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Toshiba デュアル Nチャンネル パワーMOSFET東芝￥419税込￥461
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様デュアルMOSFET Nチャンネル、TPCシリーズ、東芝ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応パッケージSOP実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)1.5チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)5.1最大ドレイン-ソース間電圧(V)40最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)40最大ゲートしきい値電圧(V)2.3最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20カテゴリーパワーMOSFET
Toshiba Pチャンネル パワーMOSFET東芝￥1,298税込￥1,428
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様MOSFET Pチャンネル、TPCシリーズ、東芝実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(W)1.9チャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧(V)2カテゴリーパワーMOSFET
東芝 過渡電圧サプレッサ ツェナーダイオード， 15V， 700 mW， 2-Pin S-FLAT東芝￥1,498税込￥1,648
1袋(25個)
翌々日出荷
仕様標準ツェナー電圧 = 15V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 700 mWパッケージタイプ = S-FLATツェナータイプ = トランジェントサプレッサピン数 = 2テスト電流 = 10mA最大ツェナーインピーダンス = 30Ω最大逆漏れ電流 = 10μA長さ = 2.6mm寸法 = 2.6 x 1.6 x 0.98mm幅 = 1.6mmツェナーダイオード700 mW、CRYμCRZシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
東芝 過渡電圧サプレッサ ツェナーダイオード， 6.8V， 700 mW， 2-Pin S-FLAT東芝￥1,398税込￥1,538
1袋(25個)
翌々日出荷
仕様標準ツェナー電圧 = 6.8V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 700 mWパッケージタイプ = S-FLATツェナータイプ = トランジェントサプレッサピン数 = 2テスト電流 = 10mA最大ツェナーインピーダンス = 60Ω最大逆漏れ電流 = 10μA長さ = 2.6mm寸法 = 2.6 x 1.6 x 0.98mm動作温度 Max = +150 ℃ツェナーダイオード700 mW、CRYμCRZシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
東芝， 整流ダイオード， 700mA， 400V， 2-Pin S-FLAT東芝￥1,298税込￥1,428
1袋(50個)
翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 400V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = S-FLATダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.1V長さ = 2.6mm幅 = 1.6mm高さ = 0.98mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 16.5A高効率高速整流ダイオード、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
東芝， 整流ダイオード， 1A， 30V， 2-Pin S-FLAT東芝￥1,798税込￥1,978
1袋(50個)
翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = S-FLATピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 390mV長さ = 2.6mm幅 = 1.6mm高さ = 0.98mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 20Aショットキーバリアダイオード、CMS / CRS / CUSシリーズRoHS指令(10物質対応)対応
東芝， 整流ダイオード， 2A， 30V， 2-Pin M-FLAT東芝￥699税込￥769
1袋(25個)
翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = M-FLATピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 370mV長さ = 3.8mm幅 = 2.4mm高さ = 0.98mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 40Aショットキーバリアダイオード、CMS / CRS / CUSシリーズRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Pチャンネル MOSFET， 30 V， 10 A， 8 ピン パッケージSOP東芝￥769税込￥846
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 10 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 17 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V、+20 Vパッケージタイプ = SOP実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 1.9 W標準入力キャパシタンス @ Vds = 2580 pF @ -10 VMOSFET Pチャンネル、TPCシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Pチャンネル MOSFET， 30 V， 16 A， 8 ピン パッケージSOP東芝￥399税込￥439
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 16 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 6.9 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V、+20 Vパッケージタイプ = SOP実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 1.9 W寸法 = 5.5 x 4.4 x 1.5mmMOSFET Pチャンネル、TPCシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 30 V， 9 A， 8 ピン パッケージSOIC東芝￥739税込￥813
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 33 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.3V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 1.9 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TPCxxxx、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 30 V， 13 A， 8 ピン パッケージSOIC東芝￥389税込￥428
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 13 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 14.7 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.3V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 1.9 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TPCxxxx、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 60 V， 15 A， 8 ピン パッケージSOP TPC シリーズ東芝￥349税込￥384
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 15 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 22.3 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.3V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOP実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 2.8 W標準入力キャパシタンス @ Vds = 1620 pF @ 10 VMOSFET Nチャンネル、TPCAxxxx、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 60 V， 9 A， 8 ピン パッケージSOP TPC シリーズ東芝￥869税込￥956
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 24.2 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.3V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOP実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 1.9 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TPCxxxx、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 30 V， 31 A， 8 ピン パッケージTSON U-MOSVIII-H シリーズ東芝￥1,398税込￥1,538
1袋(20個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 31 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 16 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.3V最低ゲートしきい値電圧 = 1.3V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TSON実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチングレギュレータMOSFET最大パワー消費 = 19 W動作温度 Max = +150 ℃RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 60 V， 40 A， 8 ピン パッケージSOP U-MOSVIII-H シリーズ東芝￥629税込￥692
1袋(20個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 40 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 17 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V最低ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOP実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチングレギュレータMOSFET最大パワー消費 = 34 W順方向ダイオード電圧 = 1.2VMOSFET Nチャンネル、TPHシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 30 V， 32 A， 8 ピン パッケージSOP U-MOSVIII-H シリーズ東芝￥859税込￥945
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 32 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 16 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.3V最低ゲートしきい値電圧 = 1.3V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOP実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチングレギュレータMOSFET最大パワー消費 = 21 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TPHシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 40 V， 15 A， 3 ピン パッケージDPAK+ (TO-252) U-MOSVIII-H シリーズ東芝￥429税込￥472
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 15 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 37 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V最低ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = DPAK+ (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチングレギュレータMOSFET最大パワー消費 = 46 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
