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分類 = 開発キット。キット名 = Discovery。テクノロジー = MCU。デバイスコア = ARM Cortex M0。プロセッサファミリ名 = STM。プロセッサ品番 = STM32F072RBT6。プロセッサ種類 = MCU。STM32F072ディスカバリキット デモンストレーションの使用にあたっては、www.st.com/stm32f0-discoveryからダウンロードできるソースコードと関連ドキュメントを参照してください。. STM32F072RBマイクロコントローラ用の開発キット. STM 32F072B-DISCO キットは、32ビットARM Cortex-M0コアSTM32F072RBデバイスを備え、デモ用ファームウェア(STSW-STM32139)が付属しています。使いやすいディスカバリキットを使用すれば、32ビットSTM32F0シリーズマイクロコントローラを評価し、アプリケーションの設計を開始できます。
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
1,898 税込2,088
5日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 12 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 500 V●パッケージタイプ : TO-220FP●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 320 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 25 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -25 V, +25 V●動作温度 Max : +150 ℃●高さ : 16.4mm●NチャンネルMDmesh(TM)、500 V、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1個
439 税込483
5日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 62 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 33 V●シリーズ : STripFET●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 15 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 110 W●トランジスタ構成 : シングル●幅 : 4.6mm●高さ : 15.75mm●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
12,980 税込14,278
欠品中

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 7.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 60 V●パッケージタイプ : SO-8●実装タイプ : 表面実装●ピン数 : 8●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 21 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最低ゲートしきい値電圧 : 1V●最大パワー消費 : 2.5 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : ±16 V●動作温度 Max : +150 ℃mm●順方向ダイオード電圧 : 1.2V RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
2,898 税込3,188
5日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 9 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 400 V●シリーズ : MDmesh, SuperMESH●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 550 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大パワー消費 : 30 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●高さ : 16.4mm●NチャンネルMDmesh(TM) SuperMESH(TM)、250 V → 650 V、STMicroelectronics
1セット(50個)
12,980 税込14,278
5日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 35 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 100 V●シリーズ : STripFET●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 45 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 115 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -20 V, +20 V●動作温度 Max : +175 ℃●高さ : 9.15mm●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
8,598 税込9,458
5日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 21 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 500 V●シリーズ : MDmesh●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 158 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 150 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -25 V, +25 V●幅 : 4.6mm●高さ : 15.75mm●NチャンネルMDmesh(TM)、500 V、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
31,980 税込35,178
5日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 5 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 650 V●パッケージタイプ : IPAK (TO-251)●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 1 Ω●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 5V●最低ゲートしきい値電圧 : 4V●最大パワー消費 : 96 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : ±30 V●幅 : 2.4mm●高さ : 6.2mm RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,698 税込1,868
5日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 3.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 1000 V●パッケージタイプ : TO-220●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 3.7 Ω●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 125 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●高さ : 9.15mm●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 V RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
19,980 税込21,978
5日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 21 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 500 V●シリーズ : MDmesh●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 158 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 150 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -25 V, +25 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●高さ : 20.15mm●NチャンネルMDmesh(TM)、500 V、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(30個)
25,980 税込28,578
5日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 7.2 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 500 V●シリーズ : MDmesh, SuperMESH●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 850 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 110 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●動作温度 Min : -55 ℃●NチャンネルMDmesh(TM) SuperMESH(TM)、250 V → 650 V、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
14,980 税込16,478
5日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 10 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 600 V●シリーズ : MDmesh●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 550 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 70 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -25 V, +25 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●高さ : 15.75mm●NチャンネルMDmesh(TM)、600 V / 650 V、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
2,298 税込2,528
5日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 1 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 600 V●シリーズ : MDmesh, SuperMESH●実装タイプ : 表面実装●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 8.5 Ω●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 3.7V●最低ゲートしきい値電圧 : 2.25V●最大パワー消費 : 30 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●動作温度 Min : -55 ℃mm●NチャンネルMDmesh(TM) SuperMESH(TM)、250 V → 650 V、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(2500個)
169,800 税込186,780
5日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 14 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 500 V●シリーズ : MDmesh●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 250 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 110W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -25 V, +25 V●動作温度 Max : +150 ℃mm●高さ : 15.75mm●NチャンネルMDmesh(TM)、500 V、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1個
469 税込516
5日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 26 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 100 V●シリーズ : STripFET●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 70 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 85 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -20 V, +20 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●動作温度 Min : -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
569 税込626
5日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 50 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 100 V●シリーズ : STripFET●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 28 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 150 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -20 V, +20 V●トランジスタ素材 : Simm●高さ : 9.15mm●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
9,998 税込10,998
5日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 40 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 100 V●シリーズ : STripFET●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 33 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 2.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 1V●最大パワー消費 : 150 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -17 V, +17 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●高さ : 9.15mm●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
10,980 税込12,078
翌々日出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 80 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 100 V●シリーズ : STripFET II●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 15 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 45 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -20 V, +20 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●動作温度 Min : -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
16,980 税込18,678
5日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 50 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 60 V●シリーズ : STripFET(TM)II●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 18 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 110 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -20 V, +20 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●動作温度 Min : -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
7,198 税込7,918
5日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 120 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 75 V●パッケージタイプ : TO-220●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 8 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 310 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -20 V, +20 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●動作温度 Min : -55 ℃mm●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
19,980 税込21,978
5日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 7 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 600 V●パッケージタイプ : TO-220FP●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 950 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 30 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●幅 : 4.6mm●高さ : 16.4mm●NチャンネルMDmesh(TM) SuperMESH(TM)、250 V → 650 V、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
14,980 税込16,478
5日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 3 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 800 V●シリーズ : MDmesh, SuperMESH●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 3.5 Ω●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 80 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●標準ゲートチャージ @ Vgs : 22.5 nC @ 10 Vmm●動作温度 Min : -55 ℃●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 V RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,698 税込1,868
5日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 5.8 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 900 V●シリーズ : MDmesh, SuperMESH●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 2 Ω●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 30 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●動作温度 Min : -55 ℃●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 V RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
11,980 税込13,178
5日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 9 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 400 V●シリーズ : MDmesh, SuperMESH●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 550 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 110 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●幅 : 4.6mm●高さ : 9.15mm●NチャンネルMDmesh(TM) SuperMESH(TM)、250 V → 650 V、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
11,980 税込13,178
5日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 6.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 1000 V●シリーズ : MDmesh, SuperMESH●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 1.85 Ω●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 160 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●幅 : 4.6mm●動作温度 Min : -55 ℃●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 V RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
1,698 税込1,868
5日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 3.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 1000 V●パッケージタイプ : TO-247●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 3.7 Ω●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 125 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●幅 : 5.15mm●高さ : 20.15mm●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 V RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(30個)
14,980 税込16,478
5日以内出荷

