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仕様●抵抗 : 430mΩ●テクノロジー : 厚膜●パッケージ/ケース : 0402●許容差 : 1%●定格電力 : 0.125W RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(100個)
3,698 税込4,068
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仕様●チャンネルタイプ: P●最大連続ドレイン電流: 1.3 A●最大ドレイン-ソース間電圧: 12 V●シリーズ: RZF013P01●実装タイプ: 表面実装●ピン数: 3●最大ドレイン-ソース間抵抗: 1.06 Ω●チャンネルモード: エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧: 1V●最低ゲートしきい値電圧: 0.3V●最大パワー消費: 800 mW●最大ゲート-ソース間電圧: -10 V, +10 V●幅: 1.8mm●順方向ダイオード電圧: 1.2V●ローム Pチャンネル MOSFET トランジスタ RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
1,498 税込1,648
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仕様●チャンネルタイプ: P●最大連続ドレイン電流: 100 mA●最大ドレイン-ソース間電圧: 20 V●シリーズ: RE1C001ZP●実装タイプ: 表面実装●ピン数: 3●最大ドレイン-ソース間抵抗: 40 Ω●チャンネルモード: エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧: 1V●最低ゲートしきい値電圧: 0.3V●最大パワー消費: 150 mW●最大ゲート-ソース間電圧: -10 V, +10 V●幅: 0.9mm●高さ: 0.7mm●ローム Pチャンネル MOSFET トランジスタ RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(125個)
1,898 税込2,088
翌々日出荷

仕様●チャンネルタイプ: N●最大連続ドレイン電流: 200 mA●最大ドレイン-ソース間電圧: 20 V●シリーズ: RE1C002UN●実装タイプ: 表面実装●ピン数: 3●最大ドレイン-ソース間抵抗: 4.8 Ω●チャンネルモード: エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧: 1V●最低ゲートしきい値電圧: 0.3V●最大パワー消費: 150 mW●最大ゲート-ソース間電圧: -8 V, +8 V●幅: 0.96mm●動作温度 Min: -55 ℃mm●ローム Nチャンネル MOSFET トランジスタ RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(150個)
1,998 税込2,198
5日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ: N●最大連続ドレイン電流: 100 mA●最大ドレイン-ソース間電圧: 20 V●パッケージタイプ: SOT-723●実装タイプ: 表面実装●ピン数: 3●最大ドレイン-ソース間抵抗: 18 Ω●チャンネルモード: エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧: 1V●最低ゲートしきい値電圧: 0.3V●最大パワー消費: 150 mW●最大ゲート-ソース間電圧: -8 V, +8 V●動作温度 Max: +150 ℃mm●順方向ダイオード電圧: 1.2V●ローム Nチャンネル MOSFET トランジスタ RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(150個)
1,798 税込1,978
5日以内出荷

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