エコ商品
UL適合E72873.ねじ端子付き三相ブリッジ整流器、VUO160シリーズ、IXYS.ねじ止め端子付きパッケージ絶縁耐圧:3000Vrms低順方向電圧降下
幅(mm)54
寸法(mm)94×54×30
ピン数(ピン)5
動作温度(℃)(Max)+150、(Min)-40
RoHS指令(10物質対応)対応
回路構成シングル
実装タイプパネルマウント
ピーク平均順方向電流(A)175
ピーク逆繰返し電圧(V)1200
ピーク逆電流(μA)300
テクノロジーダイオード：シリコンジャンクション
ピーク順方向電圧(V)1.65
ピーク非繰返し順方向サージ電流(kA)1.95
1個
￥11,651
税込￥12,816
5日以内出荷
UL適合E72873.基板実装用三相ブリッジ整流器、VUO52シリーズ、IXYS.ダイレクト銅接着(DCB)セラミック製パッケージ重量の軽量化強化された温度及びパワーサイクリング非常に低い順方向電圧降下非常に低い漏洩電流基板実装用はんだピン
幅(mm)31.6
寸法(mm)63×31.6×17
ピン数(ピン)5
動作温度(℃)(Max)+130、(Min)-40
RoHS指令(10物質対応)対応
回路構成シングル
実装タイプパネルマウント
ピーク逆繰返し電圧(V)1600
ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)375
ピーク逆電流(μA)300
テクノロジーダイオード：シリコンジャンクション
ピーク順方向電圧(V)1.46
ブリッジタイプ3相
1個
￥5,488
税込￥6,037
5日以内出荷
ピン数(ピン)4
ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)コモンアノードペア2組
整流方式ファストリカバリー
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数2
最大順方向降下電圧(V)2.71
ピーク逆繰返し電圧(V)1800
ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)700
最大連続順方向電流(A)60
ピーク逆回復時間(ns)350
1個
￥5,610
税込￥6,171
5日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
ULE72873.ねじ端子付きブリッジ整流器モジュール、VBO40シリーズ、IXYS.ダイレクト銅接着(DCB)絶縁のパッケージ非常に低い漏洩電流非常に低い順方向電圧降下温度特定の強化
寸法(mm)38.3×25.07×9.6
高さ(mm)9.6
ピン数(ピン)4
動作温度(℃)(Max)+150、(Min)-40
RoHS指令(10物質対応)対応
回路構成シングル
実装タイプパネルマウント
ピーク逆繰返し電圧(V)800
ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)320
ピーク逆電流(μA)300
テクノロジーダイオード：シリコンジャンクション
ピーク順方向電圧(V)1.15
ブリッジタイプ単相
1個
￥6,302
税込￥6,932
5日以内出荷
UL適合E72873.プッシュオン端子付き三相ブリッジ整流器、VUO36シリーズ、IXYS.非常に低い漏洩電流非常に低い順方向電圧降下温度特定の強化ねじ1本で簡単に取り付け
幅(mm)28.5
寸法(mm)28.5×28.5×10
ピン数(ピン)5
動作温度(℃)(Max)+150、(Min)-40
RoHS指令(10物質対応)対応
回路構成シングル
実装タイプスクリューマウント
ピーク平均順方向電流(A)35
ピーク逆繰返し電圧(V)1200
ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)600
ピーク逆電流(μA)300
テクノロジーダイオード：シリコンジャンクション
ピーク順方向電圧(V)1.7
1個
￥2,298
税込￥2,528
5日以内出荷
UL適合E72873.プッシュオン端子付き三相ブリッジ整流器、VUO36シリーズ、IXYS.非常に低い漏洩電流非常に低い順方向電圧降下温度特定の強化ねじ1本で簡単に取り付け
寸法(mm)28.5×28.5×10
高さ(mm)10
ピン数(ピン)5
動作温度(℃)(Max)+150、(Min)-40
RoHS指令(10物質対応)対応
回路構成シングル
実装タイプスクリューマウント
ピーク逆繰返し電圧(V)1600
ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)600
ピーク逆電流(μA)300
テクノロジーダイオード：シリコンジャンクション
ピーク順方向電圧(V)1.7
ブリッジタイプ3相
1個
￥2,460
税込￥2,706
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET、IXYSHiperFET(TM)Polar3(TM)シリーズ.IXYSPolar3(TM)シリーズのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150、(Min)-55
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)210
最大ドレイン-ソース間電圧(V)300
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)14.5
最大ゲートしきい値電圧(V)5
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費1.89kW
1個
￥4,630
税込￥5,093
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET、IXYSHiperFET(TM)Polar3(TM)シリーズ.IXYSPolar3(TM)シリーズのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150、(Min)-55
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)132
最大ドレイン-ソース間電圧(V)500
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)39
最大ゲートしきい値電圧(V)5
最大ゲート-ソース間電圧(V)-30、+30
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費1.89kW
1個
￥3,870
税込￥4,257
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET、IXYSHiperFET(TM)Polar3(TM)シリーズ.IXYSPolar3(TM)シリーズのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
幅(mm)5.3
シリーズHiperFET，Polar3
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)94
