エコ商品
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 150 mA●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 30 V●パッケージタイプ ： SC-75●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 7.5 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 1.5V●最大パワー消費 ： 300 mW●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -10 V， +10 V●幅 ： 0.9mm●高さ ： 0.8mm●NチャンネルMOSFET(ショットキーダイオード付)●ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(3000個)
￥20,980
税込￥23,078
5日以内出荷
チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 915 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = SC-75。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 9.5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 1.1V。最大パワー消費 = 300 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -6 V， +6 V。幅 = 1.6mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルパワーMOSFET、20 V、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥299
税込￥329
5日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 915 mA●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 20 V●パッケージタイプ ： SOT-523 (SC-89)●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 950 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 1.1V●最低ゲートしきい値電圧 ： 0.45V●最大パワー消費 ： 300 mW●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： ±6 V●幅 ： 0.95mm●高さ ： 0.8mm●20 V 915mA 小信号 MOSFET 230 m Ω ●シングル N チャンネル SC-89 ● ESD 保護機能付き低 RDS ( on )により●システム効率が向上します 低しきい値電圧● 1.5 V 定格 ESD保護ゲート 用途: 負荷 / 電源スイッチ 電源変換回路 バッテリマネージメント 携帯電話● PDA ●デジタルカメラ●ポケットベルなどの携帯機器
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(3000個)
￥35,980
税込￥39,578
5日以内出荷
仕様Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 最大9.9 A
シリーズPowerTrench
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(mA)600
最大ドレイン-ソース間電圧(V)20
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)240
最小ゲートしきい値電圧(V)0.6
最大ゲート-ソース間電圧(V)-12、 +12
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費625 mW
1箱(10個)
￥879
税込￥967
5日以内出荷
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