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電子部品(オンボード) :「M23」の検索結果


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Vishay コンデンサ 3300μF, ,50V dc, MAL225621332E3 VISHAYVishay コンデンサ 3300μF, ,50V dc, MAL225621332E3VISHAY
37,980税込41,778
1箱(84個)
7日以内出荷
静電容量 = 3300μF電圧 = 50V dc実装タイプ = スナップインテクノロジー = アルミ電解寸法 = 23 (Dia.) x 32mm高さ = 32mm動作温度 Min = -40℃直径 = 23mm動作温度 Max = +105℃リード間隔 = 10mm等価直列抵抗 = 141mΩ256シリーズ. MAL256シリーズの極性化アルミ電解コンデンサ、非固体電解質 アルミケースの上部圧力逃し弁 PET絶縁スリーブ. 有効寿命: +105 ℃で2000時間、+85 ℃では5000時間以上 電圧範囲: 16 → 100 V 用途: 一般用途、産業用途の標準及びスイッチモード電源、オーディオシステム、DC/DCコンバータ、通信、平滑化及びフィルタリング用途
RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay アバランシェ 整流ダイオード, 1A, 1300V 表面実装, 2-Pin DO-214AC (SMA) シリコンジャンクション 1.65V VISHAYVishay アバランシェ 整流ダイオード, 1A, 1300V 表面実装, 2-Pin DO-214AC (SMA) シリコンジャンクション 1.65VVISHAY
39,980税込43,978
1セット(1800個)
7日以内出荷
実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大連続 順方向電流 = 1Aピーク逆繰返し電圧 = 1300Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = アバランシェダイオードタイプ = 超高速整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.65V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 75ns超高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。
RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay アバランシェ 整流ダイオード, 1.5A, 1000V 表面実装, 2-Pin DO-214AC (SMA) シリコンジャンクション 1.7V VISHAYVishay アバランシェ 整流ダイオード, 1.5A, 1000V 表面実装, 2-Pin DO-214AC (SMA) シリコンジャンクション 1.7VVISHAY
659税込725
1袋(20個)
7日以内出荷
実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大連続 順方向電流 = 1.5Aピーク逆繰返し電圧 = 1000Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = アバランシェダイオードタイプ = 超高速整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.7V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 75nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A超高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。
RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Pチャンネル MOSFET60 V 1.2 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン VISHAYVishay Pチャンネル MOSFET60 V 1.2 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンVISHAY
129,800税込142,780
1セット(3000個)
7日以内出荷
チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 1.2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 345 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 1 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V幅 = 1.4mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Pチャンネル MOSFET40 V 4.4 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン VISHAYVishay Pチャンネル MOSFET40 V 4.4 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンVISHAY
139,800税込153,780
1セット(3000個)
7日以内出荷
チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 4.4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 108 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V最大パワー消費 = 2.5 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V幅 = 1.4mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Pチャンネル MOSFET30 V 4.7 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン VISHAYVishay Pチャンネル MOSFET30 V 4.7 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンVISHAY
96,980税込106,678
1セット(3000個)
7日以内出荷
チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 4.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 75 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V最大パワー消費 = 2.5 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V幅 = 1.4mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Pチャンネル MOSFET30 V 1.9 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン VISHAYVishay Pチャンネル MOSFET30 V 1.9 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンVISHAY
129,800税込142,780
1セット(3000個)
7日以内出荷
チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 1.9 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 190 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 1 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V幅 = 1.4mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Pチャンネル MOSFET8 V 4.4 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン VISHAYVishay Pチャンネル MOSFET8 V 4.4 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンVISHAY
58,980税込64,878
1セット(3000個)
7日以内出荷
チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 4.4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 8 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 35 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大パワー消費 = 960 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V, +8 V幅 = 1.4mm高さ = 1.02mmPチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Pチャンネル MOSFET20 V 3.5 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン VISHAYVishay Pチャンネル MOSFET20 V 3.5 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンVISHAY
86,980税込95,678
1セット(3000個)
7日以内出荷
チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 3.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 165 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大パワー消費 = 1.8 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V, +8 V幅 = 1.4mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Nチャンネル MOSFET80 V 4.6 A 表面実装 パッケージSOT-23 6 ピン VISHAYVishay Nチャンネル MOSFET80 V 4.6 A 表面実装 パッケージSOT-23 6 ピンVISHAY
1,898税込2,088
1袋(25個)
7日以内出荷
チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 4.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 80 Vパッケージタイプ SOT-23実装タイプ 表面実装ピン数 6最大ドレイン-ソース間抵抗 126 mチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 3V最低ゲートしきい値電圧 1.2V最大パワー消費 3.6 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 ±20 V長さ 3.1mm動作温度 Min -55 ℃mmTrenchFETRパワーMOSFET 材料の分類: 用途 ポータブルデバイス用負荷スイッチ LEDバックライトスイッチ DC/DCコンバータ ブーストコンバータ
RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Nチャンネル MOSFET40 V 5.6 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン VISHAYVishay Nチャンネル MOSFET40 V 5.6 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンVISHAY
58,980税込64,878
1セット(3000個)
7日以内出荷
チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 5.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 51 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V最大パワー消費 = 2.1 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V幅 = 1.4mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、30 → 50 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Nチャンネル MOSFET30 V 3.6 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン VISHAYVishay Nチャンネル MOSFET30 V 3.6 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンVISHAY
1,998税込2,198
1袋(50個)
7日以内出荷
チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 3.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 75 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V最大パワー消費 = 1.7 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V幅 = 1.4mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、30 → 50 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Nチャンネル MOSFET20 V 2.6 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン VISHAYVishay Nチャンネル MOSFET20 V 2.6 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンVISHAY
1,598税込1,758
1袋(25個)
7日以内出荷
チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 2.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 20 Vパッケージタイプ SOT-23実装タイプ 表面実装ピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 75 mチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 0.85V最低ゲートしきい値電圧 0.4V最大パワー消費 0.71 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 ±8 V幅 1.4mm動作温度 Min -55 ℃mmハロゲンフリー TrenchFETRパワーMOSFET 100 %耐久性テスト済み 用途 ポータブルデバイス用負荷スイッチング DC/DCコンバータ
RoHS指令(10物質対応)対応
表面実装インダクタ 220 nH 23A 1セット 5個入 VISHAY表面実装インダクタ 220 nH 23A 1セット 5個入VISHAY
899税込989
1セット(5個)
7日以内出荷
IHLP2525CZ-01シリーズ磁気シールド付き巻線型チョークVishay IHLP-2525CZ-01シリーズ高電流低プロファイルシールドインダクタ。 IHLP-2525CZ-01シリーズは、飽和なしで高いトランジェント電流スパイクを処理しており、コンポジット構造により極めて低い電磁騒音を実現します。周波数範囲は5.0 MHzまで 最低のDC抵抗 / μH(このパッケージサイズにて)
仕様●入数:1テープ(5個入り)●インダクタンス:220 nH●最大直流電流:23A●パッケージ/ケース:2225 (5664M)●長さ:6.7mm●シールド:あり●許容差:± 20%●シリーズ:IHLP●インダクタ構造:シールド付きアズワン品番65-6975-96
電気二重層コンデンサ 3V dc 30F リード品 1袋 100個入 VISHAY電気二重層コンデンサ 3V dc 30F リード品 1袋 100個入VISHAY
63,980税込70,378
1袋(100個)
7日以内出荷
Vishay の 235 EDLC シリーズは、高極性蓄電コンデンサです 容量及びエネルギー密度。環境発電用途向けの電源バックアップ / 保管デバイスに使用されます。スルーホール(ラジアル)タイプを用意 高湿度動作向けの耐久性 メンテナンスフリー、保守点検不要
仕様●静電容量:30F●電圧:3V dc●実装タイプ:スルーホール●動作温度 Min:-40℃●動作温度 Max:+85℃●自動車規格:AEC-Q200●高さ:27mm●寸法:18 x 25mm●リード間隔:7.5mm●漏れ電流:12 mA●等価直列抵抗:23mΩ●寿命:2000h●シリーズ:235 EDLC●許容差:-20 → +50%●リードスペーシング:7.5 mmアズワン品番65-7103-41
電気二重層コンデンサ 3V dc 30F リード品 1袋 2個入 VISHAY電気二重層コンデンサ 3V dc 30F リード品 1袋 2個入VISHAY
2,398税込2,638
1袋(2個)
7日以内出荷
仕様●静電容量:30F●電圧:3V dc●実装タイプ:スルーホール●動作温度 Min:-40℃●動作温度 Max:+85℃●直径:18mm●高さ:27mm●寸法:18 x 25mm●リード間隔:7.5mm●漏れ電流:12 mA●等価直列抵抗:23mΩ●寿命:2000h●シリーズ:235 EDLC●許容差:-20 → +50%●リード径:0.8mmアズワン品番65-7103-40
Vishay Nチャンネル パワーMOSFET, 30 V, 6 A, 3 ピン パッケージSOT-23 VISHAYVishay Nチャンネル パワーMOSFET, 30 V, 6 A, 3 ピン パッケージSOT-23VISHAY
1,698税込1,868
1袋(20個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 33 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 2.5 W寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.02mmNチャンネルMOSFET、30 → 50 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Nチャンネル MOSFET, 20 V, 6 A, 3 ピン パッケージSOT-23 SQ Rugged シリーズ VISHAYVishay Nチャンネル MOSFET, 20 V, 6 A, 3 ピン パッケージSOT-23 SQ Rugged シリーズVISHAY
1,398税込1,538
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 54 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V, +8 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 2 W1チップ当たりのエレメント数 = 1AEC-Q101. NチャンネルMOSFET、車載用SQ高耐久性シリーズ、Vishay Semiconductor. Vishay SemiconductorのMOSFET SQ シリーズは、高い耐久性と信頼性を必要とするすべての車載用途に対応した設計です。. SQ高耐久性シリーズMOSFETの利点. AEC-Q101認定 ジャンクション温度: 最高+175 ℃ 低オン抵抗n / pチャンネルTrenchFET(R)技術 画期的な省スペースのパッケージオプションRoHS指令(10物質対応)対応
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 使用用途などの自然な言葉で検索できるようになりました(例:工場の床に白い線を引く)詳細はこちら