STMicroSTD20NF06T4
エコ商品
長さ(mm)6.6 幅(mm)6.2 高さ(mm)2.4 タイプ【パッケージ】DPAK(TO-252) シリーズSTripFET ピン数(ピン)3 RoHS指令(10物質対応)対応 実装タイプ表面実装 1チップ当たりのエレメント数1 チャンネルタイプN 材質(トランジスタ)Si チャンネルモードエンハンスメント型 最大連続ドレイン電流(A)24 最大ドレイン-ソース間電圧(V)60 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)40 最大ゲートしきい値電圧(V)4 最小ゲートしきい値電圧(V)2 最大ゲート-ソース間電圧(V)-20,+20 トランジスタ構成シングル 標準ゲートチャージ23nC@10V 最大パワー消費60W 最大動作温度(℃)175 最小動作温度(℃)-55
1セット(10個)
1,598 税込1,758
5日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 4.3A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 800 V●パッケージタイプ : TO-220FP●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 2.4 Ω●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 30 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●標準ゲートチャージ @ Vgs : 32.4 nC @ 10 Vmm●動作温度 Min : -55 ℃●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 V RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
2,498 税込2,748
5日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 50 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 60 V●シリーズ : STripFET(TM)II●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 18 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 30 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -20 V, +20 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●動作温度 Min : -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
1セット(50個)
8,998 税込9,898
5日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 6.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 600 V●シリーズ : MDmesh●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 745 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 25 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -25 V, +25 V●標準ゲートチャージ @ Vgs : 17.4 nC @ 10 Vmm●高さ : 16.4mm●NチャンネルMDmesh(TM)、600 V / 650 V、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
2,398 税込2,638
5日以内出荷

1個ほか
649 税込714
5日以内出荷
バリエーション一覧へ (2種類の商品があります)

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 14 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 500 V●パッケージタイプ : TO-220FP●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 380 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 35 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●動作温度 Max : +150 ℃mm●高さ : 9.3mm●NチャンネルMDmesh(TM) SuperMESH(TM)、250 V → 650 V、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
17,980 税込19,778
5日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 2.1 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 900 V●シリーズ : MDmesh, SuperMESH●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 6.5 Ω●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 70 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●標準ゲートチャージ @ Vgs : 19.5 nC @ 10 Vmm●動作温度 Min : -55 ℃mm●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 V RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
9,998 税込10,998
5日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 39 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 600 V●シリーズ : MDmesh●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 70 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 255 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -25 V, +25 V●標準ゲートチャージ @ Vgs : 124 nC @ 10 Vmm●高さ : 20.15mm●NチャンネルMDmesh(TM)、600 V / 650 V、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(30個)
22,980 税込25,278
5日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 2.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 800 V●シリーズ : MDmesh, SuperMESH●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 4.5 Ω●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 70 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●標準ゲートチャージ @ Vgs : 19 nC @ 10 Vmm●動作温度 Min : -55 ℃mm●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 V RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,898 税込2,088
5日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 4 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 60 V●シリーズ : STripFET●実装タイプ : 表面実装●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 100 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 2.8V●最低ゲートしきい値電圧 : 1V●最大パワー消費 : 3.3 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -16 V, +16 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●動作温度 Min : -55 ℃mm●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(4000個)
279,800 税込307,780
5日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 7 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 600 V●シリーズ : MDmesh, SuperMESH●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 950 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 125 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●幅 : 4.6mm●高さ : 9.15mm●NチャンネルMDmesh(TM) SuperMESH(TM)、250 V → 650 V、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
11,980 税込13,178
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仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 600 mA●最大ドレイン-ソース間電圧 : 450 V●シリーズ : MDmesh K3, SuperMESH3●実装タイプ : 表面実装●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 3.8 Ω●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 2 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●幅 : 3.7mm●高さ : 1.8mm●NチャンネルMDmesh(TM) K3シリーズ、SuperMESH3(TM)、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(4000個)
199,800 税込219,780
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仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 35 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 60 V●シリーズ : STripFET●実装タイプ : 表面実装●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 28 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 2.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 1V●最大パワー消費 : 70 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -20 V, +20 V●標準ゲートチャージ @ Vgs : 23 nC @ 5 Vmm●動作温度 Min : -55 ℃●NチャンネルSTripFET、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
1,998 税込2,198
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仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 5.2 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 800 V●シリーズ : MDmesh, SuperMESH●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 1.8 Ω●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 125 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●動作温度 Min : -55 ℃●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 V RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
16,980 税込18,678
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