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Toshiba PNP トランジスタ， 80 V， 12 A， 3-Pin TO-220SIS東芝￥1,498税込￥1,648
1袋(5個)
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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 12 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 30 W @ 25 ℃最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -6 V最大動作周波数 = 50 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃PNPパワートランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET， 60 V， 58 A， 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ東芝￥759税込￥835
1袋(5個)
当日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 58 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5.4 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 35 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET N-Channel， TK4， TK5 Series， ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN トランジスタ， 80 V， 12 A， 3-Pin TO-220SIS東芝￥1,398税込￥1,538
1袋(5個)
欠品中
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 12 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 30 W @ 25 ℃最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.5mmNPNパワートランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET， 100 V， 207 A， 3 ピン パッケージTO-220 TK シリーズ東芝￥569税込￥626
1個
当日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 207 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.4 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 255 W標準ターンオフ遅延時間 = 140 nsMOSFET N-Channel， TK100 Series， ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Pチャンネル MOSFET東芝(1件のレビュー)￥1,698～税込￥1,868～
1袋(5個)ほか
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実装タイプ表面実装チャンネルタイプPチャンネルモードエンハンスメント型
フォトカプラ Toshiba (東芝) TLP350(TP5，F)， IGBT，MOSFET ゲート駆動用， 8-Pin東芝￥419税込￥461
1個
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仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = IGBTゲートドライブ、MOSFET最大順方向電圧 = 1.8Vチャンネル数 = 2ピン数 = 8パッケージタイプ = PDIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 15ns最大入力電流 = 20 mA絶縁電圧 = 3750 V ac標準降下時間 = 8nsフォトカプラ、IGBT/MOSFETゲート駆動、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba モータドライバIC， 2.7～5.5 V， 16-Pin SSOP ブラシ付きDC東芝￥159税込￥175
1個
当日出荷
仕様モータタイプ = ブラシ付きDC出力構成 = デュアルフルブリッジ最大IGBTコレクタ電流 = 1A実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SSOPピン数 = 16動作供給電圧 Min = 2.7 V標準スイッチング周波数 = 100kHz動作温度 Min = -20 ℃モータコントローラ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル IGBT東芝(1件のレビュー)￥999～税込￥1,099～
1個ほか
当日出荷から7日以内出荷
長さ(mm)15.5幅(mm)4.5高さ(mm)20ピン数(ピン)3パッケージTO-3P実装タイプスルーホール最大連続コレクタ電流(A)50最大ゲート-エミッタ間電圧(V)±25チャンネルタイプN最大パワー消費(W)230トランジスタ構成シングル
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET， 600 V， 20 A， 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ東芝￥2,398税込￥2,638
1袋(5個)
当日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 20 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 175 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba 4000シリーズ デュアル モノステーブルマルチバイブレータ， 3～18 V， 16-Pin PDIP東芝￥889税込￥978
1袋(5個)
当日出荷
仕様ロジックファミリー = 4000ロジック機能 = モノステーブルマルチバイブレータ1チップ当たりのエレメント数 = 2最小パルス幅 = 25 ns最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 760 ns @ 5 V最大静止電流 = 20mA実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = PDIPピン数 = 16寸法 = 19.25 x 6.4 x 3.5mm高さ = 3.5mm長さ = 19.25mm動作温度 Min = -40 ℃TC4000ファミリ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET， 250 V， 30 A， 3 ピン パッケージTO-3PN東芝(1件のレビュー)￥2,998税込￥3,298
1袋(5個)
当日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 30 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 250 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 0.06 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = +20 Vパッケージタイプ = TO-3PN実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 260 W @ 25 ℃1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 60 V， 60 A， 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ東芝￥629税込￥692
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 60 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10.4 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 30 W標準ターンオフ遅延時間 = 36 nsMOSFET N-Channel， TK4， TK5 Series， ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET， 650 V， 27.6 A， 3 ピン パッケージTO-220 DTMOSIV シリーズ東芝(1件のレビュー)￥1,598税込￥1,758
1袋(2個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 27.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 650 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 110 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチング レギュレータ最大パワー消費 = 230 W順方向ダイオード電圧 = 1.7VMOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba デュアル Nチャンネル MOSFET， 60 V， 400 mA， 3 ピン パッケージSOT-23東芝￥1,398税込￥1,538
1袋(100個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 400 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.75 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 2.1V最低ゲートしきい値電圧 = 1.1V最大ゲート-ソース間電圧 = ±20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 1 W標準ターンオフ遅延時間 = 38 nsRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Pチャンネル MOSFET， 40 V， 15 A， 3 ピン パッケージDPAK東芝￥1,198税込￥1,318
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 15 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 48 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2V最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大ゲート-ソース間電圧 = ±20 Vパッケージタイプ = DPAK実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 29 W1チップ当たりのエレメント数 = 1
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 500 V， 15 A， 3 ピン パッケージTO-3PN TK シリーズ東芝(1件のレビュー)￥499税込￥549
1個
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 15 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 270 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-3PN実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 280 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル 小信号 MOSFET， 30 V， 200 mA， 3 ピン パッケージSOT-346 (SC-59) 2SK シリーズ東芝￥649税込￥714
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 200 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 200 mW標準入力キャパシタンス @ Vds = 70 pF @ 3 VMOSFET Nチャンネル、2SKシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba 74HCシリーズ ロジックゲート東芝￥959税込￥1,055
1袋(20個)
翌々日出荷から7日以内出荷
ピン数(ピン)14パッケージSOIC実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)2～6低レベル出力電流(mA)5.2高レベル出力電流(mA)-5.2ロジックファミリー74HC
Toshiba ロジックゲート， AND， スルーホール， 4-入力， 74東芝￥219税込￥241
1袋(5個)
翌々日出荷
幅(mm)6.4ピン数(ピン)14論理HCRoHS指令(10物質対応)対応パッケージPDIP実装タイプスルーホール動作供給電圧(V)【最小】2【最大】6低レベル出力電流(mA)【最大】5.2高レベル出力電流(mA)【最大】-5.2最大伝播遅延時間@最大CL100 ns @ 2 V， 17 ns @ 6 V， 20 ns @ 4.5 Vロジック機能ANDエレメント数2ゲートあたりの入力数4シュミットトリガー入力なし
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET， 600 V， 15.8 A， 3 ピン パッケージTO-220 DTMOSIV シリーズ東芝￥1,398税込￥1,538
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 15.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 230 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4.5V最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチング レギュレータ最大パワー消費 = 130 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 40 V， 15 A， 3 ピン パッケージDPAK+ (TO-252) U-MOSVIII-H シリーズ東芝￥429税込￥472
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 15 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 37 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V最低ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = DPAK+ (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチングレギュレータMOSFET最大パワー消費 = 46 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
フォトカプラ Toshiba (東芝) TLP183(GB-TPL，E(T， トランジスタ出力， 4-Pin東芝￥389税込￥428
1袋(20個)
翌々日出荷
仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.4Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = SO6入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 2μs最大入力電流 = 50 mA (順電流)絶縁電圧 = 3750 Vrms最大電流変換率 = 600%最小電流伝送率 = 100%シリーズ = TLP183フォトカプラ、トランジスタ出力、TLP183 / TLP185シリーズ. 東芝のトランジスタ出力付きTLP183 / TLP185シリーズシングルフォトカプラです。RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル 小信号 MOSFET， 30 V， 100 mA， 3 ピン パッケージSOT-346 (SC-59) SSM3 シリーズ東芝￥219税込￥241
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 100 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 200 mW標準入力キャパシタンス @ Vds = 7.8 pF @ 3 VMOSFET Nチャンネル、SSM3Kシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba 74 ACTシリーズ バッファ / ラインドライバ， 3ステート 非反転， 4.5～5.5 V， 20-Pin SOP東芝￥1,898税込￥2,088
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様ロジックファミリー = ACTロジック機能 = バッファ， ラインドライバ1チップ当たりのチャンネル数 = 8入力タイプ = シングルエンド出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOPピン数 = 20高レベル出力電流 Max = -24mA低レベル出力電流 Max = 24mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 8.3 ns @ 5 V寸法 = 12.8 x 5.3 x 1.5mm高さ = 1.5mm幅 = 5.3mmTC74ACTシリーズ、東芝. プロセス: CMOS 電源電圧: 4.5 → 5.5 VRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN ダーリントンペア， 400 V， 6 A， 3-Pin TO-220SIS東芝￥1,498税込￥1,648
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大連続コレクタ電流 = 6 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 2最小DC電流ゲイン = 100最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 2.5 V最大コレクタ-ベース間電圧 = 600 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 2 V最大コレクタカットオフ電流 = 20μA寸法 = 10 x 4.5 x 15mmNPNダーリントントランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba LDOレギュレータ 200mA， 3.6 V 固定出力， 3.8～15 V入力， 5-Pin SSOP東芝￥589税込￥648
