制御機器/はんだ・静電気対策用品 (0) ブランド: TAIWAN SEMICONDUCTORすべて解除
Taiwan Semiconductor ツェナーダイオード 33V スルーホール 1000 mW TAIWAN SEMICONDUCTOR 7日以内出荷
仕様 ツェナーダイオード1 W、1N47xxAシリーズ、Taiwan Semiconductor 寸法(mm) 5.2×2.7×2.7 ピン数(ピン) 2 ダイオード (構成)シングル 動作温度(℃) (Max)+200 RoHS指令(10物質対応) 対応 1チップ当たりのエレメント数 1 テスト電流(mA) 7.5 最大逆漏れ電流(μA) 5 最大パワー消費(mW) 1000 ツェナータイプ 電圧レギュレータ ツェナー電圧許容性(%) 5 最大ツェナーインピーダンス(Ω) 45
Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 双方向, スルーホール, 85V, P6KE62CA TAIWAN SEMICONDUCTOR 7日以内出荷
仕様 ●方向性タイプ : 双方向●最大クランピング電圧 : 85V●最小ブレークダウン電圧 : 58.9V●実装タイプ : スルーホール●パッケージタイプ : DO-15●最大逆スタンドオフ電圧 : 53V●ピン数 : 2●ピークパルスパワー消費 : 600W●最大ピークパルス電流 : 7.4A●1チップ当たりのエレメント数 : 1●動作温度 Min : -55 ℃●動作温度 Max : +175 ℃mm●長さ : 7.6mm●TVSダイオードアキシャル双方向600 W●Taiwan Semiconductor RoHS指令(10物質対応) 対応
Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 双方向, スルーホール, 22.5V, P6KE16CA TAIWAN SEMICONDUCTOR 5日以内出荷
仕様 ●方向性タイプ : 双方向●最大クランピング電圧 : 22.5V●最小ブレークダウン電圧 : 15.2V●実装タイプ : スルーホール●パッケージタイプ : DO-15●最大逆スタンドオフ電圧 : 13.6V●ピン数 : 2●ピークパルスパワー消費 : 600W●最大ピークパルス電流 : 28A●1チップ当たりのエレメント数 : 1●動作温度 Min : -55 ℃●動作温度 Max : +175 ℃mm●幅 : 3.6mm●TVSダイオードアキシャル双方向600 W●Taiwan Semiconductor RoHS指令(10物質対応) 対応
Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 双方向, 表面実装, 19.9V, SMCJ12CA TAIWAN SEMICONDUCTOR 5日以内出荷
仕様 ●方向性タイプ : 双方向●最大クランピング電圧 : 19.9V●最小ブレークダウン電圧 : 13.3V●実装タイプ : 表面実装●パッケージタイプ : DO-214AB (SMC)●最大逆スタンドオフ電圧 : 12V●ピン数 : 2●ピークパルスパワー消費 : 1500W●最大ピークパルス電流 : 75.3A●1チップ当たりのエレメント数 : 1●動作温度 Max : +150 ℃mm●最大逆漏れ電流 : 5μA●過渡電圧サプレッサ●SMT双方向1500 W●SMCJシリーズ●Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0 RoHS指令(10物質対応) 対応
Taiwan Semiconductor 整流用 ブリッジダイオード 単相 6A, 100V, 22.3 x 3.56 x 18.8mm, GBU602 TAIWAN SEMICONDUCTOR 5日以内出荷
仕様 UL、E-326243. GBU601~GBU607、6 A 単相ブリッジ整流器、Taiwan Semiconductor. 基板(PCB)スルーホール実装に最適 1500 V rmsの高いケース絶縁性 耐高サージ電流 標準的な逆電流: 0.1 μA未満 長さ(mm) 22.3 ピン数(ピン) 4 動作温度(℃) (Min)-55 、(Max)+150 RoHS指令(10物質対応) 対応 回路構成 シングル 実装タイプ スルーホール ピーク逆繰返し電圧(V) 100 ピーク非繰返し順方向サージ電流(A) 175 ピーク逆電流(μA) 500 ピーク順方向電圧(V) 1.1 ブリッジタイプ 単相 静電容量(pF) ジャンクション:211
Taiwan Semiconductor 整流用 ブリッジダイオード 単相 8A, 100V, 22.3 x 3.56 x 18.8mm, GBU802 TAIWAN SEMICONDUCTOR 5日以内出荷
仕様 UL、E-326243. GBU801~GBU807、8 A 単相ブリッジ整流器、Taiwan Semiconductor. 基板(PCB)スルーホール実装に最適 1500 V rmsの高いケース絶縁性 耐高サージ電流 標準的な逆電流: 0.1 μA未満 長さ(mm) 22.3 高さ(mm) 18.8 ピン数(ピン) 4 ダイオード (テクノロジー)シリコンジャンクション 動作温度(℃) (Min)-55 、(Max)+150 RoHS指令(10物質対応) 対応 回路構成 シングル 実装タイプ スルーホール ピーク平均順方向電流(A) 8 ピーク逆繰返し電圧(V) 100 ピーク非繰返し順方向サージ電流(A) 200 ピーク逆電流(μA) 500 ピーク順方向電圧(V) 1.1
Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 単方向, 表面実装, 19.9V, SMCJ12A TAIWAN SEMICONDUCTOR 5日以内出荷
