能動部品 ：「プロ用」の検索結果

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = SMA。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2。Vishay Semiconductor 高速回復整流器 1A. 業界標準のパッケージに収められ、汎用で高効率の高速リカバリダイオードです。. 高さ 1 mm の低プロファイルです アバランシェ整流器

インダクタンス = 470 nH。最大直流電流 = 11.5A。パッケージ/ケース = 2080。長さ = 5.4mm。奥行き = 2mm。シールド = あり。許容差 = ± 20%。シリーズ = IHLP。インダクタ構造 = シールド付き。IHLP2020BZ-01シリーズ磁気シールド付き巻線型チョーク. Vishay IHLP-2020BZ-01シリーズ高電流低プロファイルシールドインダクタ。 IHLP-2020BZ-01シリーズは、飽和なしで高いトランジェント電流スパイクを処理しており、コンポジット構造により極めて低い電磁騒音を実現します。. 周波数範囲は5.0 MHzまで 最低のDC抵抗 / μH(このパッケージサイズにて). 用途: PDA / ノートPC / デスクトップ / サーバデバイス、高電流POLコンバータ、低プロファイル、高電流電源、バッテリ駆動デバイス、分散したパワーシステムにおけるDC / DCコンバータ、フィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)用のDC / DCコンバータなど

インダクタンス = 4.7 μH。最大直流電流 = 2.8A。パッケージ/ケース = 2020。長さ = 5.4mm。奥行き = 2mm。シールド = あり。許容差 = ± 20%。シリーズ = IHLP。インダクタ構造 = シールド付き。IHLP2020BZ-01シリーズ磁気シールド付き巻線型チョーク. Vishay IHLP-2020BZ-01シリーズ高電流低プロファイルシールドインダクタ。 IHLP-2020BZ-01シリーズは、飽和なしで高いトランジェント電流スパイクを処理しており、コンポジット構造により極めて低い電磁騒音を実現します。. 周波数範囲は5.0 MHzまで 最低のDC抵抗 / μH(このパッケージサイズにて). 用途: PDA / ノートPC / デスクトップ / サーバデバイス、高電流POLコンバータ、低プロファイル、高電流電源、バッテリ駆動デバイス、分散したパワーシステムにおけるDC / DCコンバータ、フィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)用のDC / DCコンバータなど

インダクタンス = 4.7 μH。最大直流電流 = 12A。パッケージ/ケース = 5050。長さ = 12.9mm。奥行き = 5mm。シールド = あり。許容差 = ± 20%。シリーズ = IHLP。インダクタ構造 = シールド付き。IHLP5050EZ-01シリーズ磁気シールド付き巻線型チョーク. Vishay IHLP-5050EZ-01シリーズ高電流低プロファイルシールドインダクタ。 IHLP-5050EZ-01シリーズは、飽和なしで高いトランジェント電流スパイクを処理しており、コンポジット構造により極めて低い電磁騒音を実現します。. 周波数範囲は5.0 MHzまで 最低のDC抵抗 / μH(このパッケージサイズにて). 用途: PDA / ノートPC / デスクトップ / サーバデバイス、高電流POLコンバータ、低プロファイル、高電流電源、バッテリ駆動デバイス、分散したパワーシステムにおけるDC / DCコンバータ、フィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)用のDC / DCコンバータなど

インダクタンス = 8.2 μH。最大直流電流 = 8.5A。パッケージ/ケース = 5050。長さ = 13.2mm。奥行き = 12.9mm。高さ = 3.5mm。寸法 = 13.2 x 12.9 x 3.5mm。シールド = あり。許容差 = ±20%。最大直流抵抗 = 28mΩ。シリーズ = IHLP-5050CE-01。コア材料 = 金属複合材。最大自己共振周波数 = 5MHz。モールドタイプ = あり℃。IHLP5050CE-01シリーズ磁気シールド付き巻線型チョーク. Vishay IHLP-5050CE-01シリーズ高電流低プロファイルシールドインダクタ。 IHLP-5050CE-01シリーズは、飽和なしで高いトランジェント電流スパイクを処理しており、コンポジット構造により極めて低い電磁騒音を実現します。. 周波数範囲は5.0 MHzまで 最低のDC抵抗 / μH(このパッケージサイズにて). 用途: PDA / ノートPC / デスクトップ / サーバデバイス、高電流POLコンバータ、低プロファイル、高電流電源、バッテリ駆動デバイス、分散したパワーシステムにおけるDC / DCコンバータ、フィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)用のDC / DCコンバータなど

