仕様●実装タイプ : スルーホール●パッケージタイプ : TO-220AB●最大連続 順方向電流 : 10A●ピーク逆繰返し電圧 : 45V●ダイオード構成 : コモンカソード●整流タイプ : ショットキー整流器●ダイオードタイプ : ショットキー●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 2●ダイオードテクノロジー : ショットキー●ピーク非繰返し順方向サージ電流 : 180A●ショットキーバリアダイオード、10 A → 16 A、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥779
税込¥857
5日以内出荷
仕様●実装タイプ : スルーホール●パッケージタイプ : TO-247●最大連続 順方向電流 : 30A●ピーク逆繰返し電圧 : 30V●ダイオード構成 : コモンカソード●整流タイプ : ショットキー整流器●ダイオードタイプ : ショットキー●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 2●ダイオードテクノロジー : ショットキー●ピーク非繰返し順方向サージ電流 : 600A●ショットキーバリアダイオード、30 A、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥669
税込¥736
5日以内出荷
仕様●実装タイプ : スルーホール●パッケージタイプ : TO-220ABFP●最大連続 順方向電流 : 10A●ピーク逆繰返し電圧 : 60V●ダイオード構成 : コモンカソード●整流タイプ : ショットキー整流器●ダイオードタイプ : ショットキー●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 2●ダイオードテクノロジー : ショットキー●ピーク非繰返し順方向サージ電流 : 180A●ショットキーバリアダイオード、10 A → 16 A、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
¥5,498
税込¥6,048
5日以内出荷
仕様●実装タイプ : スルーホール●パッケージタイプ : TO-247●最大連続 順方向電流 : 80A●ピーク逆繰返し電圧 : 170V●ダイオード構成 : コモンカソード●整流タイプ : ショットキー整流器●ダイオードタイプ : ショットキー●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 2●ダイオードテクノロジー : ショットキー●ピーク非繰返し順方向サージ電流 : 500A●STMicroelectronics ショットキーバリアダイオード 40 → 240 A. この高電圧ショットキー整流器は、高周波スイッチング電源に適しています。 このデバイスはISOTOPに収められ、二次整流に使用されます。. 特長. ;ul> ;li>無視できるほど低いスイッチング損失 ;/li> ;li>アバランシェ定格 ;/li> ;li>低漏洩電流 ;/li> ;li>漏洩電流と順方向電圧降下の良好なトレードオフ ;/li> ;li>絶縁パッケージ ISOTOP: ;/li> ;/ul> 絶縁電圧: 2500 VRMS 静電容量:45 pF
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥849
税込¥934
5日以内出荷
仕様●実装タイプ : スルーホール●パッケージタイプ : TO-220AB●最大連続 順方向電流 : 20A●ピーク逆繰返し電圧 : 100V●ダイオード構成 : コモンカソード●整流タイプ : ショットキー整流器●ダイオードタイプ : ショットキー●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 2●ダイオードテクノロジー : ショットキー●ピーク非繰返し順方向サージ電流 : 250A●STMicroelectronics ショットキーバリアダイオード 20 → 25 A
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥119
税込¥131
5日以内出荷
仕様●実装タイプ : スルーホール●パッケージタイプ : TO-247●最大連続 順方向電流 : 60A●ピーク逆繰返し電圧 : 300V●ダイオード構成 : コモンカソード●整流タイプ : スイッチング●ダイオードタイプ : 整流器●ピン数 : 3●最大順方向降下電圧 : 1.25V●1チップ当たりのエレメント数 : 2●ダイオードテクノロジー : シリコンジャンクション●ピーク逆回復時間 : 55ns●ピーク非繰返し順方向サージ電流 : 300A●整流ダイオード、10 A → 240 A、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥639
税込¥703
5日以内出荷
仕様●実装タイプ : スルーホール●パッケージタイプ : TO-247●最大連続 順方向電流 : 15A●ピーク逆繰返し電圧 : 200V●ダイオード構成 : コモンカソード●整流タイプ : スイッチング●ダイオードタイプ : 整流器●ピン数 : 3●最大順方向降下電圧 : 1.18V●1チップ当たりのエレメント数 : 2●ダイオードテクノロジー : シリコンジャンクション●ピーク逆回復時間 : 22ns●ピーク非繰返し順方向サージ電流 : 180A●整流ダイオード、10 A → 240 A、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥519
税込¥571
5日以内出荷
仕様●実装タイプ : スルーホール●パッケージタイプ : TO-220AB●最大連続 順方向電流 : 20A●ピーク逆繰返し電圧 : 200V●ダイオード構成 : コモンカソード●整流タイプ : スイッチング●ダイオードタイプ : 整流器●ピン数 : 3●最大順方向降下電圧 : 1.25V●1チップ当たりのエレメント数 : 2●ダイオードテクノロジー : シリコンジャンクション●ピーク逆回復時間 : 26ns●ピーク非繰返し順方向サージ電流 : 80A●整流ダイオード、10 A → 240 A、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥649
税込¥714
5日以内出荷
仕様●実装タイプ : スルーホール●パッケージタイプ : TO-220AB●最大連続 順方向電流 : 30A●ピーク逆繰返し電圧 : 200V●ダイオード構成 : コモンカソード●整流タイプ : スイッチング●ダイオードタイプ : 整流器●ピン数 : 3●最大順方向降下電圧 : 1.25V●1チップ当たりのエレメント数 : 2●ダイオードテクノロジー : シリコンジャンクション●ピーク逆回復時間 : 27ns●ピーク非繰返し順方向サージ電流 : 90A
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥549
税込¥604
5日以内出荷
