onsemi トランジスタ, PNP, スルーホール, -15 A, NJW0302Gonsemi7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ : PNP●最大DCコレクタ電流 : -15 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : -250 V●パッケージタイプ : TO-3P●実装タイプ : スルーホール●最大パワー消費 : 150 W●最小DC電流ゲイン : 75●トランジスタ構成 : シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 : 250 V dc●最大エミッタ-ベース間電圧 : 5 V●最大動作周波数 : 1 MHz●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●動作温度 Max : +150 ℃mm●先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. PNPパワートランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, PNP, スルーホール, -10 A, MJF45H11Gonsemi欠品中
仕様●トランジスタタイプ : PNP●最大DCコレクタ電流 : -10 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : -80 V●パッケージタイプ : TO-220●実装タイプ : スルーホール●最大パワー消費 : 36 W●最小DC電流ゲイン : 60●トランジスタ構成 : 絶縁型●最大エミッタ-ベース間電圧 : 5 V●最大動作周波数 : 20 MHz●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●寸法 : 10.63×4.9×16.12mmRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 15 A, NJW0281Gonsemi7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 15 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 250 Vパッケージタイプ = TO-3P実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 150 Wトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 250 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 15.8 x 5 x 20.1mm先頭にNSVの付いたメーカー品番は、AEC-Q101規格に準拠した車載製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタ
onsemi トランジスタ, PNP, スルーホール, -10 A, 2SA2222SGonsemi欠品中
仕様●トランジスタタイプ : PNP●最大DCコレクタ電流 : -10 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : -50 V●パッケージタイプ : TO-220F-3FS への変換●実装タイプ : スルーホール●最大パワー消費 : 25 W●最小DC電流ゲイン : 150●トランジスタ構成 : シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 : -50 V●最大エミッタ-ベース間電圧 : -6 V●最大動作周波数 : 1 MHz●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●寸法 : 10.16×4.7×15.87mm●2SA2222SG はバイポーラトランジスタです。 -50 V 、 -10 A 、低 VCE ( sat )、高電流スイッチング用途向けの PNP TO-220F-3FS です。M ビットプロセスの採用 大電流容量( IC : -10 A ) 低コレクタ - エミッタ飽和電圧( VCE ( sat ) : -250 mV (標準) 高速スイッチング( tf : 22 ns (標準)) 用途 リレードライバランプドライバモータドライバRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 600 mA, MMBT2222LT1Gonsemi7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 600 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 225 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 3.04 x 2.64 x 1.11mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用NPNトランジスタ、最大1 A、ON Semiconductor
onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 6 A, BD243CGonsemi翌々日出荷
仕様●トランジスタタイプ : NPN●最大DCコレクタ電流 : 6 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 100 V●パッケージタイプ : TO-220●実装タイプ : スルーホール●最大パワー消費 : 65 W●最小DC電流ゲイン : 20●トランジスタ構成 : シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 : 100 V dc●最大エミッタ-ベース間電圧 : 5 V●最大動作周波数 : 1 MHz●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●動作温度 Max : +150 ℃mm●先頭にNSVの付いたメーカー品番は、AEC-Q101規格に準拠した車載製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, PNP, スルーホール, -3 A, MJE172Gonsemi翌々日出荷
仕様●トランジスタタイプ : PNP●最大DCコレクタ電流 : -3 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : -80 V●パッケージタイプ : TO-225AA●実装タイプ : スルーホール●最大パワー消費 : 12.5 W●最小DC電流ゲイン : 50●トランジスタ構成 : シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 : 100 V●最大エミッタ-ベース間電圧 : 7 V●最大動作周波数 : 10 MHz●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●動作温度 Max : +150 ℃mm●先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用PNPトランジスタ、1 A超、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 10 A, MJE200Gonsemi翌々日出荷
仕様●トランジスタタイプ : NPN●最大DCコレクタ電流 : 10 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 40 V●パッケージタイプ : TO-225●実装タイプ : スルーホール●最大パワー消費 : 15 W●最小DC電流ゲイン : 45●トランジスタ構成 : シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 : 25 V dc●最大エミッタ-ベース間電圧 : 8 V dc●最大動作周波数 : 10 MHz●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●寸法 : 7.8×3×11.1mm●バイポーラ・パワー・トランジスタは、低電圧、低消費電力、高利得オーディオ・アンプ・アプリケーション向けに設計されています。MJE200 ( NPN )と MJE210 ( PNP )は、補完的なデバイスです。高 DC 電流ゲイン 低コレクタ-エミッタ飽和電圧 高電流利得帯域幅製品 低漏洩のための環形構造 これらのデバイスは鉛フリーですRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -3 A, FZT790Aonsemi5日以内出荷
トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -3 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -40 Vパッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 2 W最小DC電流ゲイン = 300トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 3 + Tab1チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 6.5 x 3.5 x 1.6mm小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductor
onsemi PNP ダーリントントランジスタ, 30 V, 1.2 A, 3-Pin SOT-23onsemi5日以内出荷
トランジスタタイプ = PNP最大連続コレクタ電流 = 1.2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最小DC電流ゲイン = 4000最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 1.5 V最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 1 V最大コレクタカットオフ電流 = 0.0001mA幅 = 1.3mmダーリントントランジスタ、Fairchild Semiconductor
onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 1 A, TIP29CGonsemi5日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 30 W最小DC電流ゲイン = 15トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用NPNトランジスタ、最大1 A、ON Semiconductor
onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 6 A, TIP41BGonsemi5日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ : NPN●最大DCコレクタ電流 : 6 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 80 V●パッケージタイプ : TO-220●実装タイプ : スルーホール●最大パワー消費 : 65 W●最小DC電流ゲイン : 15●トランジスタ構成 : シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 : 80 V dc●最大エミッタ-ベース間電圧 : 5 V●最大動作周波数 : 1 MHz●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●動作温度 Max : +150 ℃mm●先頭にNSVの付いたメーカー品番は、AEC-Q101規格に準拠した車載製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 5 A, MJF18004Gonsemi5日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ : NPN●最大DCコレクタ電流 : 5 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 450 V●パッケージタイプ : TO-220●実装タイプ : スルーホール●最小DC電流ゲイン : 14●トランジスタ構成 : シングル●最大エミッタ-ベース間電圧 : 9 V●最大動作周波数 : 13 MHz●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●動作温度 Max : +150 ℃mm●先頭にSの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi NPN ダーリントントランジスタ, 100 V, 8 A, 3-Pin TO-220onsemi5日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大連続コレクタ電流 = 8 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最小DC電流ゲイン = 1000最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 3.5 V dc最大コレクタカットオフ電流 = 10μA寸法 = 10.63 x 4.9 x 16.12mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー型番は、AEC-Q101規格に準拠した自動車用製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタ
onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 10 A, D44H11Gonsemi5日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ : NPN●最大DCコレクタ電流 : 10 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 80 V●パッケージタイプ : TO-220AB●実装タイプ : スルーホール●最大パワー消費 : 2 W●最小DC電流ゲイン : 40●トランジスタ構成 : シングル●最大エミッタ-ベース間電圧 : 5 V●最大動作周波数 : 50 MHz●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●寸法 : 9.28×10.28×4.82mm●先頭にNSVの付いたメーカー品番は、AEC-Q101規格に準拠した車載製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi NPN ダーリントントランジスタ, 80 V, 800 mA, 3-Pin SOT-23onsemi5日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大連続コレクタ電流 = 800 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 12 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最小DC電流ゲイン = 10000最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 1.5 V最大コレクタカットオフ電流 = 100nA幅 = 1.4mmダーリントンNPNトランジスタ、Fairchild Semiconductor
onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 16 A, MJL21194Gonsemi5日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ : NPN●最大DCコレクタ電流 : 16 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 250 V●パッケージタイプ : TO-3BPL●実装タイプ : スルーホール●最大パワー消費 : 200 W●トランジスタ構成 : シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 : 400 V●最大エミッタ-ベース間電圧 : 5 V●最大動作周波数 : 1 MHz●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●動作温度 Max : +150 ℃mm●先頭にNSVの付いたメーカー品番は、AEC-Q101規格に準拠した車載製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -3 A, NZT660onsemi5日以内出荷
トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -3 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -60 Vパッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 2 W最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 3 + Tab1チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 6.7 x 3.7 x 1.7mm小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild Semiconductor
onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 3 A, FZT649onsemi5日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 3 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 25 Vパッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 2 W最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 35 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 3 + Tab1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃小信号NPNトランジスタ、最大30 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 3 A, FZT649onsemi5日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 3 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 25 Vパッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 2 W最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 35 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 3 + Tab1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm小信号NPNトランジスタ、最大30 V、Fairchild Semiconductor
onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 15 A, D44VH10Gonsemi5日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ : NPN●最大DCコレクタ電流 : 15 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 80 V●パッケージタイプ : TO-220AB●実装タイプ : スルーホール●最大パワー消費 : 83 W●最小DC電流ゲイン : 20●トランジスタ構成 : シングル●最大エミッタ-ベース間電圧 : 7 V●最大動作周波数 : 20 MHz●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●動作温度 Max : +150 ℃mm●先頭にNSVの付いたメーカー品番は、AEC-Q101規格に準拠した車載製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 4 A, MJD243T4Gonsemi¥99,980税込¥109,978
