電子部品(オンボード) ：「表面実装抵抗」の検索結果

TDKTDK 表面実装インダクタ，

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TDKTDK 積層表面実装インダクタ

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MLF1608DR12K TDK 積層表面実装インダクタ， 120 nH， 200mA， 1.6 x 0.8 x 0.8mm TDK

TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 120 nH， 200mA， 1.6 x 0.8 x 0.8mm

エコ商品

仕様インダクタンス = 120 nH許容差 = ±10%最大直流電流 = 200mA最大自己共振周波数 = 550MHzパッケージ/ケース = 0603 (1608M)最大直流抵抗 = 400mΩコア材料 = フェライト寸法 = 1.6 x 0.8 x 0.8mm奥行き = 0.8mm高さ = 0.8mm長さ = 1.6mm最大動作温度 = +85℃最小動作温度 = -40℃チップインダクタ、MLF1608シリーズ. 高周波数(多層)用 RoHS指令(10物質対応)対応

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￥129 税込￥142

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MLG1005SR15JT TDK 積層表面実装インダクタ， 150 nH， 150mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK

TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 150 nH， 150mA， 1 x 0.5 x 0.5mm

エコ商品

仕様インダクタンス = 150 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 150mA最大自己共振周波数 = 700MHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 3.5Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応

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￥59 税込￥65

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MLG1005S1N5CT TDK 積層表面実装インダクタ， 1.5 nH， 1A， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK

TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 1.5 nH， 1A， 1 x 0.5 x 0.5mm

エコ商品

仕様インダクタンス = 1.5 nH許容差 = ±0.2nH最大直流電流 = 1A最大自己共振周波数 = 9.6GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 100mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応

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￥99 税込￥109

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MLG1005S82NJT TDK 積層表面実装インダクタ， 82 nH， 200mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK

TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 82 nH， 200mA， 1 x 0.5 x 0.5mm

エコ商品

仕様インダクタンス = 82 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 200mA最小品質ファクター = 8パッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 1.6Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応

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￥86 税込￥95

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MLK1005S82NJT TDK 積層表面実装インダクタ， 82 nH， 150mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK

TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 82 nH， 150mA， 1 x 0.5 x 0.5mm

エコ商品

仕様インダクタンス = 82 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 150mA最大自己共振周波数 = 2.2GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 1.8Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応

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￥57 税込￥63

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MLK1005S4N7ST TDK 積層表面実装インダクタ， 4.7 nH， 400mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK

TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 4.7 nH， 400mA， 1 x 0.5 x 0.5mm

エコ商品

仕様インダクタンス = 4.7 nH許容差 = ±0.3nH最大直流電流 = 400mA最小品質ファクター = 7パッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 280mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃インダクタ構造 = 多層チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応

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￥57 税込￥63

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MLG1608B1N2ST TDK 積層表面実装インダクタ， 1.2 nH， 600mA， 1.6 x 0.8 x 0.8mm TDK

TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 1.2 nH， 600mA， 1.6 x 0.8 x 0.8mm

エコ商品

仕様インダクタンス = 1.2 nH許容差 = ±0.3nH最大直流電流 = 600mA最大自己共振周波数 = 20GHzパッケージ/ケース = 0603 (1608M)最大直流抵抗 = 100mΩ寸法 = 1.6 x 0.8 x 0.8mm奥行き = 0.8mm高さ = 0.8mm長さ = 1.6mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1608シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応

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￥229 税込￥252

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MLG1005S6N2ST TDK 積層表面実装インダクタ， 6.2 nH， 600mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK

TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 6.2 nH， 600mA， 1 x 0.5 x 0.5mm

エコ商品

仕様インダクタンス = 6.2 nH許容差 = ±0.3nH最大直流電流 = 600mA最大自己共振周波数 = 4.7GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 250mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応

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￥72 税込￥79

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MLG1005S47NJT TDK 積層表面実装インダクタ， 47 nH， 250mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK

TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 47 nH， 250mA， 1 x 0.5 x 0.5mm

エコ商品

仕様インダクタンス = 47 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 250mA最大自己共振周波数 = 1.4GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 1.2Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応

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￥62 税込￥68

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MLG1005S39NJT TDK 積層表面実装インダクタ， 39 nH， 250mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK

TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 39 nH， 250mA， 1 x 0.5 x 0.5mm

エコ商品

仕様インダクタンス = 39 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 250mA最大自己共振周波数 = 1.6GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 1Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応