インダクタンス = 6.8 μH。最大直流電流 = 8A。パッケージ/ケース = 4040。長さ = 10.8mm。奥行き = 10.16mm。高さ = 4mm。寸法 = 10.8 x 10.16 x 4mm。シールド = あり。許容差 = ±20%。最大直流抵抗 = 23.3mΩ。シリーズ = IHLP-4040DZ-01。コア材料 = 金属複合材。最大自己共振周波数 = 5MHz。モールドタイプ = あり℃。IHLP4040DZ-01シリーズ磁気シールド付き巻線型チョーク. Vishay IHLP-4040DZ-01シリーズ高電流低プロファイルシールドインダクタ。 IHLP-4040DZ-01シリーズは、飽和なしで高いトランジェント電流スパイクを処理しており、コンポジット構造により極めて低い電磁騒音を実現します。. 周波数範囲は5.0 MHzまで 最低のDC抵抗 / μH(このパッケージサイズにて). 用途: PDA / ノートPC / デスクトップ / サーバデバイス、高電流POLコンバータ、低プロファイル、高電流電源、バッテリ駆動デバイス、分散したパワーシステムにおけるDC / DCコンバータ、フィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)用のDC / DCコンバータなど

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = DO-204AC。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 5.2mm。寸法 = 2.7 (Dia.) x 5.2mm。直径 = 2.7mm。Vishay Semiconductor 高速回復整流器 1A. 業界標準のパッケージに収められ、汎用で高効率の高速リカバリダイオードです。. 高さ 1 mm の低プロファイルです アバランシェ整流器

ダイオード構成 = シングルA。実装タイプ = 表面実装。最大逆電圧 = 1000V。パッケージタイプ = DO-219AB。ピン数 = 2。最大ダイオードキャパシタンス = 4pF。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 2.9mm。幅 = 1.9mm。高さ = 1.08mm。寸法 = 2.9 x 1.9 x 1.08mm。自動車規格 = AEC-Q101。表面実装用途向け 低プロファイルパッケージ 自動位置決めに最適

ダイオード構成 = シングルA。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大逆電圧 = 400V。パッケージタイプ = SMA。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 4.5mm。幅 = 2.79mm。高さ = 2.09mm。寸法 = 4.5 x 2.79 x 2.09mm。Vishay Semiconductor 高速回復整流器 1A. 業界標準のパッケージに収められ、汎用で高効率の高速リカバリダイオードです。. 高さ 1 mm の低プロファイルです アバランシェ整流器

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = DO-213AB。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 5.2mm。寸法 = 5.2 x 2.67mm。直径 = 2.67mm。Vishay Semiconductor 高速回復整流器 1A. 業界標準のパッケージに収められ、汎用で高効率の高速リカバリダイオードです。. 高さ 1 mm の低プロファイルです アバランシェ整流器

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大連続 順方向電流 = 1.5A。ピーク逆繰返し電圧 = 400V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = アバランシェ。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.15V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 4μs。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。標準回復整流器、1.5 A. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。. 高さ1 mmの低プロファイル アバランシェ整流

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-204AL。最大連続 順方向電流 = 1.5A。ピーク逆繰返し電圧 = 1000V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.4V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 2μs。直径 = 2.7mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A。標準回復整流器、1.5 A. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。. 高さ1 mmの低プロファイル アバランシェ整流

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 48.4V。最小ブレークダウン電圧 = 33.3V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 30V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 12.4A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.24mm。幅 = 3.94mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大連続 順方向電流 = 1.5A。ピーク逆繰返し電圧 = 1600V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = アバランシェ。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.15V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 4μs。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。標準回復整流器、1.5 A. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。. 高さ1 mmの低プロファイル アバランシェ整流

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大連続 順方向電流 = 1.5A。ピーク逆繰返し電圧 = 400V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.15V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 2μs。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A。標準回復整流器、1.5 A. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。. 高さ1 mmの低プロファイル アバランシェ整流

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大連続 順方向電流 = 1.5A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.15V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 2μs。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A。標準回復整流器、1.5 A. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。. 高さ1 mmの低プロファイル アバランシェ整流

最大抵抗 = 200kΩ。回転数 = 19 (電気的)、22 (機械的)。取り付けタイプ = スルーホール。定格電力 = 1/2W。シリーズ = 64W。方位 = 上面調整。終端スタイル = ピン。長さ = 9.7mm。奥行き = 5mm。高さ = 11.1mm。寸法 = 9.7 x 5 x 11.1mm。軸径 = 2.2 mm。許容差 = ±10%。最小動作温度 = -55℃。上面調整64 Wシリーズ. スリムボディプロファイル - 高パッキング密度 密閉による液浸基板洗浄への耐性 難燃性プラスチックハウジング ダブルシェブロンシャフトシール 成形ボディ、スタンドオフ内蔵 基板アセンブリ用ICスタイルピン 貴金属ワイパーにより、セットポイントの安定性を確保

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 77.4V。最小ブレークダウン電圧 = 53.3V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 48V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 7.8A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。高さ = 2.24mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 12.9V。最小ブレークダウン電圧 = 8.33V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 7.5V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 46.5A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.24mm。幅 = 3.94mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 58.1V。最小ブレークダウン電圧 = 40V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 36V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 10.3A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 3.94mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 9.2V。最小ブレークダウン電圧 = 6.4V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-215AA。最大逆スタンドオフ電圧 = 5V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 65.2A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.21mm。テスト電流 = 10mA。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBGシリーズ、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-215AA (SMBG)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大連続 順方向電流 = 1.5A。ピーク逆繰返し電圧 = 50V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.15V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 2μs。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A。標準回復整流器、1.5 A. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。. 高さ1 mmの低プロファイル アバランシェ整流

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-213AB。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 1000V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 高速スイッチング整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.3V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 500ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。Vishay Semiconductor 高速回復整流器 1A. 業界標準のパッケージに収められ、汎用で高効率の高速リカバリダイオードです。. 高さ 1 mm の低プロファイルです アバランシェ整流器

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-219AD。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 30V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 550mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 25A。超低プロファイル - 高さ0.65 mm (標準) 自動位置決めに最適 低順方向電圧降下、低電力損失 用途: 低電圧高周波インバータ、還流、DC-DCコンバータ、極性保護などの用途で使用

最大抵抗 = 500Ω。回転数 = 19 (電気的)、22 (機械的)。取り付けタイプ = スルーホール。定格電力 = 1/2W。シリーズ = 64Y。方位 = 上面調整。終端スタイル = ピン。長さ = 9.7mm。奥行き = 5mm。高さ = 11.1mm。寸法 = 9.7 x 5 x 11.1mm。軸径 = 2.2 mm。許容差 = ±10%。最大動作温度 = +155℃。上面調整64Yシリーズ. スリムボディプロファイル - 高パッキング密度 密閉による液浸基板洗浄への耐性 難燃性プラスチックハウジング ダブルシェブロンシャフトシール 成形ボディ、スタンドオフ内蔵 基板アセンブリ用ICスタイルピン 貴金属ワイパーにより、セットポイントの安定性を確保

最大抵抗 = 100Ω。回転数 = 19 (電気的)、22 (機械的)。取り付けタイプ = スルーホール。定格電力 = 1/2W。シリーズ = 64Y。方位 = 上面調整。終端スタイル = ピン。長さ = 9.7mm。奥行き = 5mm。高さ = 11.1mm。寸法 = 9.7 x 5 x 11.1mm。軸径 = 2.2 mm。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。上面調整64Yシリーズ. スリムボディプロファイル - 高パッキング密度 密閉による液浸基板洗浄への耐性 難燃性プラスチックハウジング ダブルシェブロンシャフトシール 成形ボディ、スタンドオフ内蔵 基板アセンブリ用ICスタイルピン 貴金属ワイパーにより、セットポイントの安定性を確保

最大抵抗 = 2kΩ。回転数 = 21 (電気的)、23 (機械的)。取り付けタイプ = スルーホール。定格電力 = 1/2W。シリーズ = 64Y。方位 = 上面調整。終端スタイル = ピン。長さ = 9.7mm。奥行き = 5mm。高さ = 11.1mm。寸法 = 9.7 x 5 x 11.1mm。軸径 = 2.2 mm。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。上面調整64Yシリーズ. スリムボディプロファイル - 高パッキング密度 密閉による液浸基板洗浄への耐性 難燃性プラスチックハウジング ダブルシェブロンシャフトシール 成形ボディ、スタンドオフ内蔵 基板アセンブリ用ICスタイルピン 貴金属ワイパーにより、セットポイントの安定性を確保