最大ドレイン-ソース間電圧(V)300
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)36
最大ゲートしきい値電圧(V)5
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費1.04kW
1個
￥1,940
税込￥2,134
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET、IXYSHiperFET(TM)Polar3(TM)シリーズ.IXYSPolar3(TM)シリーズのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
高さ(mm)26.16
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)98
最大ドレイン-ソース間電圧(V)500
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)50
最大ゲートしきい値電圧(V)5
最大ゲート-ソース間電圧(V)-30、+30
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費1.3kW
1個
￥2,820
税込￥3,102
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET、IXYSHiperFET(TM)Polar3(TM)シリーズ.IXYSPolar3(TM)シリーズのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
シリーズHiperFET，Polar3
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)60
最大ドレイン-ソース間電圧(V)500
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)100
最大ゲートしきい値電圧(V)5
最大ゲート-ソース間電圧(V)-30、+30
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費1.04kW
1個
￥1,759
税込￥1,935
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET、IXYSHiperFET(TM)Polar3(TM)シリーズ.IXYSPolar3(TM)シリーズのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
高さ(mm)26.16
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)150
最大ドレイン-ソース間電圧(V)300
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)19
最大ゲートしきい値電圧(V)5
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費1.3kW
1個
￥3,188
税込￥3,507
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFETIXYSHiperFET(TM)Polar(TM)シリーズ.IXYSのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
高さ(mm)9.6
シリーズHiperFET，Polar
ピン数(ピン)4
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスクリューマウント
チャンネルタイプN
材質(トランジスタ)Si
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)61
最大ドレイン-ソース間電圧(V)500
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)85
最大ゲートしきい値電圧(V)5.5
最大ゲート-ソース間電圧(V)-30、+30
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費700000mW
1個
￥4,450
税込￥4,895
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFETIXYSHiperFET(TM)Polar(TM)シリーズ.IXYSのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
高さ(mm)9.6
ピン数(ピン)4
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスクリューマウント
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)115
最大ドレイン-ソース間電圧(V)300
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)24
最大ゲートしきい値電圧(V)5
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
トランジスタ構成シングル
標準ゲートチャージ185nC@10V
最大パワー消費700000mW
1個
￥5,240
税込￥5,764
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFETIXYSHiperFET(TM)Polar(TM)シリーズ.IXYSのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
幅(mm)5.3
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Min)-55
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)24
最大ドレイン-ソース間電圧(V)800
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)400
最大ゲートしきい値電圧(V)5
最大ゲート-ソース間電圧(V)-30、+30
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費650W
1個
￥1,750
税込￥1,925
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFETIXYSHiperFET(TM)Polar(TM)シリーズ.IXYSのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
ピン数(ピン)4
動作温度(℃)(Max)+175、(Min)-55
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスクリューマウント
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)200
最大ドレイン-ソース間電圧(V)100
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)7.5
最大ゲートしきい値電圧(V)5
最小ゲートしきい値電圧(V)3
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
最大パワー消費680W
1個
￥4,270
税込￥4,697
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFETIXYSHiperFET(TM)Polar(TM)シリーズ.IXYSのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
ピン数(ピン)4
動作温度(℃)(Min)-55
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスクリューマウント
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)53
最大ドレイン-ソース間電圧(V)800
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)140
最大ゲートしきい値電圧(V)5
最大ゲート-ソース間電圧(V)-30、+30
トランジスタ構成シングル
標準ゲートチャージ250nC@10V
最大パワー消費1.04kW
1個
￥7,020
税込￥7,722
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFETIXYSHiperFET(TM)Polar(TM)シリーズ.IXYSのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
シリーズHiperFET，Polar
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)75
最大ドレイン-ソース間電圧(V)100
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)25
最大ゲートしきい値電圧(V)5.5
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
トランジスタ構成シングル
標準ゲートチャージ74nC@10V
最大パワー消費360000mW
1個
￥770
税込￥847
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFETIXYSHiperFET(TM)Polar(TM)シリーズ.IXYSのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
シリーズHiperFET，Polar
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+175
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)110
最大ドレイン-ソース間電圧(V)100
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)15
最大ゲートしきい値電圧(V)5
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費480000mW
1個
￥1,220
税込￥1,342
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFETIXYSHiperFET(TM)Polar(TM)シリーズ.IXYSのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
長さ(mm)38.23
シリーズHiperFET，Polar
ピン数(ピン)4
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスクリューマウント
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)150
最大ドレイン-ソース間電圧(V)150
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)11
最大ゲートしきい値電圧(V)5
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費680000mW
1個
￥4,450
税込￥4,895
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFETIXYSHiperFET(TM)Polar(TM)シリーズ.IXYSのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
シリーズPolarHiPerFET
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)70
最大ドレイン-ソース間電圧(V)300
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)26
最大ゲートしきい値電圧(V)5
最小ゲートしきい値電圧(V)3
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
最大パワー消費300W
1個
￥3,530
税込￥3,883
5日以内出荷
UL適合E72873。MCOシリーズサイリスタモジュール、IXYS。ハイパワーサイリスタモジュール
寸法(mm)38.2×25.07×9.6
タイプサイリスタ：SCR
電圧(V)ピークオンステージ：1.3
ピン数(ピン)4
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプパネルマウント
最大ゲートトリガー電流(mA)80
繰返しピーク逆方向電圧(V)1600
最大ゲートトリガー電圧(V)1.4
定格平均オン電流(A)54
最大保持電流(mA)100
サージ電流レーティング(kA)0.8
1個
￥4,698
税込￥5,168
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET、IXYSHiperFET(TM)Q3シリーズ.IXYSのQ3クラスのHiperFET(TM)パワーMOSFETは、ハードスイッチング及び共振モードの両方での使用に適しており、ゲート電荷量も小さく、非常に丈夫です。これらのデバイスには高速真性ダイオードが搭載されており、定格が最大1100V及び70Aの各種絶縁タイプなど、さまざまな業界標準パッケージが用意されています。主な用途には、DC-DCコンバータ、バッテリ充電器、スイッチモード及び共振モード電源、DCチョッパ、温度制御及び照明制御などがあります。.高速真性整流器低RDS(オン)及びQG(ゲート電荷量)低真性ゲート抵抗産業用の標準パッケージ低パッケージインダクタンス高電力密度
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150、(Min)-55
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)50
最大ドレイン-ソース間電圧(V)600
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)145
最大ゲートしきい値電圧(V)5
最大ゲート-ソース間電圧(V)-30、+30
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費1.04kW
1個
￥1,688
税込￥1,857
5日以内出荷
UL認証部品。MCCシリーズ。デュアルシリーズサイリスタ
寸法(mm)94×34×30
タイプサイリスタ：SCRモジュール
ピン数(ピン)7
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプパネルマウント
最大ゲートトリガー電流(mA)150
繰返しピーク逆方向電圧(V)1600
最大ゲートトリガー電圧(V)2.5
定格平均オン電流(A)130
繰返しピークオフステート電流(mA)10
最大保持電流(mA)200
サージ電流レーティング(kA)5.08
1個
￥10,540
税込￥11,594
5日以内出荷
UL認証部品。MCCシリーズ。デュアルシリーズサイリスタ
寸法(mm)92×20.8×30
タイプサイリスタ：SCRモジュール
ピン数(ピン)7
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプパネルマウント
最大ゲートトリガー電流(mA)150
繰返しピーク逆方向電圧(V)1600
最大ゲートトリガー電圧(V)2.5
定格平均オン電流(A)116
繰返しピークオフステート電流(mA)5
最大保持電流(mA)200
サージ電流レーティング(kA)2.4
1個
￥7,635
税込￥8,399
5日以内出荷
UL認証部品。MCCシリーズ。デュアルシリーズサイリスタ
寸法(mm)94×34×30
タイプサイリスタ：SCRモジュール
ピン数(ピン)7
動作温度(℃)(Max)+125
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプパネルマウント
最大ゲートトリガー電流(mA)150
繰返しピーク逆方向電圧(V)1600
最大ゲートトリガー電圧(V)2.5
定格平均オン電流(A)190
最大保持電流(mA)200
サージ電流レーティング(kA)6.4
1個
￥12,320
税込￥13,552
5日以内出荷
UL認証部品。MCCシリーズ。デュアルシリーズサイリスタ
寸法(mm)92×20.8×30
タイプサイリスタ：SCRモジュール
ピン数(ピン)7
動作温度(℃)(Max)+125
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプパネルマウント
最大ゲートトリガー電流(mA)150
繰返しピーク逆方向電圧(V)1200
最大ゲートトリガー電圧(V)2.5
定格平均オン電流(A)116
最大保持電流(mA)200
サージ電流レーティング(kA)2.4
1個
￥5,970
税込￥6,567
5日以内出荷
UL認証部品。MCCシリーズ。デュアルシリーズサイリスタ
寸法(mm)116×60×30
タイプサイリスタ：SCRモジュール
ピン数(ピン)7
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプパネルマウント
最大ゲートトリガー電流(mA)150
繰返しピーク逆方向電圧(V)1600
最大ゲートトリガー電圧(V)2
定格平均オン電流(A)320
繰返しピーク順方向抑止電圧(V)1600
最大保持電流(mA)150
サージ電流レーティング(kA)9.8
1個
￥24,980
税込￥27,478
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET、IXYSHiperFET(TM)シリーズ
シリーズHiperFET
ピン数(ピン)4
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスクリューマウント
1チップ当たりのエレメント数1
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)24
最大ドレイン-ソース間電圧(V)1000
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)390
最大ゲートしきい値電圧(V)5.5
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費568000mW
1個
￥7,360
税込￥8,096
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET、IXYSHiperFET(TM)シリーズ
高さ(mm)26.16
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
材質(トランジスタ)Si
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)48
最大ドレイン-ソース間電圧(V)500
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)100
最大ゲートしきい値電圧(V)4
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費500W
1個
￥4,150
税込￥4,565
5日以内出荷
IGBTディスクリート、IXYSXPTシリーズ.IXYSのXPT(TM)シリーズのディスクリートIGBTは、極めて軽量な穴開き薄型ウエハーテクノロジーを採用しており、熱抵抗の低減とエネルギー損失の軽減を実現しています。これらのデバイスでは、低テール電流によって高速なスイッチングが可能です。また、さまざまな業界の規格と独自仕様に沿ったパッケージが用意されています。.高電力密度及び低VCE(sat)逆バイアス安全動作領域(RBSOA)を定格降伏電圧に向かって直角になるように形成10μsの短絡耐量オン状態電圧の正温度係数オプションのSonic-FRD(TM)又はHiPerFRED(TM)ダイオード付属国際規格及び独自仕様の高電圧パッケージ
寸法(mm)16.26×5.3×21.46
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Min)-55
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
最大連続コレクタ電流(A)200
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)1200
最大ゲート-エミッタ間電圧(V)±20
チャンネルタイプN
トランジスタ構成シングル
スイッチングスピード50kHz
最大パワー消費1250W
1個
￥3,110
税込￥3,421
欠品中
1
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