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onsemi トランジスタ， PNP， 表面実装， -50 mA， FJV992FMTFonsemi￥2,598税込￥2,858
1袋(200個)
5日以内出荷
トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -50 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -120 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 300トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -120 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 50 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 2.9 x 1.3 x 1.04mm小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ， NPN， 表面実装， 50 mA， FJV1845FMTFonsemi￥2,298税込￥2,528
1袋(200個)
5日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 50 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 120 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 300トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 120 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 110 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 2.9 x 1.3 x 1.04mm小信号NPNトランジスタ、100 V超、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ， NPN， 表面実装， 50 mA， FJV1845FMTFonsemi￥2,298税込￥2,528
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5日以内出荷
仕様小信号NPNトランジスタ、100 V超、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)120最大パワー消費(mW)300最大エミッタ-ベース間電圧(V)5最大コレクタ-ベース間電圧(V)120トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)50トランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン300最大動作周波数(MHz)110