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￥119 税込￥131

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MLG1005S2N7CT TDK 積層表面実装インダクタ， 2.7 nH， 800mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK

TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 2.7 nH， 800mA， 1 x 0.5 x 0.5mm

エコ商品

仕様インダクタンス = 2.7 nH許容差 = ±0.2nH最大直流電流 = 800mA最大自己共振周波数 = 7.3GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 150mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃インダクタ構造 = 多層チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応

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￥81 税込￥89

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MLF2012C820K TDK 積層表面実装インダクタ， 82 μH， 2mA， 2 x 1.25 x 1.25mm TDK

TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 82 μH， 2mA， 2 x 1.25 x 1.25mm

エコ商品

仕様インダクタンス = 82 μH許容差 = ±10%最大直流電流 = 2mA最大自己共振周波数 = 14MHzパッケージ/ケース = 0805 (2012M)最大直流抵抗 = 3Ωコア材料 = フェライト寸法 = 2 x 1.25 x 1.25mm奥行き = 1.25mm高さ = 1.25mm長さ = 2mm最大動作温度 = +85℃シールド = ありチップインダクタ、MLF2012シリーズ. 高周波数(多層)用 RoHS指令(10物質対応)対応

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￥149 税込￥164

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MLF2012A1R5K TDK 積層表面実装インダクタ， 1.5 μH， 80mA， 2 x 1.25 x 0.85mm TDK

TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 1.5 μH， 80mA， 2 x 1.25 x 0.85mm

エコ商品

仕様インダクタンス = 1.5 μH許容差 = ±10%最大直流電流 = 80mA最小品質ファクター = 45パッケージ/ケース = 0805 (2012M)最大直流抵抗 = 400mΩコア材料 = フェライト寸法 = 2 x 1.25 x 0.85mm奥行き = 1.25mm高さ = 0.85mm長さ = 2mm最大動作温度 = +85℃最小動作温度 = -40℃チップインダクタ、MLF2012シリーズ. 高周波数(多層)用 RoHS指令(10物質対応)対応

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￥229 税込￥252

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MLF1608A3R9K TDK 積層表面実装インダクタ， 3.9 μH， 30mA， 1.6 x 0.8 x 0.8mm TDK

TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 3.9 μH， 30mA， 1.6 x 0.8 x 0.8mm

エコ商品

仕様インダクタンス = 3.9 μH許容差 = ±10%最大直流電流 = 30mA最大自己共振周波数 = 90MHzパッケージ/ケース = 0603 (1608M)最大直流抵抗 = 1.45Ωコア材料 = フェライト寸法 = 1.6 x 0.8 x 0.8mm奥行き = 0.8mm高さ = 0.8mm長さ = 1.6mm最大動作温度 = +85℃最小動作温度 = -40℃チップインダクタ、MLF1608シリーズ. 高周波数(多層)用 RoHS指令(10物質対応)対応

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￥189 税込￥208

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MLG0603SR10JT TDK 積層表面実装インダクタ， 100 nH， 50mA， 0.6 x 0.3 x 0.3mm TDK

TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 100 nH， 50mA， 0.6 x 0.3 x 0.3mm

エコ商品

仕様インダクタンス = 100 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 50mA最大自己共振周波数 = 900MHzパッケージ/ケース = 0201 (0603M)最大直流抵抗 = 4.5Ω寸法 = 0.6 x 0.3 x 0.3mm奥行き = 0.3mm高さ = 0.3mm長さ = 0.6mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG0603Sシリーズ. 高周波数(多層)用 RoHS指令(10物質対応)対応

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￥41 税込￥45

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MLG1005S56NJT TDK 積層表面実装インダクタ， 56 nH， 200mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK

TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 56 nH， 200mA， 1 x 0.5 x 0.5mm

エコ商品

仕様インダクタンス = 56 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 200mA最小品質ファクター = 8パッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 1.3Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応

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￥67 税込￥74

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MLK1005S6N8DT TDK 積層表面実装インダクタ， 6.8 nH， 400mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK

TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 6.8 nH， 400mA， 1 x 0.5 x 0.5mm

エコ商品

仕様インダクタンス = 6.8 nH許容差 = ±0.5nH最大直流電流 = 400mA最小品質ファクター = 7パッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 350mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応

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￥73 税込￥80

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MLG1608B1N5ST TDK 積層表面実装インダクタ， 1.5 nH， 600mA， 1.6 x 0.8 x 0.8mm TDK

TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 1.5 nH， 600mA， 1.6 x 0.8 x 0.8mm

エコ商品

仕様インダクタンス = 1.5 nH許容差 = ±0.3nH最大直流電流 = 600mA最大自己共振周波数 = 19.6GHzパッケージ/ケース = 0603 (1608M)最大直流抵抗 = 100mΩ寸法 = 1.6 x 0.8 x 0.8mm奥行き = 0.8mm高さ = 0.8mm長さ = 1.6mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1608シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応

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￥60 税込￥66

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MLG1005S5N6ST TDK 積層表面実装インダクタ， 5.6 nH， 600mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK

TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 5.6 nH， 600mA， 1 x 0.5 x 0.5mm

エコ商品

仕様インダクタンス = 5.6 nH許容差 = ±0.3nH最大直流電流 = 600mA最大自己共振周波数 = 5.3GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 250mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応

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￥90 税込￥99

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MLG1005S3N0CT TDK 積層表面実装インダクタ， 3 nH， 800mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK

TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 3 nH， 800mA， 1 x 0.5 x 0.5mm

エコ商品

仕様インダクタンス = 3 nH許容差 = ±0.2nH最大直流電流 = 800mA最大自己共振周波数 = 6.8GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 200mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応

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￥72 税込￥79

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MLG1005S2N0CT TDK 積層表面実装インダクタ， 2 nH， 900mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK

TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 2 nH， 900mA， 1 x 0.5 x 0.5mm

エコ商品

仕様インダクタンス = 2 nH許容差 = ±0.2nH最大直流電流 = 900mA最大自己共振周波数 = 9.3GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 150mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(10個)

￥72 税込￥79

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MLG1005S1N0CT TDK 積層表面実装インダクタ， 1 nH， 1A， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK

TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 1 nH， 1A， 1 x 0.5 x 0.5mm

エコ商品

仕様インダクタンス = 1 nH許容差 = ±0.2nH最大直流電流 = 1A最小品質ファクター = 7パッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 100mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(10個)

￥109 税込￥120

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MLG1005S15NJT TDK 積層表面実装インダクタ， 15 nH， 400mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK

TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 15 nH， 400mA， 1 x 0.5 x 0.5mm

エコ商品

仕様インダクタンス = 15 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 400mA最小品質ファクター = 8パッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 550mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(10個)

￥119 税込￥131

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MLF2012DR68K TDK 積層表面実装インダクタ， 680 nH， 150mA， 2 x 1.25 x 1.25mm TDK

TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 680 nH， 150mA， 2 x 1.25 x 1.25mm

エコ商品

仕様シリーズ = MLFインダクタンス = 680 nH許容差 = ±10%最大直流電流 = 150mA最大自己共振周波数 = 190MHzパッケージ/ケース = 0805 (2012M)最大直流抵抗 = 600mΩコア材料 = フェライト寸法 = 2 x 1.25 x 1.25mm奥行き = 1.25mm高さ = 1.25mm長さ = 2mm最大動作温度 = +85℃最小動作温度 = -40℃チップインダクタ、MLF2012シリーズ. 高周波数(多層)用 RoHS指令(10物質対応)対応

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￥119 税込￥131

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MLG0603S1N0CT TDK 積層表面実装インダクタ， 1 nH， 600mA， 0.6 x 0.3 x 0.3mm TDK

TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 1 nH， 600mA， 0.6 x 0.3 x 0.3mm

エコ商品

仕様インダクタンス = 1 nH許容差 = ±0.2nH最大直流電流 = 600mA最大自己共振周波数 = 14.4GHzパッケージ/ケース = 0201 (0603M)最大直流抵抗 = 100mΩ寸法 = 0.6 x 0.3 x 0.3mm奥行き = 0.3mm高さ = 0.3mm長さ = 0.6mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG0603Sシリーズ. 高周波数(多層)用 RoHS指令(10物質対応)対応

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￥93 税込￥102

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MLK1005S8N2DT TDK 積層表面実装インダクタ， 8.2 nH， 350mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK

TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 8.2 nH， 350mA， 1 x 0.5 x 0.5mm

エコ商品

仕様インダクタンス = 8.2 nH許容差 = ±0.5nH最大直流電流 = 350mA最大自己共振周波数 = 6GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 380mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(10個)

