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仕様●メモリサイズ : 2Mbit●パッケージタイプ : TSOP●ピン数 : 48●構成 : 128 K x 16 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,998 税込2,198
7日以内出荷

仕様●メモリサイズ 32Mbit●インターフェースタイプ SPI●パッケージタイプ WDFN●ピン数 8●構成 4 x 8ビット●実装タイプ 表面実装●セルタイプ スプリットゲート●動作供給電圧 Min 2.7 V●動作供給電圧 Max 3.6 V●ブロック構成 対称●長さ 6mm●高さ 0.75mm●幅 5mm●寸法 6 5 0.75mm●シリーズ SST26bit●SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは●シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで●6線式●4ビットI/Oインターフェイスを備えており●ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力●高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば●最高で104 MHzの性能を発揮し●最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは●従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは●SuperFlashR技術を使用することで●他のフラッシュメモリ代替品に比べると●非常に優れた消去時間を発揮します。 通常●セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し●完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。. 特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ ニブル単位の多重化I/O●SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 x2 x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 最大104 MHz バーストモード 低消費電力 アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)●スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 セクタ ブロック消去: 18 ms(代表値)●チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,998 税込2,198
7日以内出荷

仕様●メモリサイズ 32Mbit●インターフェースタイプ SPI●パッケージタイプ SOIJ●ピン数 8●構成 4 x 8ビット●実装タイプ 表面実装●セルタイプ スプリットゲート●動作供給電圧 Min 2.7 V●動作供給電圧 Max 3.6 V●ブロック構成 対称●長さ 5.26mm●高さ 1.98mm●幅 5.25mm●寸法 5.26 5.25 1.98mm●シリーズ SST26bit●SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは●シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで●6線式●4ビットI/Oインターフェイスを備えており●ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力●高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば●最高で104 MHzの性能を発揮し●最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは●従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは●SuperFlashR技術を使用することで●他のフラッシュメモリ代替品に比べると●非常に優れた消去時間を発揮します。 通常●セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し●完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。. 特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ ニブル単位の多重化I/O●SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 x2 x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 最大104 MHz バーストモード 低消費電力 アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)●スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 セクタ ブロック消去: 18 ms(代表値)●チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(90個)
29,980 税込32,978
7日以内出荷

仕様●メモリサイズ : 1Mbit●インターフェースタイプ : パラレル●パッケージタイプ : TSOP●ピン数 : 32●構成 : 128 K x 8●実装タイプ : 表面実装●セルタイプ : スプリットゲート●動作供給電圧 Min : 2.7 V●動作供給電圧 Max : 3.6 V●ブロック構成 : 対称●長さ : 8.1mm●高さ : 1.05mm●幅 : 12.5mm●寸法 : 12.5 x 8.1 x 1.05mm●動作温度 Max : +85 ℃ns RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
1,998 税込2,198
7日以内出荷

仕様●メモリサイズ 1MB●インターフェースタイプ パラレル●パッケージタイプ PLCC●ピン数 32●構成 128 x 8ビット●実装タイプ 表面実装●セルタイプ スプリットゲート●動作供給電圧 Min 4.5 V●動作供給電圧 Max 5.5 V●ブロック構成 対称●長さ 14.05mm●高さ 2.84mm●幅 11.51mm●寸法 14.05 11.51 2.84mm●ワード数 128Kbit●SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは●パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。. 特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作 耐久性 100000回(標準) 低消費電力 アクティブ電流10 mA●スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ 読み取りアクセス時間: 55 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間 14 μs(標準) チップ書換え時間 SST39SF010A 2秒●SST39SF020A 4秒●SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ 自動書き込み時間 内部VPP生成 End-of-Write検出 トグルビット データ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格 フラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセット RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
2,998 税込3,298
7日以内出荷

仕様●メモリサイズ : 1Mbit●インターフェースタイプ : SPI●パッケージタイプ : SOIC●ピン数 : 8●構成 : 128 K x 8ビット●実装タイプ : 表面実装●セルタイプ : スプリットゲート●動作供給電圧 Min : 2.7 V●動作供給電圧 Max : 3.6 V●ブロック構成 : 対称●長さ : 5mm●高さ : 1.5mm●幅 : 4mm●寸法 : 4 x 5 x 1.5mm●シリーズ : SST25bit●SST25VF010AシリアルSPI SuperFlashRメモリ RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(100個)
10,980 税込12,078
7日以内出荷