最大抵抗 = 1kΩ。回転数 = 19 (電気的)、22 (機械的)。取り付けタイプ = スルーホール。定格電力 = 1/2W。シリーズ = 64X。方位 = 側面調整。終端スタイル = ピン。長さ = 11mm。奥行き = 5mm。高さ = 9.8mm。寸法 = 11 x 5 x 9.8mm。軸径 = 2.2 mm。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。側面調整64Xシリーズ. スリムボディプロファイル - 高パッキング密度 密閉による液浸基板洗浄への耐性 難燃性プラスチックハウジング ダブルシェブロンシャフトシール 成形ボディ、スタンドオフ内蔵 基板アセンブリ用ICスタイルピン 貴金属ワイパーにより、セットポイントの安定性を確保

最大抵抗 = 50kΩ。回転数 = 19 (電気的)、22 (機械的)。取り付けタイプ = スルーホール。定格電力 = 1/2W。シリーズ = 64W。方位 = 上面調整。終端スタイル = ピン。長さ = 9.7mm。奥行き = 5mm。高さ = 11.1mm。寸法 = 9.7 x 5 x 11.1mm。軸径 = 2.2 mm。許容差 = ±10%。最小動作温度 = -55℃。上面調整64 Wシリーズ. スリムボディプロファイル - 高パッキング密度 密閉による液浸基板洗浄への耐性 難燃性プラスチックハウジング ダブルシェブロンシャフトシール 成形ボディ、スタンドオフ内蔵 基板アセンブリ用ICスタイルピン 貴金属ワイパーにより、セットポイントの安定性を確保

最大抵抗 = 1kΩ。回転数 = 19 (電気的)、22 (機械的)。取り付けタイプ = スルーホール。定格電力 = 1/2W。シリーズ = 64W。方位 = 上面調整。終端スタイル = ピン。長さ = 9.7mm。奥行き = 5mm。高さ = 11.1mm。寸法 = 9.7 x 5 x 11.1mm。軸径 = 2.2 mm。許容差 = ±10%。最大動作温度 = +155℃。上面調整64 Wシリーズ. スリムボディプロファイル - 高パッキング密度 密閉による液浸基板洗浄への耐性 難燃性プラスチックハウジング ダブルシェブロンシャフトシール 成形ボディ、スタンドオフ内蔵 基板アセンブリ用ICスタイルピン 貴金属ワイパーにより、セットポイントの安定性を確保

最大抵抗 = 100kΩ。回転数 = 19 (電気的)、22 (機械的)。取り付けタイプ = スルーホール。定格電力 = 1/2W。シリーズ = 64Y。方位 = 上面調整。終端スタイル = ピン。長さ = 9.7mm。奥行き = 5mm。高さ = 11.1mm。寸法 = 9.7 x 5 x 11.1mm。軸径 = 2.2 mm。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。上面調整64Yシリーズ. スリムボディプロファイル - 高パッキング密度 密閉による液浸基板洗浄への耐性 難燃性プラスチックハウジング ダブルシェブロンシャフトシール 成形ボディ、スタンドオフ内蔵 基板アセンブリ用ICスタイルピン 貴金属ワイパーにより、セットポイントの安定性を確保

最大抵抗 = 100kΩ。回転数 = 19 (電気的)、22 (機械的)。取り付けタイプ = スルーホール。定格電力 = 1/2W。シリーズ = 64W。方位 = 上面調整。終端スタイル = ピン。長さ = 9.7mm。奥行き = 5mm。高さ = 11.1mm。寸法 = 9.7 x 5 x 11.1mm。軸径 = 2.2 mm。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。上面調整64 Wシリーズ. スリムボディプロファイル - 高パッキング密度 密閉による液浸基板洗浄への耐性 難燃性プラスチックハウジング ダブルシェブロンシャフトシール 成形ボディ、スタンドオフ内蔵 基板アセンブリ用ICスタイルピン 貴金属ワイパーにより、セットポイントの安定性を確保