Toshiba NPN パワートランジスタ, 230 V, 15 A, 3-Pin TO-3P東芝当日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 15 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 230 Vパッケージタイプ = TO-3P実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 150 W最小DC電流ゲイン = 35トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 230 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.5mmNPNパワートランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN パワートランジスタ, 230 V, 15 A, 3-Pin TO-3PN東芝翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 15 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 230 Vパッケージタイプ = TO-3PN実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 150 W最小DC電流ゲイン = 35トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 230 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 30 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1長さ = 15.5mmNPNパワートランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET, 900 V, 3 A, 3 ピン パッケージSC-67 2SK シリーズ東芝翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 900 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.3Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = SC-67実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 40 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、2SKシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 30 V, 100 A, 3 ピン パッケージSOT-416 (SC-75)東芝翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 100 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 6 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大ゲート-ソース間電圧 = +20 Vパッケージタイプ = SOT-416 (SC-75)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルカテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 100 mW1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、SSM3Kシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
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