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onsemi トランジスタ， NPN， 表面実装， 2 A， KSC5502DTMonsemi￥1,198税込￥1,318
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トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 600 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 50 W最小DC電流ゲイン = 12トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 1200 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 12 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 6.73 x 6.22 x 2.39mmFairchild Semiconductor 高電圧 NPN トランジスタ
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ， NPN， 表面実装， 2 A， KSC5502DTMonsemi￥1,198税込￥1,318
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仕様Fairchild Semiconductor 高電圧 NPN トランジスタピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)600最大エミッタ-ベース間電圧(V)12最大コレクタ-ベース間電圧(V)1200トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(A)2トランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン12最大動作周波数(MHz)1最大パワー消費50 W