仕様●メモリサイズ 4MB●インターフェースタイプ パラレル●パッケージタイプ PLCC●ピン数 32●構成 512 x 8ビット●実装タイプ 表面実装●セルタイプ スプリットゲート●動作供給電圧 Min 4.5 V●動作供給電圧 Max 5.5 V●ブロック構成 対称●長さ 14.05mm●高さ 2.84mm●幅 11.51mm●寸法 14.05 11.51 2.84mm●1ワード当たりのビット数 8bit●SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは●パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。. 特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作 耐久性 100000回(標準) 低消費電力 アクティブ電流10 mA●スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ 読み取りアクセス時間: 55 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間 14 μs(標準) チップ書換え時間 SST39SF010A 2秒●SST39SF020A 4秒●SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ 自動書き込み時間 内部VPP生成 End-of-Write検出 トグルビット データ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格 フラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセット RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
2,298 税込2,528
7日以内出荷

仕様●メモリサイズ : 8Mbit●インターフェースタイプ : パラレル●パッケージタイプ : TSOP●ピン数 : 48●構成 : 512 K x 16ビット●実装タイプ : 表面実装●セルタイプ : スプリットゲート●動作供給電圧 Min : 2.7 V●動作供給電圧 Max : 3.6 V●ブロック構成 : 対称●長さ : 12.2mm●高さ : 1.05mm●幅 : 18.5mm●寸法 : 18.5 x 12.2 x 1.05mm●最大ランダムアクセス時間 : 70ns●SST39VF200A/400A/800AパラレルSuperFlashRメモリ RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
779 税込857
7日以内出荷

仕様●メモリサイズ 2MB●インターフェースタイプ パラレル●パッケージタイプ PDIP●ピン数 32●構成 256 x 8ビット●実装タイプ スルーホール●セルタイプ スプリットゲート●動作供給電圧 Min 4.5 V●動作供給電圧 Max 5.5 V●ブロック構成 対称●長さ 42.04mm●高さ 3.81mm●幅 13.97mm●寸法 42.04 13.97 3.81mm●シリーズ SST39ns●SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは●パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。. 特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作 耐久性 100000回(標準) 低消費電力 アクティブ電流10 mA●スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ 読み取りアクセス時間: 55 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間 14 μs(標準) チップ書換え時間 SST39SF010A 2秒●SST39SF020A 4秒●SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ 自動書き込み時間 内部VPP生成 End-of-Write検出 トグルビット データ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格 フラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセット RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(11個)
5,998 税込6,598
7日以内出荷

仕様●メモリサイズ 1MB●インターフェースタイプ パラレル●パッケージタイプ PLCC●ピン数 32●構成 128 x 8ビット●実装タイプ 表面実装●セルタイプ スプリットゲート●動作供給電圧 Min 4.5 V●動作供給電圧 Max 5.5 V●ブロック構成 対称●長さ 14.05mm●高さ 2.84mm●幅 11.51mm●寸法 14.05 11.51 2.84mm●シリーズ SST39bit●SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは●パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。. 特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作 耐久性 100000回(標準) 低消費電力 アクティブ電流10 mA●スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ 読み取りアクセス時間: 55 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間 14 μs(標準) チップ書換え時間 SST39SF010A 2秒●SST39SF020A 4秒●SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ 自動書き込み時間 内部VPP生成 End-of-Write検出 トグルビット データ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格 フラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセット RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(30個)
9,898 税込10,888
7日以内出荷

仕様●メモリサイズ 4Mbit●インターフェースタイプ パラレル●パッケージタイプ PLCC●ピン数 32●構成 512 x 8ビット●実装タイプ 表面実装●セルタイプ スプリットゲート●動作供給電圧 Min 4.5 V●動作供給電圧 Max 5.5 V●ブロック構成 対称●長さ 14.05mm●高さ 2.84mm●幅 11.51mm●寸法 11.51 14.05 2.84mm●最大ランダムアクセス時間 70ns●SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは●パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。. 特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作 耐久性 100000回(標準) 低消費電力 アクティブ電流10 mA●スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ 読み取りアクセス時間: 55 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間 14 μs(標準) チップ書換え時間 SST39SF010A 2秒●SST39SF020A 4秒●SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ 自動書き込み時間 内部VPP生成 End-of-Write検出 トグルビット データ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格 フラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセット RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
889 税込978
7日以内出荷

Atmel UC3-A3 XPLAINED評価キットは、Atmel AT32UC3A3256マイクロコントローラを評価するためのハードウェアプラットフォームです。AtmelR AT32UC3A3256マイクロコントローラ 64 MビットSDRAM アナログ入力(ADCへ) - 温度センサ - RCフィルタ 入出力 - 機械式ボタン x 1 - LED x 4 - 拡張ヘッダ x 4 外部メモリ用フットプリント
仕様分類 = 評価ボードキット名 = UC3-A3 Xplainedテクノロジー = MCUデバイスコア = AVR32UCプロセッサファミリ名 = AVRプロセッサ品番 = AT32UC3A3256プロセッサ種類 = MCU RoHS指令(10物質対応)対応
1個
7,898 税込8,688
7日以内出荷

