集積回路(IC) ：「micro エレメント」の検索結果
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エコ商品
仕様●ダイオード構成 ： 絶縁型A●1チップ当たりのエレメント数 ： 2●最大逆電圧 ： 1200V●パッケージタイプ ： ISOTOP●ピン数 ： 4V●動作温度 Max ： +150 ℃●長さ ： 38.2mm●幅 ： 25.5mm●高さ ： 12.2mm●寸法 ： 38.2×25.5×12.2mm●整流ダイオード、10 A → 240 A、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥3,998
税込￥4,398
欠品中
仕様●ダイオード構成 ： 絶縁型A●1チップ当たりのエレメント数 ： 2●最大逆電圧 ： 1200V●パッケージタイプ ： ISOTOP●ダイオードテクノロジー ： シリコンジャンクション●ピン数 ： 4V●最大ダイオードキャパシタンス ： 45pF●動作温度 Max ： +150 ℃●長さ ： 38.2mm●幅 ： 24.8mm●高さ ： 12.2mm●寸法 ： 38.2×24.8×12.2mm●整流ダイオード、10 A → 240 A、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(10個)
￥39,980
税込￥43,978
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ ： PNP●最大連続コレクタ電流 ： 8 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： 60 V●最大エミッタ-ベース間電圧 ： 5 V●パッケージタイプ ： TO-220●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●トランジスタ構成 ： シングル●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●最小DC電流ゲイン ： 200●最大コレクタ-ベース間電圧 ： 60 V●最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 ： 2.5 V●最大コレクタカットオフ電流 ： 0.05mA●動作温度 Min ： -65 ℃mm●PNPダーリントントランジスタ、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥899
税込￥989
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ ： NPN●最大DCコレクタ電流 ： 2 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： 80 V●パッケージタイプ ： SOT-32●実装タイプ ： スルーホール●最大パワー消費 ： 25 W●最小DC電流ゲイン ： 25●トランジスタ構成 ： シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 ： 80 V●最大エミッタ-ベース間電圧 ： 5 V●最大動作周波数 ： 3 MHz●ピン数 ： 3●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●寸法 ： 10.8×7.8×2.7mm●STMicroelectronics NPNパワートランジスタ
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
￥3,598
税込￥3,958
7日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 9 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 200 V●シリーズ ： STripFET●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 400 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 75 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●高さ ： 9.15mm●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
￥6,498
税込￥7,148
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 8 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 1500 V●シリーズ ： MDmesh●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 2.5 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 320 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃●STMicroelectronics N チャネル 800 V → 1500 V MDmesh(TM)
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(30個)
￥39,980
税込￥43,978
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 24 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 60 V●シリーズ ： STripFET●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 40 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 60 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(2500個)
￥229,800
税込￥252,780
7日以内出荷
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