最大順方向電流 = 30A。1チップ当たりのエレメント数 = 2。最大逆電圧 = 200V。パッケージタイプ = TO-247。ピン数 = 3V。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 15.75mm。幅 = 5.15mm。高さ = 20.15mm。寸法 = 15.75 x 5.15 x 20.15mm。整流ダイオード、10 A → 240 A、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥2,198
税込¥2,418
5日以内出荷
チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 18 A。最大ドレイン-ソース間電圧 200 V。シリーズ STripFET。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 125 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4V。最低ゲートしきい値電圧 2V。最大パワー消費 110 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -20 V, +20 V。幅 4.6mm。動作温度 Min -55 ℃mm。NチャンネルSTripFET、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥1,898
税込¥2,088
5日以内出荷
チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 9 A。最大ドレイン-ソース間電圧 200 V。パッケージタイプ TO-220。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 400 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4V。最低ゲートしきい値電圧 2V。最大パワー消費 75 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -20 V, +20 V。長さ 10.4mm。動作温度 Min -65 ℃mm。NチャンネルSTripFET、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
¥6,498
税込¥7,148
5日以内出荷
チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 21 A。最大ドレイン-ソース間電圧 500 V。シリーズ MDmesh。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 158 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4V。最低ゲートしきい値電圧 2V。最大パワー消費 35 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -25 V, +25 V。幅 4.6mm。高さ 16.4mm。NチャンネルMDmesh、500 V、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
¥26,980
税込¥29,678
5日以内出荷
チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 13 A。最大ドレイン-ソース間電圧 600 V。シリーズ MDmesh。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 285 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4V。最低ゲートしきい値電圧 2V。最大パワー消費 110 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -25 V, +25 V。幅 4.6mm。高さ 15.75mm。NチャンネルMDmesh、600 / 650 V、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
¥11,980
税込¥13,178
5日以内出荷
チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 80 A。最大ドレイン-ソース間電圧 120 V。シリーズ STripFET。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 18 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 2V。最大パワー消費 300 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -20 V, +20 V。幅 4.6mm。動作温度 Min -55 ℃mm。NチャンネルSTripFET、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
¥13,980
税込¥15,378
5日以内出荷
実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-247。最大連続 順方向電流 = 30A。ピーク逆繰返し電圧 = 60V。ダイオード構成 = コモンカソードペア2組。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 3。最大順方向降下電圧 = 1.05V。1チップ当たりのエレメント数 = 2。ダイオードテクノロジー = ショットキー。スイッチモード電源及びその他の電力コンバータに適した高電圧デュアルショットキー整流器です。TO-247 にパッケージされたこのデバイスは、中電圧動作、特に低スイッチング損失と低ノイズが求められる高周波数回路での使用を想定しています。無視できるスイッチングロス 低静電容量 低順方向電圧降下 高逆アバランシェサージ機能
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥2,298
税込¥2,528
5日以内出荷
チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 17 A。最大ドレイン-ソース間電圧 650 V。シリーズ MDmesh。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 190 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4V。最低ゲートしきい値電圧 2V。最大パワー消費 30 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V, +30 V。幅 4.6mm。動作温度 Min -55 ℃mm。NチャンネルMDmesh、600 / 650 V、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥549
税込¥604
5日以内出荷
仕様●実装タイプ : スルーホール●パッケージタイプ : TO-220AB●最大連続 順方向電流 : 40A●ピーク逆繰返し電圧 : 45V●ダイオード構成 : コモンカソードペア2組●整流タイプ : ショットキー整流器●ダイオードタイプ : ショットキー●ピン数 : 3●最大順方向降下電圧 : 700mV●1チップ当たりのエレメント数 : 2●ダイオードテクノロジー : ショットキー
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥1,998
税込¥2,198
5日以内出荷
チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 17 A。最大ドレイン-ソース間電圧 500 V。シリーズ MDmesh, SuperMESH。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 270 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4.5V。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 190 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V, +30 V。幅 5.15mm。動作温度 Min -55 ℃mm。NチャンネルMDmesh SuperMESH、250 → 650 V、STMicroelectronics
1セット(30個)
¥12,980
税込¥14,278
5日以内出荷
チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 14 A。最大ドレイン-ソース間電圧 500 V。シリーズ MDmesh, SuperMESH。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 380 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4.5V。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 150 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V, +30 V。長さ 15.75mm。高さ 20.15mm。NチャンネルMDmesh SuperMESH、250 → 650 V、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(30個)
¥15,980
税込¥17,578
5日以内出荷
チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 10 A。最大ドレイン-ソース間電圧 600 V。シリーズ MDmesh, SuperMESH。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 750 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4.5V。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 35 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V, +30 V。幅 4.6mm。動作温度 Min -55 ℃mm。NチャンネルMDmesh SuperMESH、250 → 650 V、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
¥16,980
税込¥18,678
5日以内出荷
チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 9 A。最大ドレイン-ソース間電圧 800 V。シリーズ MDmesh, SuperMESH。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 900 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4.5V。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 40 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V, +30 V。トランジスタ素材 Simm。高さ 9.3mm。STMicroelectronics チャネル MDmesh SuperMESH 700 → 1200 V
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
¥1,798
税込¥1,978
5日以内出荷
チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 4 A。最大ドレイン-ソース間電圧 600 V。シリーズ MDmesh, SuperMESH。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 2 Ω。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4.5V。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 70 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V, +30 V。幅 4.6mm。高さ 9.15mm。NチャンネルMDmesh SuperMESH、250 → 650 V、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
¥7,298
税込¥8,028
5日以内出荷
チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 7.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 700 V。シリーズ MDmesh, SuperMESH。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 1.2 Ω。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4.5V。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 35 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V, +30 V。標準ゲートチャージ Vgs 48 nC 10 Vmm。高さ 16.4mm。STMicroelectronics チャネル MDmesh SuperMESH 700 → 1200 V
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
¥14,980
税込¥16,478
5日以内出荷
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