チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 12 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 12 V。シリーズ = TrenchFET。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 71 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 19 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V, +8 V。幅 = 1.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、TrenchFET Gen III、Vishay Semiconductors
RoHS指令(10物質対応)対応
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チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 12 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 19 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 1.7 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V, +8 V。長さ = 3.04mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
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