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様出力電圧 = 3.6 V出力タイプ = 固定パッケージタイプ = SSOP出力電流 Max = 200mA実装タイプ = 表面実装入力電圧 Min = 3.8 V入力電圧 Max = 15 Vピン数 = 5出力数 = 1静止電流 = 0.17mA動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +85 ℃パワーレーティング = 0.38Wイネーブル = ありポイントレギュレータ(低ドロップアウトレギュレータ)、シングル出力、バイポーラタイプ、東芝. 低ドロップアウト電圧 制御端子付き(オン / オフ制御) 入力安定性3 mV (通常)、15 mV (最大) 負荷安定性25 mV (通常)、75 mV (最大)RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN 高電圧 パワートランジスタ， 400 V， 2 A， 3-Pin DPAK (TO-252)東芝￥559税込￥615
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 15 W最小DC電流ゲイン = 20トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 600 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 6.5 x 5.5 x 2.3mm高電圧トランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 60 V， 60 A， 3 ピン パッケージTO-220SIS U-MOSVIII-H シリーズ東芝￥959税込￥1,055
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 60 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10.4 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 30 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET N-Channel， TK4， TK5 Series， ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba HCシリーズ インバータ(NOTゲート)， 2.6mA， 2～6 V， 5-Pin SSOP東芝￥229税込￥252
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様ロジック機能 = インバータ入力タイプ = シュミットトリガー1チップ当たりのエレメント数 = 1シュミットトリガ入力 = あり最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 100 ns @ 2 V， 17 ns @ 6 V， 20 ns @ 4.5 V高レベル出力電流 Max = -2.6mA低レベル出力電流 Max = 2.6mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SSOPピン数 = 5ロジックファミリー = HC寸法 = 2.9 x 1.6 x 1.1mm動作温度 Min = -40 ℃TC7Sシリーズ. プロセス: CMOS 電源電圧: 2.0 → 6.0 VRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET， 600 V， 25 A， 3 ピン パッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ東芝￥2,898税込￥3,188
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 25 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 125 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチング レギュレータ最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 20 V， 500 mA， 3 ピン パッケージUFM SSM3 シリーズ東芝￥369税込￥406
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 500 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.52 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V， +10 Vパッケージタイプ = UFM実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 500 mW標準入力キャパシタンス @ Vds = 46 pF @ 10 VMOSFET Nチャンネル、SSM3Kシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET， 600 V， 9.7 A， 3 ピン パッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ東芝￥419税込￥461
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 380 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最低ゲートしきい値電圧 = 2.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチング レギュレータ最大パワー消費 = 30 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル IGBT， 1100 V， 60 A， 3-Pin TO-3PN シングル東芝￥669税込￥736
1個
翌々日出荷
仕様最大連続コレクタ電流 = 60 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 1100 V最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±25V最大パワー消費 = 333 Wパッケージタイプ = TO-3PN実装タイプ = スルーホールチャンネルタイプ = Nピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル長さ = 15.5mm幅 = 4.5mm高さ = 20mm寸法 = 15.5 x 4.5 x 20mm動作温度 Max = +175 ℃IGBTディスクリート、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル IGBT， 600 V， 20 A， 3-Pin TO-220SIS シングル東芝￥499税込￥549
1個
翌々日出荷
仕様最大連続コレクタ電流 = 20 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 600 V最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±25V最大パワー消費 = 45 Wパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールチャンネルタイプ = Nピン数 = 3スイッチングスピード = 100kHzトランジスタ構成 = シングル長さ = 10mm幅 = 4.5mm高さ = 15mm寸法 = 10 x 4.5 x 15mm動作温度 Max = +150 ℃IGBTディスクリート、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba バッファ，ラインドライバスルーホール， 20-Pin， 回路数:8， TC74HC540AP(F)東芝￥2,298税込￥2,528
1袋(5個)
翌々日出荷
寸法24.6 x 6.4 x 3.5mm入力シングルエンドピン数(ピン)20極性反転回路数8使用条件【伝播遅延テスト】150pF論理HCRoHS指令(10物質対応)対応パッケージPDIP実装タイプスルーホール動作供給電圧(V)【最小】2低レベル出力電流(mA)【最大】7.8高レベル出力電流(mA)【最大】-7.8最大伝播遅延時間@最大CL130 ns @ 2 Vロジック機能バッファ， ラインドライバ出力タイプ3ステート
Toshiba 74LCXシリーズ オクタルバスバッファ東芝￥1,698～税込￥1,868～
1袋(25個)ほか
7日以内出荷
ロジックファミリー74LCXエレメント数(入力)1最大伝播遅延時間@最大CL25ns@50pF高レベル出力電流(mA)-24低レベル出力電流(mA)24実装タイプ表面実装パッケージTSSOPピン数(ピン)20寸法(mm)6.5×4.4×1高さ(mm)1長さ(mm)6.5
Toshiba Nチャンネル IGBT 600 V 30 A， 3-Pin TO-3P シングル東芝￥769税込￥846
1個
7日以内出荷
寸法15.9 x 4.8 x 20mmピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応パッケージTO-3P実装タイプスルーホール最大連続コレクタ電流(A)30最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)600最大ゲート-エミッタ間電圧(V)±20チャンネルタイプNトランジスタ構成シングルスイッチングスピード1MHz最大パワー消費170 W最大動作温度(℃)150
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