ATmega128RFR2チップ. ATmega256RFR2 Xplained Pro評価キット. Atmel ATMEGA256RFR2 Xplained Pro評価キットは、ATmega256RFR2ワイヤレスシステムオンチップ(SoC)を評価するプラットフォームとして使用されます。Xplained Pro SoC評価ボードは、Atmel Studioによってサポートされています。Atmelの組み込みのデバッガ(EDBG)を使用すると、ATmega256RFR2のプログラミングやデバッグに他のツールを使用する必要はありません。このSoCは、IEEE802.15.4準拠のWPAN通信及びZigBeeメッシュネットワーク用に設計されており、同時に、RF4CE、SP100、WirelessHART、6LoWPANの各プロトコルもサポートします。256 KBフラッシュメモリ、8 KB EEPROM、32 KB SRAM、2.4 GHz ISMバンドトランシーバ搭載のATmega256RFR2 SoC セラミックチップアンテナ シリアルI2Cバス上の温度センサ及びEEPROM 組み込みデバッガ(EDBG) リセットプッシュボタン ユーザープッシュボタン ユーザーLED Xplained Pro拡張ボード用ヘッダ x 5 電流測定用ヘッダ 外部アンテナ用SMAコネクタ デバッグ用microUSBコネクタ 仮想COM-portインターフェイス(UART経由) 電源: +5 V dc USB接続又は外部のPWRヘッダから給電
仕様分類 = 評価 キットキット名 = ATmega256RFR2 Xplained Proデバイスコア = AVRプロセッサファミリ名 = AVRプロセッサ品番 = ATmega256RFR2プロセッサ種類 = MCU RoHS指令(10物質対応)対応
1個
17,980 税込19,778
7日以内出荷

AT86RF233トランシーバチップ: RS品番 ; 769-2687 769-2687. ATSAMR21 SoC Xplained Pro開発ボード. Atmel SAM R21は、低電力システムオンチップ(SoC)シリーズで、SAM D21マイクロコントローラを備え、AT86RF233 2.4 GHz ISMバンドトランシーバを内蔵しています。 Atmel SAM R21 Xplained Pro評価キットは、ATSAMR21G18Aデバイスのプロトタイピングと評価を目的にしています。 Atmel SAM R21 Xplained Proハードウェアプラットフォームキットを使用すれば、ATSAMR21G18Aをカスタム設計に統合する方法を理解できます。 Atmel製のSAM R21は、Atmel Studio統合開発プラットフォーム(IDP)に対応しています。 Xplained Pro MCUシリーズの評価キットには、オンボードの組み込みデバッガが搭載されています。 ATSAMR21G18Aマイクロコントローラのプログラム又はデバッグに別途の工具は不要です。 ATSAMR21-XPROボードは、ZigBeeスタックと互換性があり、自己修復、自己編成メッシュネットワークをサポートしています。また、ネットワークトラフィックを最適化し、消費電力を最小化します。. ATSAMR21 Xplained Pro開発ボードの特長と利点 256 KBフラッシュメモリ、32 KB SRAM、2.4 GHz AT86RF233トランシーバ搭載のATSAMR21G18A Cortex-M0+コアSoC RF出力電力: 最大+4 dBm レシーバ感度: -99 dBm 変調: O-QPSK OTAデータ転送速度: 256 kbps ハードウェア支援MAC (自動認識、自動再試行) SFD検知、拡散 / 逆拡張、フレーミング、CRC-16計算 アンテナダイバーシティ及びTx / Rx制御 128バイトTx/Rxフレームバッファ AES-128暗号化 組み込みデバッガ(EDBG) シリアルワイヤデバッグ(SWD)を介したSAM R21ボード上でのプログラミングとデバッグ UART経由で仮想COMポートインターフェイスに接続 SPI / I2C経由でターゲットに接続するためのAtmelデータゲートウェイインターフェイス(DGI) GPIO x 4 (コード挿入の場合にターゲットに接続) リセットプッシュボタン ユーザープッシュボタン ユーザーLED Xplained Pro拡張ヘッダ x 2 電源: +5 V dc (外部コネクタ又はUSB接続経由) 消費電流監視由ヘッダ 組み込みデバッガ用microUSBコネクタ ターゲット用microUSBコネクタ セラミックチップアンテナ 外部アンテナ用SMAコネクタ 用途: 産業用制御、住宅 / 業務用オートメーション、健康管理、家庭用電化製品、PC周辺機器、IEEE802.15.4又はZigBeeプロトコルを使用したモノのインターネット(IoT)用ローカル通信など
仕様分類 評価 キットキット名 SAM R21 Xplained Proテクノロジー MCUデバイスコア ARM Cortex(TM)M0+プロセッサファミリ名 SAMプロセッサ品番 - ATSAMR21G18Aプロセッサ種類 MCU RoHS指令(10物質対応)対応
1個
15,980 税込17,578
7日以内出荷

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