￥73 税込￥80

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MLK1005S22NJT TDK 積層表面実装インダクタ， 22 nH， 200mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK

TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 22 nH， 200mA， 1 x 0.5 x 0.5mm

エコ商品

仕様インダクタンス = 22 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 200mA最大自己共振周波数 = 4.4GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 700mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応

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￥149 税込￥164

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MLK1005S18NJT TDK 積層表面実装インダクタ， 18 nH， 250mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK

TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 18 nH， 250mA， 1 x 0.5 x 0.5mm

エコ商品

仕様インダクタンス = 18 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 250mA最大自己共振周波数 = 4.7GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 600mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応

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￥58 税込￥64

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MLK1005S15NJT TDK 積層表面実装インダクタ， 15 nH， 300mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK

TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 15 nH， 300mA， 1 x 0.5 x 0.5mm

エコ商品

仕様インダクタンス = 15 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 300mA最大自己共振周波数 = 4.8GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 500mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応

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￥56 税込￥62

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MLG1005SR39JT TDK 積層表面実装インダクタ， 390 nH， 50mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK

TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 390 nH， 50mA， 1 x 0.5 x 0.5mm

エコ商品

仕様インダクタンス = 390 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 50mA最大自己共振周波数 = 400MHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 8Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応

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￥67 税込￥74

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MLG1005S3N9CT TDK 積層表面実装インダクタ， 3.9 nH， 700mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK

TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 3.9 nH， 700mA， 1 x 0.5 x 0.5mm

エコ商品

仕様インダクタンス = 3.9 nH許容差 = ±0.2nH最大直流電流 = 700mA最大自己共振周波数 = 6.5GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 200mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応

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￥99 税込￥109

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MLG1005S12NJT TDK 積層表面実装インダクタ， 12 nh， 400mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK

TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 12 nh， 400mA， 1 x 0.5 x 0.5mm

エコ商品

仕様インダクタンス = 12 nh許容差 = ±5%最大直流電流 = 400mA最大自己共振周波数 = 3GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 400mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応

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￥86 税込￥95

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MLK0603L33NJT TDK 積層表面実装インダクタ， 33 nH， 100mA， 0.6 x 0.3 x 0.3mm TDK

TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 33 nH， 100mA， 0.6 x 0.3 x 0.3mm

エコ商品

仕様インダクタンス = 33 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 100mA最大自己共振周波数 = 4.4GHzパッケージ/ケース = 0201 (0603M)最大直流抵抗 = 1.8Ω寸法 = 0.6 x 0.3 x 0.3mm奥行き = 0.3mm高さ = 0.3mm長さ = 0.6mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK0603シリーズ RoHS指令(10物質対応)対応

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￥68 税込￥75

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MLK1005SR10JT TDK 積層表面実装インダクタ， 100 nH， 100mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK

TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 100 nH， 100mA， 1 x 0.5 x 0.5mm

エコ商品

仕様インダクタンス = 100 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 100mA最大自己共振周波数 = 1.9GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 2.2Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応

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￥149 税込￥164

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MLK1005S68NJT TDK 積層表面実装インダクタ， 68 nH， 150mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK

TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 68 nH， 150mA， 1 x 0.5 x 0.5mm

エコ商品

仕様インダクタンス = 68 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 150mA最大自己共振周波数 = 2.4GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 1.5Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応

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￥58 税込￥64

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MLG1005S5N1ST TDK 積層表面実装インダクタ， 5.1 nH， 600mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK

TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 5.1 nH， 600mA， 1 x 0.5 x 0.5mm

エコ商品

仕様インダクタンス = 5.1 nH許容差 = ±0.3nH最大直流電流 = 600mA最大自己共振周波数 = 5GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 250mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応

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￥119 税込￥131

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MLG1005S2N2CT TDK 積層表面実装インダクタ， 2.2 nH， 900mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK

TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 2.2 nH， 900mA， 1 x 0.5 x 0.5mm

エコ商品

仕様インダクタンス = 2.2 nH許容差 = ±0.2nH最大直流電流 = 900mA最大自己共振周波数 = 8.6GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 150mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応

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￥64 税込￥70

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MLG1005S27NJT TDK 積層表面実装インダクタ， 27 nH， 300mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK

TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 27 nH， 300mA， 1 x 0.5 x 0.5mm

エコ商品

仕様インダクタンス = 27 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 300mA最大自己共振周波数 = 2GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 800mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(10個)

￥72 税込￥79

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