onsemiの能動部品

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 1.5 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 25 V。パッケージタイプ = TO-92。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 1 W。最小DC電流ゲイン = 120， 160。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。小信号NPNトランジスタ、最大30 V、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 14 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 100 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 48000 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V， +10 V。幅 = 6.22mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。Fairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 15.6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。シリーズ = QFET。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 100 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 6.1mm。高さ = 2.3mm。QFETR NチャンネルMOSFET、11 → 30 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFETR平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。 高度なQFETRプロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 4.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 72 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 1.6 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。幅 = 1.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PowerTrenchR PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -800 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -60 V。パッケージタイプ = TO-92。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 625 mW。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 1 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = TO-92。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 625 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 75 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 300 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 800 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 350 mW。最小DC電流ゲイン = 50。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 75 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 300 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V

ダイオード構成 シングル。1チップ当たりのエレメント数 1。パッケージタイプ DO-41。ダイオードテクノロジー シリコンジャンクション。ピン数 2V。動作温度 Min -65 ℃。動作温度 Max +175 ℃。高さ 5.2mm。寸法 2.7 (Dia.) 5.2mm。直径 2.7mm。ON Semi 1N4001-1N4007アキシャルリード標準回復整流器. このON Semiconductor製品シリーズは、一般的な低電力用途向けに特別に設計された標準整流器です。この製品は、外部表面に腐食耐性があり、端子リードが容易にはんだ付けできる仕上げが施されています。これにより、顧客に効果的で信頼性の高い製品を提供します。. 特長:. ケース: エポキシ、成形 重量: 25 仕上げ: 外面は耐食性、端子リードははんだ付け可能 はんだ付け用の鉛温度: 最大260 (10秒間) 極性: 極性バンドでカソードを表示. 主な用途. 高周波インバータ フリーホイールダイオード 極性保護ダイオード

ダイオード構成 シングル。実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ DO-41。ダイオードテクノロジー シリコンジャンクション。最大順方向降下電圧 1.1V。動作温度 Min -65 ℃。動作温度 Max +175 ℃。高さ 5.2mm。寸法 2.7 (Dia.) 5.2mm。直径 2.7mm。ON Semi 1N4001-1N4007アキシャルリード標準回復整流器. このON Semiconductor製品シリーズは、一般的な低電力用途向けに特別に設計された標準整流器です。この製品は、外部表面に腐食耐性があり、端子リードが容易にはんだ付けできる仕上げが施されています。これにより、顧客に効果的で信頼性の高い製品を提供します。. 特長:. ケース: エポキシ、成形 重量: 25 仕上げ: 外面は耐食性、端子リードははんだ付け可能 はんだ付け用の鉛温度: 最大260 (10秒間) 極性: 極性バンドでカソードを表示. 主な用途. 高周波インバータ フリーホイールダイオード 極性保護ダイオード

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-41。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 20V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 750mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。直径 = 2.7mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 25A。ON Semi 1N5817 / 8 / 9アキシャルリード整流器. このシリーズは、金属-シリコンのパワーダイオードで構成されています。これらのダイオードは、クロムバリア金属、酸化物不動態化、金属オーバーラップコンタクトの形で提供されます。. 特長:. 超低VF 低い蓄積電荷 多数キャリア伝導 低電力損失 / 高効率. 特長:. ケース: エポキシ、成形 重量: 0.4 g 仕上げ: すべての外面に耐腐食性、端子リードは容易にはんだ付け可能 はんだ付けのリード温度: 最高260 ℃ (10秒間) 極性: 極性バンドでカソードを表示. 代表的用途:. 高周波数インバータ 還流ダイオード 極性保護ダイオード

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。電源タイプ = デュアル電源。回路数 = 1。ピン数 = 8。標準デュアル供給電圧 = ±3 → ±18V。標準スルーレート = 10V/μs。動作温度 Max = +70 ℃。標準電圧ゲイン = 104 dB。幅 = 4mm。LM201A(V) / LM301A、非補償オペアンプ、ON Semiconductor. 低入力オフセット電流: 20 nA 柔軟性をもたらす外付け周波数補償 クラスAB出力が優れた直線性を実現 ショート出力保護

標準ツェナー電圧 5.6V。1チップ当たりのエレメント数 1。最大パワー消費 5 W。パッケージタイプ DO-15。ツェナータイプ 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 5%。ピン数 2。テスト電流 220mA。最大ツェナーインピーダンス 1Ω。最大逆漏れ電流 1μA。寸法 8.89 3.68 3.68mm。動作温度 Min -65 ℃。ON Semiconductor ツェナーダイオード W Surmetic 1N5333 1N5346シリーズ. ON Semiconductorの1N53シリーズは、Surmetic40 アキシャルリード W ツェナーダイオードです。このアキシャルリードデバイスは、軸方向リードのトランスファー成形プラスチックパッケージの中に入っており、一般的なあらゆる環境条件から保護されます。この電圧レギュレータは、シリコン酸化物不動態化接合の優れた性能を反映して、限界を厳密化し動作特性を向上させます。外面は耐腐食性で、リードは容易にはんだ付けできます。. 用途. 産業用

ダイオード構成 シングルV。実装タイプ スルーホール。最大パワー消費 3 W。パッケージタイプ DO-41。ツェナータイプ 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 5%。ピン数 2。テスト電流 66.9mA。最大ツェナーインピーダンス 250 Ω@ mA。最大逆漏れ電流 5 μA@ V。寸法 2.7 (Dia.) 5.2mm。動作温度 Max +200 ℃。ツェナーダイオード3 W、1N59xxBシリーズSurmetic、ON Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 5.1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1 W。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 汎用。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 49mA。最大ツェナーインピーダンス = 7Ω。最大逆漏れ電流 = 10μA。寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 51V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 5 W。パッケージタイプ = DO-15。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 25mA。最大ツェナーインピーダンス = 27Ω。最大逆漏れ電流 = 500nA。寸法 = 8.89 x 3.68 x 3.68mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード5 W Surmetic、1N5364 → 1N5388シリーズ、ON Semiconductor. 厳格な制限、優れた動作特性を備えるツェナーダイオード5 Wの一連のシリーズです。

標準ツェナー電圧 = 10V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1 W。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 汎用。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 25mA。最大ツェナーインピーダンス = 7Ω。最大逆漏れ電流 = 10μA。寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor

レギュレータタイプ = リニア電圧mA。出力電圧 = -5V。ラインレギュレーション = 150 mV。ロードレギュレーション = 60 mV。極性 = 負。パッケージタイプ = TO-92。ピン数 = 3。出力タイプ = 固定。寸法 = 5.2 x 4.19 x 5.33mm。高さ = 5.33mm。幅 = 4.19mm。MC79L00リニア電圧レギュレータ、ON Semiconductor. ON Semiconductor の MC79L00 シリーズリニア電圧レギュレータは、負電圧レギュレータです。 このファミリの製品の出力電圧は固定で、5 V、12 V又は15 Vです。 外部デバイスを必要とせず、100 mAの出力電流を必要とする用途に適しています。 ON SemiconductorのMC79L00シリーズは、短絡電流制限機能や熱過負荷保護を内蔵した、強固な集積回路(IC)です。 主な用途には、オンカード調整や、小さな出力電流の負電圧レベルが要求される場合などがあります。 外部デバイスがなくても動作します。. 鉛フリーパッケージを用意

レギュレータタイプ = リニア電圧mA。出力電圧 = -5 V。ラインレギュレーション = 50 mV。精度 = 4%。極性 = 負。パッケージタイプ = DPAK。ピン数 = 3。出力タイプ = 固定。寸法 = 6.73 x 6.22 x 2.38mm。高さ = 2.38mm。幅 = 6.22mm。負電圧リニアレギュレータ、ON Semiconductor. 短絡 / 過熱保護機能を搭載した経済的な負電圧レギュレータです。 さまざまな用途に適しています。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 12 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 104 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 48 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -15 V， +15 V。幅 = 6.22mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET 60V

標準ツェナー電圧 = 30V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 5 W。パッケージタイプ = ケース017AA。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = ±5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 40mA。最大ツェナーインピーダンス = 140 Ω @ 1 mA， 8 Ω @ 40 mA。最大逆漏れ電流 = 3.7μA。寸法 = 3.68 (Dia.) x 8.89mm。動作温度 Min = -65 ℃A