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TPC8053-H(TE12L，Q) Toshiba Nチャンネル MOSFET， 60 V， 9 A， 8 ピンパッケージSOP TPC シリーズ東芝

東芝Toshiba Nチャンネル MOSFET， 60 V， 9 A， 8 ピンパッケージSOP TPC シリーズ

RoHS

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 24.2 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.3V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOP実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 1.9 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TPCxxxx、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応

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￥869 税込￥956

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TPCA8053-H(TE12L，Q Toshiba Nチャンネル MOSFET， 60 V， 15 A， 8 ピンパッケージSOP TPC シリーズ東芝

東芝Toshiba Nチャンネル MOSFET， 60 V， 15 A， 8 ピンパッケージSOP TPC シリーズ

RoHS

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 15 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 22.3 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.3V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOP実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 2.8 W標準入力キャパシタンス @ Vds = 1620 pF @ 10 VMOSFET Nチャンネル、TPCAxxxx、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応

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￥349 税込￥384

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東芝Toshiba NチャンネルパワーMOSFET

RoHS

チャンネルタイプN チャンネルモードエンハンスメント型

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￥919 税込￥1,011

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TPC8125，LQ(S Toshiba Pチャンネル MOSFET， 30 V， 10 A， 8 ピンパッケージSOP 東芝

東芝Toshiba Pチャンネル MOSFET， 30 V， 10 A， 8 ピンパッケージSOP

RoHS

仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 10 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 17 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V、+20 Vパッケージタイプ = SOP実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 1.9 W標準入力キャパシタンス @ Vds = 2580 pF @ -10 VMOSFET Pチャンネル、TPCシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応

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￥769 税込￥846

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東芝Toshiba デュアル NチャンネルパワーMOSFET

RoHS

仕様デュアルMOSFET Nチャンネル、TPCシリーズ、東芝ピン数(ピン)8 RoHS指令(10物質対応)対応パッケージSOP 実装タイプ表面実装チャンネルタイプN 最大パワー消費(W)1.5 チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)5.1 最大ドレイン-ソース間電圧(V)40 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)40 最大ゲートしきい値電圧(V)2.3 最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20 カテゴリーパワーMOSFET

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￥419 税込￥461

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TPC8067-H，LQ(S Toshiba Nチャンネル MOSFET， 30 V， 9 A， 8 ピンパッケージSOIC 東芝

東芝Toshiba Nチャンネル MOSFET， 30 V， 9 A， 8 ピンパッケージSOIC

RoHS

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 33 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.3V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 1.9 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TPCxxxx、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応

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￥739 税込￥813

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TPC8065-H，LQ(S Toshiba Nチャンネル MOSFET， 30 V， 13 A， 8 ピンパッケージSOIC 東芝

東芝Toshiba Nチャンネル MOSFET， 30 V， 13 A， 8 ピンパッケージSOIC

RoHS

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 13 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 14.7 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.3V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 1.9 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TPCxxxx、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応

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￥389 税込￥428

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TPC8128(TE12L，Q) Toshiba Pチャンネル MOSFET， 30 V， 16 A， 8 ピンパッケージSOP 東芝

東芝Toshiba Pチャンネル MOSFET， 30 V， 16 A， 8 ピンパッケージSOP

RoHS

仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 16 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 6.9 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V、+20 Vパッケージタイプ = SOP実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 1.9 W寸法 = 5.5 x 4.4 x 1.5mmMOSFET Pチャンネル、TPCシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応

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￥399 税込￥439

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TPCP8902(TE85L，F) Toshiba デュアル NPN + PNP バイポーラトランジスタ， 30 V， 2 A， 8-Pin PS 東芝

東芝Toshiba デュアル NPN + PNP バイポーラトランジスタ， 30 V， 2 A， 8-Pin PS

RoHS

仕様トランジスタタイプ = NPN + PNP最大DCコレクタ電流 = 2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = PS実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 1.67 W最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = 絶縁型最大コレクタ-ベース間電圧 = -30 V、60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 (NPN) V、-7 (PNP) Vピン数 = 81チップ当たりのエレメント数 = 2寸法 = 2.9 x 2.4 x 0.8mmデュアルNPN/PNPトランジスタ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応

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￥779 税込￥857

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