3 シリーズ東芝

東芝Toshiba Nチャンネル小信号 MOSFET， 30 V， 100 mA， 3 ピンパッケージSSM SSM3 シリーズ

エコ商品

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 100 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 7Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SSM実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 100 mW標準ターンオフ遅延時間 = 180 nsMOSFET Nチャンネル、SSM3Kシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(10個)

￥219 税込￥241

翌々日出荷

2SK1829(TE85L，F) Toshiba Nチャンネル小信号 MOSFET， 20 V， 50 mA， 3 ピンパッケージUSM 2SK シリーズ東芝

東芝Toshiba Nチャンネル小信号 MOSFET， 20 V， 50 mA， 3 ピンパッケージUSM 2SK シリーズ

エコ商品

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 50 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 40Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V， +10 Vパッケージタイプ = USM実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 100 mW標準ターンオフ遅延時間 = 140 nsMOSFET Nチャンネル、2SKシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応

1枚(10個)

￥269 税込￥296

翌々日出荷

RN1108(F) Toshiba NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 22 kΩ， 3-Pin ESM 東芝

東芝Toshiba NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 22 kΩ， 3-Pin ESM

エコ商品

仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 22 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = ESMピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 80トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 V標準抵抗比 = 0.47動作温度 Max = +150 ℃抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、東芝. 内蔵バイアス抵抗器、使用部品が少数なのでデバイスサイズの小型化と省スペースの組み立てが可能幅広い抵抗値範囲により製品が様々な用途に適合 RN1101 / RN2101からRN1118 / RN2118までの製品を補助用途: スイッチング、インバータ回路、インターフェイス回路、ドライバ回路 SSMパッケージ RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(5個)

￥179 税込￥197

翌々日出荷

RN1102(F) Toshiba NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 10 kΩ， 3-Pin ESM 東芝

東芝Toshiba NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 10 kΩ， 3-Pin ESM

エコ商品

仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 10 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = ESMピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 50トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 1動作温度 Min = -55 ℃抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、東芝. 内蔵バイアス抵抗器、使用部品が少数なのでデバイスサイズの小型化と省スペースの組み立てが可能幅広い抵抗値範囲により製品が様々な用途に適合 RN1101 / RN2101からRN1118 / RN2118までの製品を補助用途: スイッチング、インバータ回路、インターフェイス回路、ドライバ回路 SSMパッケージ RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(5個)

￥119 税込￥131

翌々日出荷

RN1105(F) Toshiba NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 2.2 kΩ， 3-Pin ESM 東芝

東芝Toshiba NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 2.2 kΩ， 3-Pin ESM

エコ商品

仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 2.2 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = ESMピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 80トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V標準抵抗比 = 0.047幅 = 0.8mm抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、東芝. 内蔵バイアス抵抗器、使用部品が少数なのでデバイスサイズの小型化と省スペースの組み立てが可能幅広い抵抗値範囲により製品が様々な用途に適合 RN1101 / RN2101からRN1118 / RN2118までの製品を補助用途: スイッチング、インバータ回路、インターフェイス回路、ドライバ回路 SSMパッケージ RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(5個)

￥119 税込￥131

翌々日出荷

RN1101(F) Toshiba NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 4.7 kΩ， 3-Pin ESM 東芝

東芝Toshiba NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 4.7 kΩ， 3-Pin ESM

エコ商品

仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 4.7 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = ESMピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 1動作温度 Min = -55 ℃抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、東芝. 内蔵バイアス抵抗器、使用部品が少数なのでデバイスサイズの小型化と省スペースの組み立てが可能幅広い抵抗値範囲により製品が様々な用途に適合 RN1101 / RN2101からRN1118 / RN2118までの製品を補助用途: スイッチング、インバータ回路、インターフェイス回路、ドライバ回路 SSMパッケージ RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(5個)

￥119 税込￥131

翌々日出荷

RN2105(F) Toshiba PNP デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 2.2 kΩ， 3-Pin ESM 東芝

東芝Toshiba PNP デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 2.2 kΩ， 3-Pin ESM

エコ商品

仕様トランジスタタイプ = PNP1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 2.2 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = ESMピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 80トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V標準抵抗比 = 0.047動作温度 Min = -55 ℃抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、東芝. 内蔵バイアス抵抗器、使用部品が少数なのでデバイスサイズの小型化と省スペースの組み立てが可能幅広い抵抗値範囲により製品が様々な用途に適合 RN1101 / RN2101からRN1118 / RN2118までの製品を補助用途: スイッチング、インバータ回路、インターフェイス回路、ドライバ回路 SSMパッケージ RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(5個)

￥119 税込￥131

翌々日出荷

RN1106(F) Toshiba NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 4.7 kΩ， 3-Pin ESM 東芝

東芝Toshiba NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 4.7 kΩ， 3-Pin ESM

仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 4.7 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = ESMピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 80トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V標準抵抗比 = 0.1動作温度 Min = -55 ℃抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、東芝. 内蔵バイアス抵抗器、使用部品が少数なのでデバイスサイズの小型化と省スペースの組み立てが可能幅広い抵抗値範囲により製品が様々な用途に適合 RN1101 / RN2101からRN1118 / RN2118までの製品を補助用途: スイッチング、インバータ回路、インターフェイス回路、ドライバ回路 SSMパッケージ

1袋(5個)

￥119 税込￥131

翌々日出荷

SSM3K36TU(TE85L) Toshiba Nチャンネル MOSFET， 20 V， 500 mA， 3 ピンパッケージUFM SSM3 シリーズ東芝

東芝Toshiba Nチャンネル MOSFET， 20 V， 500 mA， 3 ピンパッケージUFM SSM3 シリーズ

エコ商品

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 500 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.52 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V， +10 Vパッケージタイプ = UFM実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 500 mW標準入力キャパシタンス @ Vds = 46 pF @ 10 VMOSFET Nチャンネル、SSM3Kシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(10個)

￥349 税込￥384

翌々日出荷

SSM3J36TU(TE85L) Toshiba Pチャンネル MOSFET， 20 V， 330 mA， 3 ピンパッケージUFM SSM3 シリーズ東芝

東芝Toshiba Pチャンネル MOSFET， 20 V， 330 mA， 3 ピンパッケージUFM SSM3 シリーズ

エコ商品

仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 330 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.6 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 Vパッケージタイプ = UFM実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 500 mW標準ターンオン遅延時間 = 90 nsMOSFET Pチャンネル、SSM3Jシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(10個)

￥289 税込￥318

翌々日出荷

SSM3K15F(F) Toshiba Nチャンネル小信号 MOSFET， 30 V， 100 mA， 3 ピンパッケージSOT-346 (SC-59) SSM3 シリーズ東芝

東芝Toshiba Nチャンネル小信号 MOSFET， 30 V， 100 mA， 3 ピンパッケージSOT-346 (SC-59) SSM3 シリーズ

エコ商品

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 100 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 200 mW標準入力キャパシタンス @ Vds = 7.8 pF @ 3 VMOSFET Nチャンネル、SSM3Kシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(10個)

￥209 税込￥230

翌々日出荷