onsemi トランジスタ， NPN， 表面実装， 4 A， MJD243T4G

トランジスタタイプ = NPN
最大DCコレクタ電流 = 4 A
最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V
パッケージタイプ = DPAK (TO-252)
実装タイプ = 表面実装
最大パワー消費 = 12.5 W
最小DC電流ゲイン = 40
トランジスタ構成 = シングル
最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V dc
最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 V
最大動作周波数 = 10 MHz
ピン数 = 3
1チップ当たりのエレメント数 = 1
寸法 = 6.73 x 6.22 x 2.38mm
先頭にNSVの付いたメーカー品番は、AEC-Q101規格に準拠した車載製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタ