能動部品 ：「micro エレメント」の検索結果
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高速、安全、及びコスト効果の高い対称認証。Microchip SHAベースのCryptoAuthentication暗号化エレメントデバイスは、幅広い認証モデルを実現する柔軟性の高いユーザー設定セキュリティを提供できるように設計されています。ATSHA204Aは、SHAデバイスグループの初めてのデバイスです。ATECC108AとATECC508AはATSHA204Aの上位セットであるため、ATSHA204Aはこれらと上位互換性があります。すべてのCryptoAuthenticationデバイスと同様、ATSHA204Aは暗号化の専門知識なしで簡単に設計できます。Secure Hash Algorithm (SHA)アルゴリズムは、ほとんどの暗号システムで広く使用されていて、最新の認証プロトコルで重要な要素であり続けています。これらのデバイスはSHA-256規格をサポートしています。対称認証ソリューション 高速認証 容易なキー管理 偽造防止に最適 保護されたハードウェアベースのキーストレージを備えた暗号化エレメント セキュア対称認証デバイスのホスト / クライアント操作
仕様パッケージタイプ = UDFNピン数 = 8動作供給電圧 Min = 2 V動作供給電圧 Max = 5.5 V
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
￥2,298
税込￥2,528
5日以内出荷
パワーラッチドライバ、Microchip. 高電圧高電流ソースドライバアレイ ダーリントントランジスタドライバ 低電力CMOSラッチ 出力トランジェント保護ダイオード 高出力負荷の切り替えに最適
仕様ラッチモード = 透明ラッチエレメント = Dタイプビット数 = 4bit実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = PDIPピン数 = 14寸法 = 19.05 x 6.35 x 3.3mm高さ = 3.3mm長さ = 19.05mm幅 = 6.35mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(25個)
￥9,698
税込￥10,668
5日以内出荷
パワーラッチドライバ、Microchip. 高電圧高電流ソースドライバアレイ ダーリントントランジスタドライバ 低電力CMOSラッチ 出力トランジェント保護ダイオード 高出力負荷の切り替えに最適
仕様パッケージタイプ = SOIC Wロジックタイプ = ドライバ， シフト レジスターステージ数 = 8論理回路 = MIC実装タイプ = 表面実装動作/操作モード = シリアル - シリアル， パラレルエレメント数 = 1ピン数 = 18寸法 = 11.66 x 7.65 x 2.39mm動作温度 Max = 85 ℃
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
￥1,698
税込￥1,868
5日以内出荷
パワーラッチドライバ、Microchip. 高電圧高電流ソースドライバアレイ ダーリントントランジスタドライバ 低電力CMOSラッチ 出力トランジェント保護ダイオード 高出力負荷の切り替えに最適
仕様論理回路 = LVCMOS， LVTTLラッチモード = 透明ラッチエレメント = Dタイプビット数 = 8bit実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOIC Wピン数 = 24寸法 = 15.42 x 7.52 x 2.36mm高さ = 2.36mm長さ = 15.42mm動作温度 Max = +85 ℃
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
￥1,598
税込￥1,758
5日以内出荷
パワーラッチドライバ、Microchip. 高電圧高電流ソースドライバアレイ ダーリントントランジスタドライバ 低電力CMOSラッチ 出力トランジェント保護ダイオード 高出力負荷の切り替えに最適
仕様パッケージタイプ = PDIPロジックタイプ = ドライバ， シフト レジスターステージ数 = 8論理回路 = MIC実装タイプ = スルーホール動作/操作モード = シリアル - シリアル， パラレルエレメント数 = 1ピン数 = 18寸法 = 23.37 x 6.35 x 3.3mm動作温度 Min = -40 ℃
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
￥1,798
税込￥1,978
5日以内出荷
パワーラッチドライバ、Microchip. 高電圧高電流ソースドライバアレイ ダーリントントランジスタドライバ 低電力CMOSラッチ 出力トランジェント保護ダイオード 高出力負荷の切り替えに最適
仕様パッケージタイプ = PDIPロジックタイプ = ドライバ， シフト レジスターステージ数 = 8論理回路 = MIC実装タイプ = スルーホール動作/操作モード = シリアル - シリアル， パラレルエレメント数 = 1ピン数 = 16動作供給電圧 Min = 5 V動作供給電圧 Max = 12 V寸法 = 19.81 x 6.35 x 3.3mm方向性タイプ = 単方向
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(25個)
￥8,798
税込￥9,678
5日以内出荷
パワーラッチドライバ、Microchip. 高電圧高電流ソースドライバアレイ ダーリントントランジスタドライバ 低電力CMOSラッチ 出力トランジェント保護ダイオード 高出力負荷の切り替えに最適
仕様パッケージタイプ = SOIC Wロジックタイプ = ドライバ， シフト レジスターステージ数 = 8論理回路 = MIC実装タイプ = 表面実装動作/操作モード = シリアル - シリアル， パラレルエレメント数 = 1ピン数 = 16動作供給電圧 Min = 5 V動作供給電圧 Max = 12 V寸法 = 10.39 x 7.65 x 2.39mm動作温度 Max = 85 ℃
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥2,598
税込￥2,858
5日以内出荷
仕様ラッチモード：透明 、 ラッチエレメント：Dタイプ 、 ビット数：4bit 、 実装タイプ：スルーホール 、 パッケージタイプ：PDIP 、 ピン数：14 、 寸法：19.05 x 6.35 x 3.3mm 、 高さ：3.3mm 、 長さ：19.05mm 、 動作温度 Min：-40 ℃ 、 パワーラッチドライバ、Microchip. 高電圧高電流ソースドライバアレイ ダーリントントランジスタドライバ 低電力CMOSラッチ 出力トランジェント保護ダイオード 高出力負荷の切り替えに最適
RoHS指令(10物質対応)対応
仕様ロジックファミリー：LVCMOS， LVTTL●ラッチモード：透明●ラッチエレメント：Dタイプ●ビット数：8bit●実装タイプ：表面実装●パッケージタイプ：SOIC W●ピン数：24●寸法：15.42 x 7.52 x 2.36mm●高さ：2.36mm●長さ：15.42mm●幅：7.52mm●パワーラッチドライバ、Microchip. 高電圧高電流ソースドライバアレイ ダーリントントランジスタドライバ 低電力CMOSラッチ 出力トランジェント保護ダイオード 高出力負荷の切り替えに最適
RoHS指令(10物質対応)対応
仕様ファミリー名：ATF1504AS 、 マクロセル数：64 、 ユーザI/O数：68 、 ロジックブロック/エレメント数：3 、 インシステムプログラミング：インシステム 、 実装タイプ：表面実装 、 パッケージタイプ：TQFP 、 ピン数：44 、 伝播遅延：10ns 、 個別アウトプットイネーブルコントロール：あり 、 寸法：10.1 x 10.1 x 1.05mm 、 高さ：1.05mm 、 長さ：10.1mm 、 動作温度 Min：-40 ℃ 、 複合プログラム可能ロジックデバイス
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥819
税込￥901
7日以内出荷
仕様●論理回路： MIC5840●1チップ当たりのエレメント数： 1●回路数： 8●出力タイプ： CMOS●実装タイプ： 表面実装●パッケージタイプ： SOIC●ピン数： 18●動作温度 Min： -40 ℃
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(1000個)
￥469,800
税込￥516,780
7日以内出荷
仕様ファミリー名 = Atmelマクロセル数 = 64ユーザI/O数 = 32メモリタイプ = EEPROMロジックブロック/エレメント数 = 10インシステムプログラミング = インシステム実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TQFP動作温度 Min = -40 ℃伝播遅延 = 7.5ns個別アウトプットイネーブルコントロール = あり寸法 = 10.1 x 10.1 x 1.05mm高さ = 1.05mm動作供給電圧 Max = 3.6 Vmm幅 = 10.1mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
￥1,998
税込￥2,198
7日以内出荷
複合プログラム可能ロジックデバイス
仕様ファミリー名 = ATF1504ASマクロセル数 = 64ユーザI/O数 = 68ロジックブロック/エレメント数 = 3インシステムプログラミング = インシステム実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TQFP動作温度 Min = -40 ℃伝播遅延 = 10ns個別アウトプットイネーブルコントロール = あり寸法 = 10.1 x 10.1 x 1.05mm高さ = 1.05mm長さ = 10.1mm再ブログラミングサポート = ありmm複合プログラム可能ロジックデバイス
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥819
税込￥901
欠品中
仕様ファミリー名 = Atmelマクロセル数 = 128ユーザI/O数 = 80メモリタイプ = EEPROMロジックブロック/エレメント数 = 14インシステムプログラミング = インシステム実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TQFP動作温度 Min = -40 ℃伝播遅延 = 15ns個別アウトプットイネーブルコントロール = あり寸法 = 14.1 x 14.1 x 1.05mm高さ = 1.05mm長さ = 14.1mm再ブログラミングサポート = あり
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
￥1,998
税込￥2,198
7日以内出荷
Supertex NチャンネルデプレッションモードMOSFETトランジスタ. Microchip社のSupertexシリーズNチャンネル減損モードDMOS FETトランジスタは、高破壊電圧、高入力インピーダンス、低入力静電容量、そして高速なスイッチング速度が求められる用途に最適です。. 特長. 高入力インピーダンス 低入力静電容量 高速なスイッチング速度 低オン抵抗 二次降伏なし 低い入力及び出力漏れ. 代表的用途. 常時オンスイッチ ソリッドステートリレー コンバータ リニアアンプ 定電流源 電源回路 電気通信
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 130 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 450 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 20 Ωチャンネルモード = デプレッション型最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最大パワー消費 = 740 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm動作温度 Min = -55 ℃mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥1,398
税込￥1,538
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 30 mA●最大ドレイン-ソース間電圧： 500 V●パッケージタイプ： TO-92●実装タイプ： スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 1 kΩ●チャンネルモード： デプレッション型●最大ゲートしきい値電圧： 3V●最大パワー消費： 740 mW●トランジスタ構成： シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -20 V， +20 V●1チップ当たりのエレメント数： 1mm●動作温度 Min： -55 ℃mm●Supertex NチャンネルデプレッションモードMOSFETトランジスタ. Microchip社のSupertexシリーズNチャンネル減損モードDMOS FETトランジスタは、高破壊電圧、高入力インピーダンス、低入力静電容量、そして高速なスイッチング速度が求められる用途に最適です。. 特長. 高入力インピーダンス 低入力静電容量 高速なスイッチング速度 低オン抵抗 二次降伏なし 低い入力及び出力漏れ. 代表的用途. 常時オンスイッチ ソリッドステートリレー コンバータ リニアアンプ 定電流源 電源回路 電気通信
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
￥1,998
税込￥2,198
7日以内出荷
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- 能動部品
- 受動部品
能動部品 の新着商品
TE Connectivity 自動車リレー， SPNO， 12V dc， 4.7 Ω
TE Connectivity Japan(旧:TYCOELECTRONICS(タイコエレクトロニクス))
税込￥10,998～
￥9,998～
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