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チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 3.1 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。シリーズ = TrenchFET。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 0.112 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
1,298 税込1,428
7日以内出荷

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 5.6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 51 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V。最大パワー消費 = 2.1 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、30 → 50 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(3000個)
55,980 税込61,578
7日以内出荷

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 1.2 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 345 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 1 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(3000個)
119,800 税込131,780
7日以内出荷

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 4.4 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 108 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V。最大パワー消費 = 2.5 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(3000個)
129,800 税込142,780
7日以内出荷

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 4.7 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 75 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V。最大パワー消費 = 2.5 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(3000個)
88,980 税込97,878
7日以内出荷

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 1.9 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 190 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 1 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(3000個)
119,800 税込131,780
7日以内出荷

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 4.4 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 8 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 35 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 960 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V, +8 V。幅 = 1.4mm。高さ = 1.02mm。PチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(3000個)
55,980 税込61,578
7日以内出荷

検出スペクトル = 可視光。チャンネル数 = 1。最大光電流 = 200μA。最大暗電流 = 50nA。半値幅感度角度 = 60 °。ピン数 = 2。実装タイプ = スルーホール実装。パッケージタイプ = 3 mm (T-1)。寸法 = 3.2 x 3.2 x 4.5mm。コレクター電流 = 20mA。感度スペクトルレンジ = 440 → 800 nmnm。幅 = 3.2mm。TEPTシリーズ周囲光フォトトランジスタ. Vishay SemiconductorのTEPTシリーズは周囲光センサのファミリです。この製品には、3 mm (T-1)又は5 mm (T-1 3/4)のいずれかのスルーホールパッケージを用意しています。これらのNPNエピタキシャル平面フォトトランジスタは、透明なプラスチック製パッケージに収納されており、人間の目と同様に可視光を感知します。 TEPTシリーズに適した用途には、周囲光センサや交換用のCdSフォトレジスタがあります。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(1000個)
35,980 税込39,578
7日以内出荷

検出スペクトル = 赤外線, 可視光。チャンネル数 = 1。最大暗電流 = 50nA。半値幅感度角度 = 40 °。極性 = NPN。ピン数 = 2。実装タイプ = スルーホール実装。パッケージタイプ = 5 mm (T-1 3/4)。寸法 = 5.75 x 5.75 x 8mm。コレクター電流 = 20mA。最大検出波長 = 800nm。幅 = 5.75mm。TEPTシリーズ周囲光フォトトランジスタ. Vishay SemiconductorのTEPTシリーズは周囲光センサのファミリです。この製品には、3 mm (T-1)又は5 mm (T-1 3/4)のいずれかのスルーホールパッケージを用意しています。これらのNPNエピタキシャル平面フォトトランジスタは、透明なプラスチック製パッケージに収納されており、人間の目と同様に可視光を感知します。 TEPTシリーズに適した用途には、周囲光センサや交換用のCdSフォトレジスタがあります。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(4000個)
179,800 税込197,780
7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 20 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 250 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-247AC実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 278 W標準入力キャパシタンス @ Vds = 3094 pF @ 10 VNチャンネルMOSFET、Dシリーズ高電圧、Vishay Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1個
699 税込769
翌々日出荷

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