能動部品：「抵抗 1ω」の検索結果

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MLG1005S27NJT TDK 積層表面実装インダクタ， 27 nH， 300mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK

TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 27 nH， 300mA， 1 x 0.5 x 0.5mm

RoHS

仕様インダクタンス = 27 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 300mA最大自己共振周波数 = 2GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 800mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応

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TDKTDK コモンモードノイズフィルタ

RoHS

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MLG1005S39NJT TDK 積層表面実装インダクタ， 39 nH， 250mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK

TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 39 nH， 250mA， 1 x 0.5 x 0.5mm

RoHS

仕様インダクタンス = 39 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 250mA最大自己共振周波数 = 1.6GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 1Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応

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TDKTDK コモンモードフィルタ

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NTCG103JF103FTDS サーミスタ TDK NTC， 10kΩ TDK

TDKサーミスタ TDK NTC， 10kΩ

RoHS

仕様シリーズ = NTCG温度係数のタイプ = NTC抵抗@ 25℃ = 10kΩ許容差 = ±1%アプリケーション = 温度補償，温度センサパッケージ/ケース = 1005最大定格電力 = 100mW長さ = 1mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm動作温度 Min = -40℃ RoHS指令(10物質対応)対応

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NTCG103JF103FT1S サーミスタ TDK NTC， 10kΩ TDK

TDKサーミスタ TDK NTC， 10kΩ

RoHS

仕様シリーズ = NTCG温度係数のタイプ = NTC抵抗@ 25℃ = 10kΩ許容差 = ±1%アプリケーション = 温度補償，温度センサパッケージ/ケース = 1005最大定格電力 = 125mW長さ = 1mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm動作温度 Max = +150℃ RoHS指令(10物質対応)対応

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TDKTDK 巻線インダクタ (面実装)， 10 μH

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NTCG103JX103DTDS サーミスタ TDK NTC， 10kΩ TDK

TDKサーミスタ TDK NTC， 10kΩ

RoHS

仕様シリーズ = NTCG温度係数のタイプ = NTC抵抗@ 25℃ = 10kΩ許容差 = ±0.5%アプリケーション = 温度補償，温度センサパッケージ/ケース = 1005最大定格電力 = 100mW長さ = 1mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm動作温度 Max = +150℃ RoHS指令(10物質対応)対応

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MLG1005S82NJT TDK 積層表面実装インダクタ， 82 nH， 200mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK

TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 82 nH， 200mA， 1 x 0.5 x 0.5mm

RoHS

仕様インダクタンス = 82 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 200mA最小品質ファクター = 8パッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 1.6Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応

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MLG1005S56NJT TDK 積層表面実装インダクタ， 56 nH， 200mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK

TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 56 nH， 200mA， 1 x 0.5 x 0.5mm

RoHS

仕様インダクタンス = 56 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 200mA最小品質ファクター = 8パッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 1.3Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応

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MLG1005S1N0CT TDK 積層表面実装インダクタ， 1 nH， 1A， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK

TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 1 nH， 1A， 1 x 0.5 x 0.5mm

RoHS

仕様インダクタンス = 1 nH許容差 = ±0.2nH最大直流電流 = 1A最小品質ファクター = 7パッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 100mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応

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MLG1005S1N5CT TDK 積層表面実装インダクタ， 1.5 nH， 1A， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK

TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 1.5 nH， 1A， 1 x 0.5 x 0.5mm

RoHS

仕様インダクタンス = 1.5 nH許容差 = ±0.2nH最大直流電流 = 1A最大自己共振周波数 = 9.6GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 100mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応

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MLK1005S8N2DT TDK 積層表面実装インダクタ， 8.2 nH， 350mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK

TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 8.2 nH， 350mA， 1 x 0.5 x 0.5mm

RoHS

仕様インダクタンス = 8.2 nH許容差 = ±0.5nH最大直流電流 = 350mA最大自己共振周波数 = 6GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 380mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応

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MLK1005S22NJT TDK 積層表面実装インダクタ， 22 nH， 200mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK

TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 22 nH， 200mA， 1 x 0.5 x 0.5mm

RoHS

仕様インダクタンス = 22 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 200mA最大自己共振周波数 = 4.4GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 700mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応

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MLK1005S18NJT TDK 積層表面実装インダクタ， 18 nH， 250mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK

TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 18 nH， 250mA， 1 x 0.5 x 0.5mm

RoHS

仕様インダクタンス = 18 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 250mA最大自己共振周波数 = 4.7GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 600mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応

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MLK1005S15NJT TDK 積層表面実装インダクタ， 15 nH， 300mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK

TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 15 nH， 300mA， 1 x 0.5 x 0.5mm

RoHS

仕様インダクタンス = 15 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 300mA最大自己共振周波数 = 4.8GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 500mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応

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MLG1005SR39JT TDK 積層表面実装インダクタ， 390 nH， 50mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK

TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 390 nH， 50mA， 1 x 0.5 x 0.5mm

RoHS

仕様インダクタンス = 390 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 50mA最大自己共振周波数 = 400MHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 8Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応

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MLG1005S3N9CT TDK 積層表面実装インダクタ， 3.9 nH， 700mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK

TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 3.9 nH， 700mA， 1 x 0.5 x 0.5mm

RoHS

仕様インダクタンス = 3.9 nH許容差 = ±0.2nH最大直流電流 = 700mA最大自己共振周波数 = 6.5GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 200mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応

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MLK1005S82NJT TDK 積層表面実装インダクタ， 82 nH， 150mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK

TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 82 nH， 150mA， 1 x 0.5 x 0.5mm

RoHS

仕様インダクタンス = 82 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 150mA最大自己共振周波数 = 2.2GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 1.8Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応

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MLK1005S4N7ST TDK 積層表面実装インダクタ， 4.7 nH， 400mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK

TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 4.7 nH， 400mA， 1 x 0.5 x 0.5mm

RoHS

仕様インダクタンス = 4.7 nH許容差 = ±0.3nH最大直流電流 = 400mA最小品質ファクター = 7パッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 280mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃インダクタ構造 = 多層チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応

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MLG1005SR15JT TDK 積層表面実装インダクタ， 150 nH， 150mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK

TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 150 nH， 150mA， 1 x 0.5 x 0.5mm

RoHS

仕様インダクタンス = 150 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 150mA最大自己共振周波数 = 700MHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 3.5Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応

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MLG1005S6N2ST TDK 積層表面実装インダクタ， 6.2 nH， 600mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK

TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 6.2 nH， 600mA， 1 x 0.5 x 0.5mm

RoHS

仕様インダクタンス = 6.2 nH許容差 = ±0.3nH最大直流電流 = 600mA最大自己共振周波数 = 4.7GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 250mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応

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MLG1005S47NJT TDK 積層表面実装インダクタ， 47 nH， 250mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK

TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 47 nH， 250mA， 1 x 0.5 x 0.5mm

RoHS

仕様インダクタンス = 47 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 250mA最大自己共振周波数 = 1.4GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 1.2Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応

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MLG1005S2N7CT TDK 積層表面実装インダクタ， 2.7 nH， 800mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK

TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 2.7 nH， 800mA， 1 x 0.5 x 0.5mm

RoHS

仕様インダクタンス = 2.7 nH許容差 = ±0.2nH最大直流電流 = 800mA最大自己共振周波数 = 7.3GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 150mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃インダクタ構造 = 多層チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応

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MLK1005S6N8DT TDK 積層表面実装インダクタ， 6.8 nH， 400mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK

TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 6.8 nH， 400mA， 1 x 0.5 x 0.5mm

RoHS

仕様インダクタンス = 6.8 nH許容差 = ±0.5nH最大直流電流 = 400mA最小品質ファクター = 7パッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 350mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応

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MLG1005S5N6ST TDK 積層表面実装インダクタ， 5.6 nH， 600mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK

TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 5.6 nH， 600mA， 1 x 0.5 x 0.5mm

RoHS

仕様インダクタンス = 5.6 nH許容差 = ±0.3nH最大直流電流 = 600mA最大自己共振周波数 = 5.3GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 250mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応

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MLG1005S3N0CT TDK 積層表面実装インダクタ， 3 nH， 800mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK

TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 3 nH， 800mA， 1 x 0.5 x 0.5mm

RoHS

仕様インダクタンス = 3 nH許容差 = ±0.2nH最大直流電流 = 800mA最大自己共振周波数 = 6.8GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 200mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応

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MLG1005S2N0CT TDK 積層表面実装インダクタ， 2 nH， 900mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK

TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 2 nH， 900mA， 1 x 0.5 x 0.5mm

RoHS

仕様インダクタンス = 2 nH許容差 = ±0.2nH最大直流電流 = 900mA最大自己共振周波数 = 9.3GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 150mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応

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MLG1005S15NJT TDK 積層表面実装インダクタ， 15 nH， 400mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK

TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 15 nH， 400mA， 1 x 0.5 x 0.5mm

RoHS

仕様インダクタンス = 15 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 400mA最小品質ファクター = 8パッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 550mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応

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MLK1005SR10JT TDK 積層表面実装インダクタ， 100 nH， 100mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK

TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 100 nH， 100mA， 1 x 0.5 x 0.5mm

RoHS

仕様インダクタンス = 100 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 100mA最大自己共振周波数 = 1.9GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 2.2Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応

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￥149 税込￥164

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MLK1005S68NJT TDK 積層表面実装インダクタ， 68 nH， 150mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK

TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 68 nH， 150mA， 1 x 0.5 x 0.5mm

RoHS

仕様インダクタンス = 68 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 150mA最大自己共振周波数 = 2.4GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 1.5Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(10個)

￥58 税込￥64

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MLG1005S5N1ST TDK 積層表面実装インダクタ， 5.1 nH， 600mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK

TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 5.1 nH， 600mA， 1 x 0.5 x 0.5mm

RoHS

仕様インダクタンス = 5.1 nH許容差 = ±0.3nH最大直流電流 = 600mA最大自己共振周波数 = 5GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 250mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(10個)

￥119 税込￥131

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MLG1005S2N2CT TDK 積層表面実装インダクタ， 2.2 nH， 900mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK

TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 2.2 nH， 900mA， 1 x 0.5 x 0.5mm

RoHS

仕様インダクタンス = 2.2 nH許容差 = ±0.2nH最大直流電流 = 900mA最大自己共振周波数 = 8.6GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 150mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(10個)

￥119 税込￥131

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MLG1005S10NJT TDK 積層表面実装インダクタ， 10 nH， 500mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK

TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 10 nH， 500mA， 1 x 0.5 x 0.5mm

RoHS

仕様インダクタンス = 10 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 500mA最大自己共振周波数 = 3.4GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 350mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(10個)

￥119 税込￥131

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