1セット(2500個)
7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 4 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 12.5 W最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 V最大動作周波数 = 10 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 6.73 x 6.22 x 2.38mm先頭にNSVの付いたメーカー品番は、AEC-Q101規格に準拠した車載製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタ
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, スルーホール, BDX53BGonsemi7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ : NPN●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 80 V dc●パッケージタイプ : TO-220●実装タイプ : スルーホール●最大パワー消費 : 65 W●トランジスタ構成 : シングル●最大エミッタ-ベース間電圧 : 5 V dc●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●寸法 : 10.53×4.83×9.28mmRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -600 mA, SMMBT2907ALT1Gonsemi7日以内出荷
トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -600 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -60 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 225 mWトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -60 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用PNPトランジスタ、最大1 A、ON Semiconductor
onsemi トランジスタ, PNP, スルーホール, -16 A, MJL21193Gonsemi¥14,980税込¥16,478
1セット(25個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ : PNP●最大DCコレクタ電流 : -16 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : -250 V●パッケージタイプ : TO-264●実装タイプ : スルーホール●最大パワー消費 : 200 W●トランジスタ構成 : シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 : 400 V dc●最大エミッタ-ベース間電圧 : 5 V●最大動作周波数 : 1 MHz●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●寸法 : 20.3×5.3×29mm●先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. PNPパワートランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 500 mA, MJD340Gonsemi7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 300 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 15 W最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 300 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 3 V最大動作周波数 = 10 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 6.73 x 2.38 x 6.22mm先頭にSの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。
onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 8 A, MJE18008Gonsemi7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ : NPN●最大DCコレクタ電流 : 8 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 450 V●パッケージタイプ : TO-220AB●実装タイプ : スルーホール●最大パワー消費 : 125 W●最小DC電流ゲイン : 14●トランジスタ構成 : シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 : 10 V dc●最大エミッタ-ベース間電圧 : 9 V●最大動作周波数 : 1 MHz●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●動作温度 Max : +150 ℃mm●先頭にSの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, BC848ALT1Gonsemi¥9,998税込¥10,998
1セット(3000個)
7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 110トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 30 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 3.04 x 2.64 x 1.11mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用NPNトランジスタ、最大1 A、ON Semiconductor
onsemi トランジスタ, PNP, スルーホール, -10 A, BDV64BGonsemi7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ : PNP●最大DCコレクタ電流 : -10 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : -100 V●パッケージタイプ : TO-218●実装タイプ : スルーホール●最大パワー消費 : 125 W●トランジスタ構成 : シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 : 100 V dc●最大エミッタ-ベース間電圧 : 5 V dc●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●寸法 : 15.2×4.9×20.35mm●10 A 、 100 V NPN バイポーラパワートランジスタは、コンプリメンタリの汎用アンプ用途で出力デバイスとして使用します。BDV65B ( NPN )及び BDV64B ( PNP )は、コンプリメンタリデバイスです。高 DC 電流ゲイン HFE : 1000 (最小) @ 5 ADC ベースエミッタシャント抵抗器を内蔵したモノリシック構造 鉛フリーパッケージで提供されます。ここに記載されている仕様は、標準デバイスと鉛フリーデバイスの両方に適用されますRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, PNP, スルーホール, -16 A, MJW21193Gonsemi¥16,980税込¥18,678
1セット(30個)
7日以内出荷
トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -16 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -250 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 200 Wトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 400 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 16.26 x 5.3 x 21.08mm先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. PNPパワートランジスタ、ON Semiconductor
onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 8 A, 2N6043Gonsemi7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ : NPN●最大DCコレクタ電流 : 8 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 60 V dc●パッケージタイプ : TO-220●実装タイプ : スルーホール●最大パワー消費 : 75 W●トランジスタ構成 : シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 : 60 V dc●最大エミッタ-ベース間電圧 : 5 V dc●最大動作周波数 : 1 MHz●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●寸法 : 10.53×4.83×15.75mm●8 A 、 100 V NPN ダーリントンバイポーラパワートランジスタは、汎用アンプと低速度スイッチング用途向けに設計されています。2N60402N6042 ( PNP )、及び 2N60432N6045 ( NPN )はコンプリメンタリデバイスです。高 DC 電流ゲイン - hFE : 2500 (標準) @ IC : 4.0 ADC コレクタ - エミッタ維持電圧 - @100 mAdc-VCEO ( sus ) : 60 V dc (最小) - 2N60402N6043VCEO ( sus ) : 80 V dc (最小) - 2N60412N6044VCEO ( sus ) : 100 V dc (最小) - 2N60422N6045 低コレクタ - エミッタ飽和電圧 - VCE (飽和) : 2.0 V dc (最大) @ IC : 4.0 ADC - 2N6040412N604344 VCE (飽和) : 2.0 V dc (最大) @ IC : 3.0 ADC - 2N60422N6045 ベースエミッタシャント抵抗器を内蔵したモノリシック構造 鉛フリーパッケージを用意RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, BC850BLT1Gonsemi7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 225 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号NPNトランジスタ、ON Semiconductor
onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 16 A, 2N3773Gonsemi¥65,980税込¥72,578
1セット(100個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ : NPN●最大DCコレクタ電流 : 16 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 140 V●パッケージタイプ : TO-204●実装タイプ : スルーホール●最大パワー消費 : 150 W●最小DC電流ゲイン : 15●トランジスタ構成 : シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 : 160 V●最大エミッタ-ベース間電圧 : 7 V●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●寸法 : 8.51×39.37×26.67mm●先頭にNSVの付いたメーカー品番は、AEC-Q101規格に準拠した車載製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 3 A, KSC5027OTUonsemi7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 3 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 800 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 50 W最小DC電流ゲイン = 20トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 1100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 9.9 x 4.5 x 18.95mmFairchild Semiconductor 高電圧 NPN トランジスタ
onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 1 A, MJD50Gonsemi7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ : NPN●最大DCコレクタ電流 : 1 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 400 V●パッケージタイプ : DPAK (TO-252)●実装タイプ : 表面実装●最大パワー消費 : 15 W●最小DC電流ゲイン : 30●トランジスタ構成 : シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 : 500 V dc●最大エミッタ-ベース間電圧 : 5 V●最大動作周波数 : 2 MHz●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●寸法 : 6.73×6.22×2.38mm●先頭にSの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, スルーホール, MJW3281AGonsemi7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 230 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 200 Wトランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dcピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 16.26 x 5.3 x 21.08mm
onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, TIP35CGonsemi7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ : NPN●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 100 V●パッケージタイプ : SOT-93●実装タイプ : スルーホール●最大パワー消費 : 125 W●最小DC電流ゲイン : 15●トランジスタ構成 : シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 : 100 V dc●最大エミッタ-ベース間電圧 : 5 V dc●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●動作温度 Min : -65 ℃mm●このバイポーラトランジスタは、汎用パワーアンプ及びスイッチング用途向けに設計されています。TIP35A 、 TIP35B 、 TIP35C ( NPN )、 TIP36A 、 TIP36B 、 TIP36C ( PNP )は補助装置です。コレクタ電流: 25 A 低漏洩電流: ICEO : 1.0 mA @ 30 及び 60 V 優れた DC ゲイン hFE : 40 (標準) @ 15 A 高電流ゲイン帯域幅製品 鉛フリーパッケージを用意RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, SBCP56-10T1Gonsemi7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ : NPN●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 80 V dc●パッケージタイプ : SOT-223 (SC-73)●実装タイプ : 表面実装●最大パワー消費 : 1.5 W●トランジスタ構成 : シングル●最大エミッタ-ベース間電圧 : 5 V dc●ピン数 : 3 + Tab●1チップ当たりのエレメント数 : 1●寸法 : 6.7×3.7×1.65mmRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 2 A, NSS40201LT1Gonsemi¥54,980税込¥60,478
1セット(3000個)
7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 460 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用NPNトランジスタ、1 A超、ON Semiconductor
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, スルーホール, BD787Gonsemi7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ : NPN●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 60 V dc●パッケージタイプ : TO-225●実装タイプ : スルーホール●最大パワー消費 : 15 W●最小DC電流ゲイン : 40●トランジスタ構成 : シングル●最大エミッタ-ベース間電圧 : 6 V dc●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●寸法 : 7.8×3×11.1mmRoHS指令(10物質対応)対応
『電子部品(オンボード)』には他にこんなカテゴリがあります
USB マスターPEPPERL+FUCHS税込¥96,778¥87,980
工具住友電気工業(Optigate(R))税込¥274,780¥249,800
工具住友電気工業(Optigate(R))税込¥79,178¥71,980
工具住友電気工業(Optigate(R))税込¥40,678~¥36,980~
工具住友電気工業(Optigate(R))税込¥70,378¥63,980
工具住友電気工業(Optigate(R))税込¥186,780¥169,800
工具住友電気工業(Optigate(R))税込¥69,278¥62,980
工具住友電気工業(Optigate(R))税込¥52,778¥47,980
工具住友電気工業(Optigate(R))税込¥17,578¥15,980
工具住友電気工業(Optigate(R))税込¥197,780¥179,800
工具住友電気工業(Optigate(R))税込¥40,678¥36,980
工具住友電気工業(Optigate(R))税込¥13,178¥11,980
工具住友電気工業(Optigate(R))税込¥70,378¥63,980
工具住友電気工業(Optigate(R))税込¥18,678¥16,980
工具住友電気工業(Optigate(R))税込¥16,478~¥14,980~