仕様 過渡電圧サプレッサSMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0 ピン数(ピン) 2 動作温度(℃) (Max)+150 RoHS指令(10物質対応) 対応 実装タイプ 表面実装 1チップ当たりのエレメント数 1 最大逆スタンドオフ電圧(V) 12 最大クランピング電圧(V) 19.9 最小ブレークダウン電圧(V) 13.3 ピークパルスパワー消費(W) 1500 最大ピークパルス電流(A) 75.3 最大逆漏れ電流(μA) 5 方向性タイプ 単方向
Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 単方向, 表面実装, 193V, SMBJ120A TAIWAN SEMICONDUCTOR 5日以内出荷
仕様 過渡電圧サプレッサSMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0 ピン数(ピン) 2 動作温度(℃) (Min)-55 、(Max)+150 RoHS指令(10物質対応) 対応 実装タイプ 表面実装 1チップ当たりのエレメント数 1 最大逆スタンドオフ電圧(V) 120 最大クランピング電圧(V) 193 最小ブレークダウン電圧(V) 133 ピークパルスパワー消費(W) 600 最大ピークパルス電流(A) 3.1 最大逆漏れ電流(μA) 5 方向性タイプ 単方向
Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 双方向, 表面実装, 72.7V, SMBJ45CA TAIWAN SEMICONDUCTOR 5日以内出荷
仕様 過渡電圧サプレッサ、SMT双方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0 ピン数(ピン) 2 動作温度(℃) (Min)-55 、(Max)+150 RoHS指令(10物質対応) 対応 実装タイプ 表面実装 1チップ当たりのエレメント数 1 最大逆スタンドオフ電圧(V) 45 最大クランピング電圧(V) 72.7 最小ブレークダウン電圧(V) 50 ピークパルスパワー消費(W) 600 最大ピークパルス電流(A) 8.3 最大逆漏れ電流(μA) 5 方向性タイプ 双方向
Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 双方向, 表面実装, 23.2V, SMCJ14CA TAIWAN SEMICONDUCTOR 5日以内出荷
仕様 過渡電圧サプレッサ、SMT双方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0 ピン数(ピン) 2 動作温度(℃) (Max)+150 RoHS指令(10物質対応) 対応 実装タイプ 表面実装 1チップ当たりのエレメント数 1 最大逆スタンドオフ電圧(V) 14 最大クランピング電圧(V) 23.2 最小ブレークダウン電圧(V) 15.6 ピークパルスパワー消費(W) 1500 最大ピークパルス電流(A) 64.7 最大逆漏れ電流(μA) 5 方向性タイプ 双方向
Taiwan Semiconductor 整流用 ブリッジダイオード 単相 2A, 1000V, 8.51 x 6.5 x 2.6mm, DBLS207G TAIWAN SEMICONDUCTOR 5日以内出荷
仕様 UL E-326854. 基板表面実装用ブリッジ整流器、DBLSシリーズ、Taiwan Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション 自動位置決めに最適 成形プラスチック技術を使用した信頼性の高い低コスト構造 耐高サージ電流 寸法(mm) 8.51×6.5×2.6 高さ(mm) 2.6 ピン数(ピン) 4 動作温度(℃) (Min)-55 、(Max)+150 RoHS指令(10物質対応) 対応 回路構成 シングル 実装タイプ 表面実装 ピーク平均順方向電流(A) 2 ピーク逆繰返し電圧(V) 1000 ピーク非繰返し順方向サージ電流(A) 50 ピーク逆電流(μA) 10 ピーク順方向電圧(V) 1.15
Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 単方向, 表面実装, 24.4V, SMCJ15A TAIWAN SEMICONDUCTOR 5日以内出荷
仕様 過渡電圧サプレッサSMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0 ピン数(ピン) 2 動作温度(℃) (Max)+150 RoHS指令(10物質対応) 対応 実装タイプ 表面実装 1チップ当たりのエレメント数 1 最大逆スタンドオフ電圧(V) 15 最大クランピング電圧(V) 24.4 最小ブレークダウン電圧(V) 16.7 ピークパルスパワー消費(W) 1500 最大ピークパルス電流(A) 61.5 最大逆漏れ電流(μA) 5 方向性タイプ 単方向
Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 単方向, スルーホール, 482V, P6KE350A TAIWAN SEMICONDUCTOR 5日以内出荷
仕様 アキシャル単方向600 W TVSダイオード、P6KEシリーズ、Fairchild Semiconductor 寸法(mm) 7.62×3.56×3.56 ピン数(ピン) 2 RoHS指令(10物質対応) 対応 パッケージ DO-15 実装タイプ スルーホール 1チップ当たりのエレメント数 1 最大逆スタンドオフ電圧(V) 300 最大クランピング電圧(V) 482 最小ブレークダウン電圧(V) 332 ピークパルスパワー消費(W) 600 最大ピークパルス電流(A) 1.3 最大逆漏れ電流(μA) 5 方向性タイプ 単方向 最小動作温度(℃) -65
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